Septin6 and Septin7 GTP binding proteins regulate AP-3- and ESCRT-dependent multivesicular body biogenesis

Septins (SEPTs) form a family of GTP-binding proteins implicated in cytoskeleton and membrane organization, cell division and host/pathogen interactions. The precise function of many family members remains elusive. We show that SEPT6 and SEPT7 complexes bound to F-actin regulate protein sorting during multivesicular body (MVB) biogenesis. These complexes bind AP-3, an adapter complex sorting cargos destined to remain in outer membranes of maturing endosomes, modulate AP-3 membrane interactions and the motility of AP-3-positive endosomes. These SEPT-AP interactions also influence the membrane interaction of ESCRT (endosomal-sorting complex required for transport)-I, which selects ubiquitinated cargos for degradation inside MVBs. Whereas our findings demonstrate that SEPT6 and SEPT7 function in the spatial, temporal organization of AP-3- and ESCRT-coated membrane domains, they uncover an unsuspected coordination of these sorting machineries during MVB biogenesis. This requires the E3 ubiquitin ligase LRSAM1, an AP-3 interactor regulating ESCRT-I sorting activity and whose mutations are linked with Charcot-Marie-Tooth neuropathies

Interconnexions de circuits intégrés AsGa dans le domaine subnanoseconde

The dynamic simulation of ultra fast logic devices has to take into account the interconnecting tracks between gates ; these tracks act as transmission lines as soon as their propagating time reaches 20 % of the signal rise time at the output gate. The transmitted signal is altered by impedance mismatch (at any line ending or any section changes...) coupling effects (distributed between parallel lines, lumped at crossing lines... ) and metallic or dielectric losses. In this paper, electromagnetic modelling of GaAs Ic's interconnecting lines is developed and time domain analysis results are given. The simulation theoretical background, providing time domain analysis of cascaded coupled and lossy lines, is presented. The analysis is derived from the equivalent transmission line concept. Effects of lumped mismatch and distributed losses on propagating signals are pointed out in the case of a single line. For a set of coupled lines, we show the crosstalk effects between adjacent lines and we give some design rules on screen lines in order to increase their efficiency.La simulation dynamique du fonctionnement de circuits logiques ultra-rapides nécessite la prise en compte des liaisons entre portes en termes de propagation dès que le temps d'aller-retour sur ces liaisons devient supérieur à 20 % du temps de montée du signal véhiculé. L'altération qu'elles apportent sur les signaux résulte des ruptures d'impédance (aux terminaisons, aux changements de section, de niveau...) et du caractère dissipatif des lignes (pertes dans les conducteurs, dans les diélectriques, les substrats... ). Nous présentons des résultats de modélisation et d'analyse temporelle relatifs aux interconnexions de circuits intégrés AsGa. L'analyse temporelle utilise le concept de ligne de transmission équivalente ; la théorie du simulateur permettant l'étude d'un ensemble de lignes résistives couplées montées en cascade est présentée. Dans le cas d'une liaison unique, nous mettons en évidence l'effet des désadaptations, des discontinuités ponctuelles et des pertes sur la déformation des signaux véhiculés. Pour un ensemble de lignes planaires nous montrons que les effets de parasitage entre lignes peuvent être réduits par l'utilisation de lignes écran. Des règles de conception de ces lignes écran sont données, afin d'augmenter leur efficacité

Formules de CAO pour la modélisation électrique des interconnexions de circuit intégré AsGa

Inductance and capacitance matrices ( [L ] and [C ]) of coplanar and coupled microstrip lines for GaAs logic circuits are calculated by a moment method. The capacitance matrix [C] is obtained by inverting the potential matrix [P], which elements are determined using the multiple reflections theory, to take into account the Air-GaAs interface. Analytic solution is obtained by a first order expansion of integral equations of electromagnetic fields in the structure. Simple CAD formulas are derived from analytic solutions, considering the substrate acts like a perfect dielectric. Accuracy of these formulas is better than 10 % in the worst case.Les matrices inductance [L ] et capacitance [C ] d'un ensemble de lignes d'interconnexion sont calculées par la méthode des moments. La matrice [C ] est obtenue par inversion de la matrice de potentiel [P ] ; les éléments de celle-ci sont obtenus à partir de la théorie des réflexions multiples qui sert à modéliser l'interface Air-GaAs. La résolution analytique du problème est basée sur un développement approché des équations intégrales donnant les éléments des matrices [L] et [P]. Nous en déduisons des formules de CAO pour la technologie GaAs en considérant le substrat non dissipatif. La précision de ces formules est meilleure que 10 % dans le pire cas

Détermination des caractéristiques de seuil de jonctions Josephson utilisées dans les dispositifs logiques à commande magnétique

In the magnetically coupled Josephson logic devices, dimensional and proximity effects provoke an inhomogeneity of the command magnetic field. We present a numerical method which allows us to compute the threshold characteristics of the junctions by taking these effects into account. We point out an increase of the side lobes and a smoothing of the characteristics. These phenomena reduce the noise immunity of logic devices. The comparison between computation results and experiments allows us to calculate the real mean value of the magnetic field in the junction.Dans les dispositifs logiques Josephson à couplage magnétique, les effets dimensionnels et de proximité se manifestent par une inhomogénéité du champ magnétique de commande. Nous présentons une méthode numérique permettant de calculer les caractéristiques de seuil des jonctions, compte-tenu de ces effets. Nous mettons en évidence un relèvement des lobes secondaires et un lissage des caractéristiques. Ces phénomènes réduisent l'immunité au bruit des dispositifs logiques. La comparaison entre les résultats théoriques et expérimentaux nous permet également de calculer la valeur moyenne réelle du champ magnétique dans la jonction

Détermination des caractéristiques de seuil de jonctions Josephson utilisées dans les dispositifs logiques à commande magnétique

Dans les dispositifs logiques Josephson à couplage magnétique, les effets dimensionnels et de proximité se manifestent par une inhomogénéité du champ magnétique de commande. Nous présentons une méthode numérique permettant de calculer les caractéristiques de seuil des jonctions, compte-tenu de ces effets. Nous mettons en évidence un relèvement des lobes secondaires et un lissage des caractéristiques. Ces phénomènes réduisent l'immunité au bruit des dispositifs logiques. La comparaison entre les résultats théoriques et expérimentaux nous permet également de calculer la valeur moyenne réelle du champ magnétique dans la jonction