Analyzing Representations and Discourse

International audienc

Health‐related quality of life during pregnancy: A repeated measures study of changes from the first trimester to birth

International audienceIntroduction The objective was to evaluate the quality of life of pregnant women with a full‐term birth from ctthe first trimester to the 9th month using the EQ 5D‐3L questionnaire, comparing physiological, simple pathological, or complex pathological pregnancies. Material and methods A prospective cohort of 500 pregnant women over the age of 18 was monitored between 2015 and 2017 at the Toulouse University Hospital (France). The data were collected monthly with an online report. Given that the decrease in quality of life was not linear during pregnancy, unadjusted and adjusted piecewise linear regression models were performed, considering 3 periods of time during pregnancy: 3‐4, 4‐8, and 8‐9 months. The 5 dimensions of the EQ 5D‐Index and perceived health status were also analyzed. Results In total, 1847 questionnaires were collected. Between the 4th and 8th months, the quality of life was lower for pathological pregnancies ( P < 0.001) than for physiological ones and decreased over time for each type of pregnancy (physiological: −0.08 points per month, P < 0.001; simple pathological: −0.12 points per month, P < 0.001; complex pathological: −0.11 points per month, P < 0.001). Interestingly, the perceived health status was lower at the 9th month than at the 3rd month of pregnancy, for physiological pregnancies (mean difference = −10.5 points, P < 0.001), pathological pregnancies (mean difference = −10.0 points, P < 0.002), and for complex pathological pregnancies (mean difference = −7.8 points, P = 0.058). Conclusions In our population, the quality of life decreased between the 4th and 8th months, and decreased to a greater degree in a pathological pregnancy

Les composants de puissance : état de l'art, les évolutions

International audienceLes exigences toujours plus grandes des utilisateurs de composants de puissance entraînent la recherche des meilleurs compromis pour des structures en silicium. Les limites de ce matériau amènent le développement de composants dans d'autres matériaux tels que le carbure de silicium. Les progrès réalisés en microélectronique permettent d'intégrer des fonctions de plus en plus complexes avec les composants de puissance et les fabricants de semiconducteurs fournissent aujourd'hui des fonctions intégrées. Enfin la conception des systémes de puissance exige le développement de modèles multi-domaines (électrique, thermique, mécanique) pour les composants et les systèmes. Cet article, après une présentation des généralités sur les composants de puissance mettant en évidence la nécessité des compromis, donne un aperçu de l'état de l'art des composants en silicium avant d'aborder les nouveaux matériaux et l'intégration des systèmes. Il se termine par une brève description des méthodes de modèlisation et de simulation des circuits électroniques de puissance. ABSTRACT. The always-stronger demands of power device users impose the search for better trade-offs regarding silicon device structures. The limitations of silicon lead to the development of devices with other materials like silicon carbide. The improvements in microelectronics enable to integrate more and more complex functions along with power parts and semiconductor device manufacturers already offer such integrated systems. Finally, the design of power electronic systems demands the development of multi-domain models (electrical, thermal, magnetic) for components and systems. The present paper covers generalists of power semiconductor devices enlightening the necessity of new trade-offs. Then the paper discusses a state-of-the art of silicon devices, new materials and system integrations. Finally, it is covered briefly the modeling method and simulation techniques of power electronic circuit. MOTS-CLES : composants de puissance à semiconducteur, silicium, carbure de silicium,circuits intégrés de puissance, modélisation, simulation, modèles moyens, électronique de puissance

Les composants de puissance : état de l'art, les évolutions

International audienceLes exigences toujours plus grandes des utilisateurs de composants de puissance entraînent la recherche des meilleurs compromis pour des structures en silicium. Les limites de ce matériau amènent le développement de composants dans d'autres matériaux tels que le carbure de silicium. Les progrès réalisés en microélectronique permettent d'intégrer des fonctions de plus en plus complexes avec les composants de puissance et les fabricants de semiconducteurs fournissent aujourd'hui des fonctions intégrées. Enfin la conception des systémes de puissance exige le développement de modèles multi-domaines (électrique, thermique, mécanique) pour les composants et les systèmes. Cet article, après une présentation des généralités sur les composants de puissance mettant en évidence la nécessité des compromis, donne un aperçu de l'état de l'art des composants en silicium avant d'aborder les nouveaux matériaux et l'intégration des systèmes. Il se termine par une brève description des méthodes de modèlisation et de simulation des circuits électroniques de puissance. ABSTRACT. The always-stronger demands of power device users impose the search for better trade-offs regarding silicon device structures. The limitations of silicon lead to the development of devices with other materials like silicon carbide. The improvements in microelectronics enable to integrate more and more complex functions along with power parts and semiconductor device manufacturers already offer such integrated systems. Finally, the design of power electronic systems demands the development of multi-domain models (electrical, thermal, magnetic) for components and systems. The present paper covers generalists of power semiconductor devices enlightening the necessity of new trade-offs. Then the paper discusses a state-of-the art of silicon devices, new materials and system integrations. Finally, it is covered briefly the modeling method and simulation techniques of power electronic circuit. MOTS-CLES : composants de puissance à semiconducteur, silicium, carbure de silicium,circuits intégrés de puissance, modélisation, simulation, modèles moyens, électronique de puissance