Caracterização de Si implantado com altas doses de oxigenio atraves de microscopia otica de interferencia e ataque quimico

Orientador: Vicente Roberto DumkeDissertação (mestrado) - Universidade Federal do Parana, Setor de Ciencias ExatasResumo: A implantação de íons de O + em Si produz modificações em suas propriedades mecânicas, químicas e óticas. Usando técnicas de microscopia ótica de interferência e de ataque químico, observa-se um padrão de dissolução característico na fronteira da região implantada, revelando a existência de uma microestrutura nesta região. Esta está relacionada a efeitos de mascaramento, difusão do oxigênio, surgimento de defeitos e precipitados de SiO2 e a existência de tensões . As modificações na topografia de superfície assim como a criação de defeitos após tratamentos térmicos em alta temperatura também foram estudadas.Abstract: The high dose O + implantation in Si monocrystals changes the mechanical, chemical and optical properties of the bulk. Using optical interference microscopy and chemical etching, a characteristic dissolution pattern is observed in the implanted region boundary. This microstructure is related with conditions such as ion implantation mask, oxygen diffusion, defects and SiO2 precipitates and stress field. The modifications in surface topography and defects production by high temperature annealing are described too

Caracterização de Si implantado com altas doses de oxigenio atraves de microscopia otica de interferencia e ataque quimico

Orientador: Vicente Roberto DumkeDissertação (mestrado) - Universidade Federal do Parana, Setor de Ciencias ExatasResumo: A implantação de íons de O + em Si produz modificações em suas propriedades mecânicas, químicas e óticas. Usando técnicas de microscopia ótica de interferência e de ataque químico, observa-se um padrão de dissolução característico na fronteira da região implantada, revelando a existência de uma microestrutura nesta região. Esta está relacionada a efeitos de mascaramento, difusão do oxigênio, surgimento de defeitos e precipitados de SiO2 e a existência de tensões . As modificações na topografia de superfície assim como a criação de defeitos após tratamentos térmicos em alta temperatura também foram estudadas.Abstract: The high dose O + implantation in Si monocrystals changes the mechanical, chemical and optical properties of the bulk. Using optical interference microscopy and chemical etching, a characteristic dissolution pattern is observed in the implanted region boundary. This microstructure is related with conditions such as ion implantation mask, oxygen diffusion, defects and SiO2 precipitates and stress field. The modifications in surface topography and defects production by high temperature annealing are described too

Depth-Sensing Indentation on REBa2Cu3O(7-\delta) Single Crystals obtained from Xenotime Mineral

A natural mixture of heavy rare earths oxides extracted from xenotime mineral have been used to prepare large single crystals of high-temperature REBa2Cu3O(7-\delta) superconductor grown using the CuO-BaO self-flux method. Its mechanical properties along the ab-plane were characterized using instrumented indentation. Hardness and elastic modulus were obtained by the Oliver and Pharr method and corresponds to 7.4 \pm 0.2 GPa and in range 135-175 GPa at small depths, respectively. Increasing the load promotes the nucleation of lateral cracks that causes a decrease in hardness and the measured elastic modulus by instrumented indentation at higher loads. The indentation fracture toughness was estimated by measuring the radial crack length from cube-corner indentations at various loads and was 0.8 \pm 0.2 MPa.m1/2. The observed slip systems of REBa2Cu3O(7-\delta) single crystals were [100](001) and [010](001), the same as for YBa2Cu3O(7-\delta) single crystals. The initial stages of deformation and fracture in the indentation process were investigated. The hardness and elastic modulus were not strongly modified by the crystallographic orientation in the ab-plane. This was interpreted in terms of the resolved shear stresses in the active slip systems. Evidence of cracking along the {100} and {110} planes on the ab-plane was observed. As a conclusion, the mechanical properties of REBa2Cu3O(7-\delta) single crystals prepared from xenotime are equivalent to those of YBa2Cu3O(7-\delta) single crystals produced by conventional rare earths oxides.Comment: The paper will appear in Volume 42 (2012) of the Brazilian Journal of Physic

Caracterização de Si implantado com altas doses de oxigenio atraves de microscopia otica de interferencia e ataque quimico

Orientador: Vicente Roberto DumkeDissertação (mestrado) - Universidade Federal do Parana, Setor de Ciencias ExatasResumo: A implantação de íons de O + em Si produz modificações em suas propriedades mecânicas, químicas e óticas. Usando técnicas de microscopia ótica de interferência e de ataque químico, observa-se um padrão de dissolução característico na fronteira da região implantada, revelando a existência de uma microestrutura nesta região. Esta está relacionada a efeitos de mascaramento, difusão do oxigênio, surgimento de defeitos e precipitados de SiO2 e a existência de tensões . As modificações na topografia de superfície assim como a criação de defeitos após tratamentos térmicos em alta temperatura também foram estudadas.Abstract: The high dose O + implantation in Si monocrystals changes the mechanical, chemical and optical properties of the bulk. Using optical interference microscopy and chemical etching, a characteristic dissolution pattern is observed in the implanted region boundary. This microstructure is related with conditions such as ion implantation mask, oxygen diffusion, defects and SiO2 precipitates and stress field. The modifications in surface topography and defects production by high temperature annealing are described too

Propriedades nanomecânicas de filmes C/sub 60/ irradiados com N+

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Propriedades nanomecânicas de filmes C/sub 60/ irradiados com N+

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Mechanical properties of highly oriented FeSe0.5Te0.5 superconductor

We have synthesized highly oriented samples of the superconducting compound FeSe0.5Te0.5 and investigated its mechanical properties. These samples were characterized by scanning electron microscopy (SEM) with energy-dispersive analysis, x-ray diffraction, and electrical resistivity. The measured critical temperature is TC~14.5 K. Hardness and elastic modulus on the ab- and a(b)c-plane were obtained by instrumented indentation. The samples’ morphology consists of plate-like crystals with a lamellar structure. Two phases were observed with a typically eutectic microstructure composed by white and gray lamellas when observed with SEM using backscattered electrons. The white phase is richer in Te and poorer in Se than the gray phase. No significant differences in hardness and elastic modulus were observed between ab- and a(b)c-planes. Hardness profiles indicated values in the range 0.6–0.8 GPa at deep tip penetration depths, while the elastic modulus showed values in between 20–25 GPa. Cracking was occasionally observed in the ab-plane and at low loads