Stepping theories of active logic with two kinds of negation

This paper formulates a stepping theory formalism with two kinds of negation dealing with one of the areas of Active Logic, a new kind of logic aimed at performing practical tasks in real time knowledge-based AI systems. In addition to the standard logical negation, the proposed formalism uses the so-called subjective negation interpreted as inability to arrive at some conclusion through reasoning by a current time. The semantics of the proposed formalism is defined as an~argumentation structure

DIFFICULTIES WHEN WORKING WITH MOBILE TECHNOLOGIES IN TRAINING

В настоящее время существует множество современных технологий, которые позволяют расширить поле учебной аудиторной и внеаудиторной деятельности. В данной статье описано, что мобильные технологии являются новой тенденцией в образовании. Выделен ряд проблем, которые связаны с повсеместным внедрением мобильных устройств в образование, отмечены нерешенные актуальные вопросы, связанные с мобильным обучением. Показано, что процесс познания информационных и телекоммуникационных компьютерных технологий способен формировать навыки самоорганизации и самообученияThere are many modern technologies that allow to expand the field of educational classroom and extracurricular activities. This article describes that mobile technologies are a new trend in education. A number of problems related to the widespread introduction of mobile devices in education are highlighted, as well as unresolved topical issues related to mobile learning. It is shown that the process of cognition of information and telecommunication computer technologies can form skills of self -organization and self- learnin

The problem modeling conceptual framework in continuing education

The concept of problem modeling as an innovative approach to education is discussed in this article, suggested approach is interpreted in the context of lifelong continuing education, the basic ideas, forms and regulations are definedВ данной статье рассматривается концепция проблемного моделирования как инновационного подхода в образовании, данный подход интерпретируется в условиях непрерывного образования, определяются его основные идеи, формы и положения, особое внимание уделяется актуализации инновационных процессов в образовани

A model for the education of a student of a vocational pedagogical educational institution through the gaming simulation

The relevance of the problem subject to the research is conditioned by the discrepancy between (a) the orientation of the modern vocational-pedagogical education on the result of the future teacher training that is based on the subject matter and contents, and (b) the need to develop pedagogical skills. The application of the gaming simulation within the process of pedagogical skills development takes such skills to a completely new level. A study of the process of pedagogical skills development at students of a vocational-pedagogical education by way of the gaming simulation is the purpose of the article. Experiment and research activities were carried out during four years. A pedagogical experiment using the specially developed programme allowing discovering the level of pedagogical skills development at the trainees is the leading method for the research of this problem. Research results: The article provides for a model for the education of a student of a vocational-pedagogical educational institution through the gaming simulation; a scheme for this model implementation has been developed. Article contents may be useful for lecturers and students of pedagogical higher education institutions at the monitoring of the education quality. © 2016 Fominykh et al

GROWING SINGLE CRYSTALS OF THE TOPOLOGICAL INSULATOR Bi2Se3 BY THE BRIDGMAN–STOCKBARGER METHOD

The paper presents one of the methods of growing a single crystal of a topological insulator Bi2Se3 with a detailed description of the conditions for the preparation of precursors, as well as the selection of temperatures for its cultivation.Работа выполнена в рамках государственного задания МИНОБРНАУКИ России (тема «Спин» (“Spin”) номер госрегистрации АААА-А18-118020290104-2 и поддержана молодежным проектом ИФМ УрО РАН № м 24-23 «Особенности электронных транспортных свойств монокристалла Bi2Se3 после облучения высокоэнергетическими ионами аргона»

The difficulties and ways to overcome them while working with mobile technologies in training

Modern technologies allow to expand the field of educational classroom and independent activity of students in the conditions of involvement in the process of learning information and telecommunication computer technologies that form the skills of self-organization and self-learning. The article describes that mobile technologies are a new technology in education. A number of problems related to the widespread introduction of mobile devices in education are highlighted, current issues related to mobile learning that are not resolved are noted.Современные технологии позволяют расширить поле учебной аудиторной и самостоятельной деятельности студентов в условиях привлечения к процессу познания информационных и телекоммуникационных компьютерных технологий, формирующих навыки самоорганизации и самообучения. В статье описано, что мобильные технологии являются новой тенденцией в образовании. Выделен ряд проблем, которые связаны с повсеместным внедрением мобильных устройств в образование, отмечены нерешенные актуальные вопросы, связанные с мобильным обучением

Mobile Learning: the Possibility of Expanding the Boundaries of Education

В статье рассматриваются мобильные технологии как новое направление в образовании. Выделен ряд проблем, связанных с широким внедрением мобильных устройств в образование, делается акцент на том, что не решены актуальные вопросы, связанные с мобильным обучением в контексте непрерывного образования.Mobile technologies as a new trend in education are described in the article. A number of problems related to the widespread introduction of mobile devices in education are highlighted. The emphasis is laid on the fact that urgent issues related to mobile learning in the context of lifelong education have not been resolved

THE PROBLEM MODELING AS AN EDUCATIONAL RESOURCE OF PEDAGOGICAL TRAINING OF UNIVERSITY STUDENTS

The essence of problem modeling as an educational resource is substantiated at this article, this approach is interpreted in terms of innovative digital pedagogy, special attention is paid to the actualization of innovative processes in educationВ данной статье обосновывается сущность проблемного моделирования как образовательного ресурса, данный подход интерпретируется в условиях инновационной цифровой педагогики, особое внимание уделяется актуализации инновационных процессов в образовании

Сосудистый доступ и выживаемость пациентов на гемодиализе: особенности причинно-следственной связи

Aim: to analyze features of the causal relationship between the vascular access type at the time of hemodialysis (HD) start and survival rates of patients, taking into account the cause of chronic kidney disease (CKD) and comorbidity.Materials and methods. The retrospective analysis included 604 HD patients divided into three groups: «AVF» (n = 336) patients started and continued HD with AVF; «CVC-AVF» (n = 152) patients started HD with CVC and later successfully converted to AVF; «CVC» (n = 116) patients who started and continued HD with CVC only. Patients with other types of conversions were not included in the analysis. The mean follow-up period since the beginning of HD was 38 [interquartile range 19; 48] months.Results. Unadjusted survival rate after 5 years in the AVF group was 61% [95%CI 51.8; 71.9], that in the CVC-AVF group - 53.9% [95%CI 42.5; 67], and that in the CVC group - 31.6% [95% CI 21.4; 41.4]. Survival rate in the CVC group varied from that in the AVF (p < 0.0001) and CVC-AVF (p < 0.0001) groups. CVC-AVF and CVC groups patients had significantly worse comorbidity than that of AVF group patients. After adjustment for comorbidity, age, sex, and cause of CKD, the survival rate in the groups after 5 years came to the following: 56.7% [95%CI 51.1; 62.8] in the AVF group, 51.7% [95%CI 42.5; 61.7] in the CVC-AVF group, 33.3% [95%CI 24; 42.8] in the CVC group. The results in the AVF group differed significantly from that in the CVC group (p < 0.001), but not from that in the CVC-AVF group (p = 0.425). The results in the CVC-AVF group are also statistically significantly varied from that in the CVC group (p = 0.009). Diabetes mellitus and systemic diseases were important risk factors. In the 5 years’ time period the survival rate of the group of patients with diabetes mellitus within in the AVF group adjusted (for sex, age, cause of CKD and comorbidity) was 38.1% [95% CI 29; 47.1], that in the CVC-AVF group - 29.7% [95% CI 18.9; 41.2] and that in the CVC group - 20.3% [95% CI 11.6; 31.8]. The results in the AVF group statistically significantly differed from that in the CVC group (p = 0.001), and from that in the CVC-AVF group (p = 0.011). The results in the CVC-AVF group are also statistically significantly varied from that in the CVC group (p = 0.021). In the 5 years’ time period the adjusted survival rate within the patients in the AVF group with systemic processes, was 34.2% [95% CI 18.8; 50.3], that in the CVC-AVF group - 23.9% [95% CI 10.5; 40.3], and that in the CVC group - 20.5 % [95% CI 7.3; 38.5]. We did not note statistically significant differences between the groups (p > 0.05 in all cases).Conclusion. The HD beginning with the use of CVC does not increase the risk of death in case of successful conversion to AVF. The use of CVC as the only vascular access is associated with a significant increase in the adjusted risk of death. Within the patients with diabetes mellitus, the use of CVC is associated with a deterioration of the adjusted survival rate even with subsequent successful conversion to functional AVF. Patients with systemic processes (vasculitis, myeloma, HIV-associated nephropathy, renal neoplasms, etc.) have low predicted survival rate disregarding the type of vascular access (there are no significant differences between the types of vascular access). The differences in survival rates are determined not only by the types of vascular access, but also by the comorbid background.Цель: проанализировать особенности причинно-следственной связи типа сосудистого доступа на момент начала гемодиализа (ГД) и выживаемости пациентов с учетом причины хронической болезни почек (ХБП) и коморбидного фона.Материалы и методы. В ретроспективный анализ было включено 604 пациента на программном гемодиализе, которые были разделены на три группы: «АВФ» (n = 336) - пациенты, начавшие и продолжившие ГД с использованием АВФ; «ЦВК-АВФ» (n = 152) - пациенты, начавшие ГД с использованием ЦВК с последующей успешной конверсией на АВФ; «ЦВК» (n = 116) - пациенты, начавшие и продолжившие ГД с использованием ЦВК. Пациенты с иными видами конверсий не включались в анализ. Средний период наблюдения с момента начала ГД составил 38 [интерквартильный размах 19; 48] месяцев.Результаты. Нескорректированная выживаемость через 5 лет в группе «АВФ» была 61% [95% ДИ 51,8; 71,9], в группе «ЦВК-АВФ» - 53,9% [95% ДИ 42,5; 67], в группе «ЦВК» - 31,6% [95% ДИ 21,4; 41,4]. Выживаемость в группе «ЦВК» отличалась от групп «АВФ» (р < 0,0001) и «ЦВК-АВФ» (р < 0,0001). Пациенты групп «ЦВК-АВФ» и «ЦВК» имели значительно худший коморбидный фон, чем больные группы «АВФ». После коррекции на коморбидность, возраст, пол и причину ХБН выживаемость в группах через 5 лет была: в группе «АВФ» - 56,7% [95% ДИ 51,1; 62,8], в группе «ЦВК-АВФ» - 51,7% [95% ДИ 42,5; 61,7], в группе «ЦВК» - 33,3% [95% ДИ 24; 42,8]. Группа «АВФ» статистически значимо отличалась от группы «ЦВК» (р < 0,001), но не группы «ЦВК-АВФ» (р = 0,425). Группа «ЦВК-АВФ» также статистически значимо отличалась от группы «ЦВК» (р = 0,009). Важными факторами риска были сахарный диабет и системные заболевания. У больных сахарным диабетом через 5 лет скорректированная (на пол, возраст, причину ХБП и коморбидность) выживаемость в группе АВФ была 38,1% [95% ДИ 29; 47,1], в группе «ЦВК-АВФ» - 29,7% [95% ДИ 18,9; 41,2], в группе «ЦВК» - 20,3% [95% ДИ 11,6; 31,8]. Группа «АВФ» статистически значимо отличалась от группы «ЦВК» (р = 0,001), а также от группы «ЦВК-АВФ» (р = 0,011). Группа «ЦВК-АВФ» также статистически значимо отличалась от группы «ЦВК» (р = 0,021). У больных с системными процессами через 5 лет скорректированная выживаемость в группе АВФ была 34,2% [95% ДИ 18,8; 50,3], в группе «ЦВК-АВФ» - 23,9% [95% ДИ 10,5; 40,3], в группе «ЦВК» - 20,5% [95% ДИ 7,3; 38,5]. Мы не отметили статистически значимых различий между группами (р > 0,05 во всех случаях).Заключение. Начало ГД с использованием ЦВК не ухудшает прогноз при условии последующей успешной конверсии на АВФ. Использование ЦВК в качестве единственного сосудистого доступа ассоциировано со значительным повышением скорректированного риска смерти. У больных сахарным диабетом использование ЦВК ассоциировано с ухудшением скорректированной выживаемости даже при условии последующей успешной конверсии на функциональную АВФ. У больных с системными процессами (васкулиты, миеломная болезнь, ВИЧ-ассоциированная нефропатия, новобразования почек и др.) отмечается низкая прогнозируемая выживаемость при любых типах сосудистого доступа (значимых различий между типами сосудистого доступа нет). Различия в выживаемости детерминированы не только типом сосудистого доступа, но и во многом коморбидным фоном

Electronic Structure and Transport Properties of Bi2Te3 and Bi2Se3 Single Crystals

The electrical resistivity and the Hall effect of topological insulator Bi2Te3 and Bi2Se3 single crystals were studied in the temperature range from 4.2 to 300 K and in magnetic fields up to 10 T. Theoretical calculations of the electronic structure of these compounds were carried out in density functional approach, taking into account spin–orbit coupling and crystal structure data for temperatures of 5, 50 and 300 K. A clear correlation was found between the density of electronic states at the Fermi level and the current carrier concentration. In the case of Bi2Te3, the density of states at the Fermi level and the current carrier concentration increase with increasing temperature, from 0.296 states eV−1 cell−1 (5 K) to 0.307 states eV−1 cell−1 (300 K) and from 0.9 × 1019 cm−3 (5 K) to 2.6 × 1019 cm−3 (300 K), respectively. On the contrary, in the case of Bi2Se3, the density of states decreases with increasing temperature, from 0.201 states eV−1 cell−1 (5 K) to 0.198 states eV−1 cell−1 (300 K), and, as a consequence, the charge carrier concentration also decreases from 2.94 × 1019 cm−3 (5 K) to 2.81 × 1019 cm−3 (300 K). © 2023 by the authors.Ministry of Education and Science of the Russian Federation, Minobrnauka: 122021000036-3, 122021000039-4; Russian Science Foundation, RSF: 22-42-02021This research was supported by Russian Science Foundation (project No. 22-42-02021) for the experimental and theoretical studies in Section 1, Section 2, Section 3.1 and Section 3.2 ; the analysis of current carrier concentration (Section 3.3) was done within the state assignment of Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (themes «Spin», № 122021000036-3 and «Electron», № 122021000039-4)