Determination of structural homogeneity of synthetic diamonds from analysis of Kikuchi lines intensity distribution

It has been suggested the technique based on analysis of geometry and intensity distribution profiles in Kikuchi patterns obtained due to electron backscattering diffraction for defining structural imperfection of diamond crystals. To determine the geometry parameters in Kikuchi patterns with the maximal precision, the special software was developed. It has been shown that application of electron diffraction (Kikuchi method) allows to obtain information about degree of perfection and homogeneity of real structure for diamond crystals synthesized with various methods

Методичні рекомендації

Методичні рекомендації щодо організації роботи із запобігання корупції юридичних осіб, що належать до сфери управління МВС / [Фодчук А. Б., Романюк П. І., Бортник С. М. та інш.]; МВС України, Харків. нац. ун-т внутр. справ. - Київ : Держ. підприємство “ІНФОТЕХ”, 2019. - 90 с.Методичні рекомендації щодо організації роботи із запобігання корупції юридичних осіб, що належать до сфери управління МВС, підготовлено Міністерством внутрішніх справ України спільно з Харківським національним університетом внутрішніх справ з метою дієвого впровадження превентивних інструментів зі здійснення в межах повноважень заходів щодо запобігання і протидії корупції в закладах, установах і на підприємствах, що належать до сфери управління МВС.Methodological recommendations on the organization of work to prevent corruption of legal entities belonging to the Ministry of Internal Affairs are prepared by the Ministry of Internal Affairs of Ukraine together with the Kharkov National University of Internal Affairs with the aim of the effective implementation of preventive tools for the implementation within the powers of measures to prevent and combat corruption in institutions and organizations and at enterprises related to the management of the Ministry of Internal Affairs.Методические рекомендации по организации работы по предотвращению коррупции юридических лиц, принадлежащих к сфере управления МВД, подготовлены Министерством внутренних дел Украины совместно с Харьковским национальным университетом внутренних дел с целью эффективного внедрения превентивных инструментов по осуществлению в пределах полномочий мероприятий по предотвращению и противодействию коррупции в учреждениях, организациях и на предприятиях, относящихся к сфере управления МВД

Metrological characteristics of the Tensor-28 luminance meter

The paper presents research results on metrological characteristics of the luminance meter "Tensor-28", designed to measure average screen brightness of picture tubes and other self-luminous surfaces

Лазерна модифікація морфології та дефектної структури гетероструктур на основі кристалів CdTe детекторного класу

Процеси лазерного маніпулювання дефектно-домішковою системою та лазерної трансформації морфології кристала дозволили підвищити детектуючі властивості структур на основі CdTe з бар’єром Шотткі. Методом рентгенівської дифрактометрії високої роздільної здатності оцінено структурну досконалість монокристалів CdTe:Cl. Ефективність контакту залежить як від матеріалу електрода, так і від обробки поверхні кристала CdTe перед його осадженням, крім того, характеристики сформованого інтерфейсу електрод-напівпровідник можуть бути змінені різними обробками. Опромінення поверхні кристалів CdTe або структур метал-CdTe лазерними імпульсами призводило до зміни морфології поверхні напівпровідника, утворення та перерозподілу дефектів в області поверхні та модифікації характеристик цієї області або межі розділу. Досліджено вплив лазерної обробки на структуру домішкових дефектів та електричні характеристики рентгенівських/γ-детекторів на діодах Шотткі, розроблених шляхом осадження Ni та NiO на комерційно доступні пластини CdTe:Cl. Методами атомносилової та скануючої електронної мікроскопії досліджено особливості тонких плівок Ni та NiO до та після лазерного опромінення. Обговорюється вплив імпульсного лазерного опромінення на контакти Ni/CdTe і NiO/CdTe та механізми трансформації їх фазового стану оскільки така обробка цих контактів Шотткі призвела до оптимізації електричних характеристик. Показано, що лазерна обробка гетеропереходів, як підкладки CdTe, так і плівки Ni та NiO, може навмисно змінити електричні властивості та підвищити чутливість Ni/p-CdTe/Au/Cu та NiO/p-CdTe/Au/Cu детекторів. Також обговорюється вплив лазерної обробки на структурні та спектроскопічні властивості рентгенівських/γ-детекторів на діодах Шотткі на основі CdTe.The processes of laser manipulation of the defect-impurity system and laser transformation of the crystal morphology made it possible to increase the detection properties of CdTe-based structures with a Schottky barrier. The structural perfection of CdTe:Cl single crystals was assessed using high-resolution X-ray diffractometry. The contact efficiency depends both on the electrode material and the surface treatment of the CdTe crystal before its deposition, in addition, the characteristics of the formed electrodesemiconductor interface can be changed by various treatments. Irradiation of the surface of CdTe crystals or metal-CdTe structures with laser pulses led to a change in the morphology of the semiconductor surface, the formation and redistribution of defects in the surface region and modification of the characteristics of this region or interface. The effect of laser processing on the structure of impurity defects and electrical characteristics of X-ray/γ-detectors on Schottky diodes, developed by deposition of Ni and NiO on commercially available CdTe:Cl wafers, was studied. Using the methods of atomic force and scanning electron microscopy, the features of Ni and NiO thin films before and after laser irradiation were investigated. The effect of pulsed laser irradiation on Ni/CdTe and NiO/CdTe contacts and the mechanisms of transformation of their phase state has not been investigated; however, such processing of these Schottky contacts led to optimization of their electrical characteristics. It is shown that laser treatment of heterojunctions, both CdTe substrates and Ni and NiO films, can intentionally change the electrical properties and increase the sensitivity of Ni/p-CdTe/Au/Cu and NiO/p-CdTe/Au/Cu detectors. The effect of laser processing on the electrical and spectroscopic properties of CdTe-based Schottky diode X-ray/γ detectors is also discussed

UV irradiance radiometers calibration procedure

The paper deals with the problems arising at calibration of narrow-band spectral-sensitive radiometers. The procedure of irradiance unit transfer to UV radiometers — UV radiometers calibration procedure — is presented