Mobilitätswende in den Köpfen – interdisziplinäre Analyse zur Einleitung von Transformationsprozessen im Verkehrssystem

Die Erreichung der Klimaziele und eine menschengerechte Gestaltung unserer Städte sind in hohem Maße von einer Reorganisation des Verkehrssektors auf allen Ebenen abhängig. Die Initiierung eines Paradigmenwechsels muss dabei als Strukturveränderung verstanden werden. In einem interdisziplinären Ansatz beleuchten wir das Thema aus Sicht der Ingenieur- und Planungswissenschaften, Soziologie sowie Politikwissenschaft. Anhand der Multi-Level-Perspektive beschreiben wir Rollen, Abhängigkeiten und den Einfluss von Akteurinnen und Akteuren sowie strukturelle Barrieren der Mobilitätswende und weisen auf mögliche Lösungen hin. Die Ergebnisse zeigen, dass dringend auch eine „Mobilitätswende in den Köpfen“ der Verantwortlichen in Politik, Planung, Verwaltung und Wissenschaft erforderlich ist, da sie Rahmenbedingungen vorgeben oder beeinflussen, Entscheidungsgrundlagen schaffen und/oder unterstützen und Maßnahmen definieren und umsetzen (sollen)

Vacancy supersaturations produced by high-energy ion implantation

A new technique for detecting the vacancy clusters produced by high-energy ion implantation into silicon is proposed and tested. This technique takes advantage of the fact that metal impurities, such as Au, are gettered near one-half of the projected range ({1/2}R{sub p}) of MeV implants. The vacancy clustered region produced by a 2 MeV Si{sup +} implant into silicon has been labeled with Au diffused in from the front surface. The trapped Au was detected by Rutherford backscattering spectrometry (RBS) to profile the vacancy clusters. Cross section transmission electron microscopy (XTEM) analysis shows that the Au in the region of vacancy clusters is in the form of precipitates. By annealing MeV implanted samples prior to introduction of the Au, changes in the defect concentration within the vacancy clustered region were monitored as a function of annealing conditions

Effective control of polarity in Bi 0.9La 0.1FeO 3 thin films by dopant-related internal bias

10.1002/pssa.201026628Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science2084919-923PSSA