Charakteryzacja struktur grafenowych na podłożach stałych metodami spektroskopowymi

W pracy przedstawiono wykorzystanie spektroskopii ramanowskiej (mikroskopii ramanowskiej) jako użytecznego narzędzia badawczo-diagnostycznego wykorzystywanego do oceny jakości warstw grafenowych osadzanych na różnego rodzaju podłożach takich jak: SiC, SiO2, szkło, miedź oraz PET. Spektroskopia Ramana jest podstawową metodą eksperymentalną wykorzystywaną do oceny jakości grafenu, jego ciągłości, czy też zdefektowania. W prezentowanej pracy opisano wykorzystanie zmodyfikowanej techniki pomiarów ramanowskich z użyciem pomiarów konfokalnych. Zmodyfikowana technika pozwala na precyzyjny pomiar i uzyskanie dobrej jakości widma ramanowskiego (wysoki stosunek sygnału do szumu) pozwalającego na dokładne i jednoznaczne określenie jaką ilość warstw grafenowych posiada analizowana struktura. Dodatkowo przedstawiono technikę mapowania ramanowskiego wykorzystaną w celu charakteryzacji powierzchni grafenu. Tego typu metoda badawcza pozwala na analizę powierzchni struktury grafenowej w celu zbadania jej jednorodności, określenie potencjalnych defektów, badanie lokalnych zmian związanych z przekrywaniem się struktur mono lub dwuwarstwowych, czy też analizę naprężeń powstających w wyniku oddziaływania grafenu z podłożem, czy też, jak w przypadku elastycznego podłoża PET jego odkształceniom mechanicznym. Zobrazowano również zmiany parametrów warstw grafenowych pod wpływem temperatury w zależności od rodzaju zastosowanego podłoża, na którym osadzono grafen. Badania zostały przeprowadzone na komercyjnych strukturach grafenowych o deklarowanych przez producenta grafenu parametrach określających je jako monowarstwy

Badanie jakościowe materiałów węglowych za pomocą spektroskopii Ramana

Praca ta prezentuje możliwość zastosowania spektroskopii Ramana do badań jakościowych materiałów węglowych typu DLC (diamond-like carbon). Badania zmiany parametrów spektralnych pasm charakterystycznych D i G w zakresie od temperatury pokojowej do 300°C umożliwiły obserwację wpływu procesu wygrzewania na przechodzenie materiału z formy węgla amorficznego do formy zbliżonej do nanokrystalicznego grafitu

Orientation Dependence of Cathodoluminescence and Photoluminescence Spectroscopy of Defects in Chemical-Vapor-Deposited Diamond Microcrystal

Point defects, impurities, and defect–impurity complexes in diamond microcrystals were studied with the cathodoluminescence (CL) spectroscopy in the scanning electron microscope, photoluminescence (PL), and Raman spectroscopy (RS). Such defects can influence the directions that microcrystals are grown. Micro-diamonds were obtained by a hot-filament chemical vapor deposition (HF CVD) technique from the methane–hydrogen gas mixture. The CL spectra of diamond microcrystals taken from (100) and (111) crystallographic planes were compared to the CL spectrum of a (100) oriented Element Six diamond monocrystal. The following color centers were identified: 2.52, 2.156, 2.055 eV attributed to a nitrogen–vacancy complex and a violet-emitting center (A-band) observed at 2.82 eV associated with dislocation line defects, whose atomic structure is still under discussion. The Raman studies showed that the planes (111) are more defective in comparison to (100) planes. What is reflected in the CL spectra as (111) shows a strong band in the UV region (2.815 eV) which is not observed in the case of the (100) plane

The Hydrogenation Impact on Electronic Properties of p-Diamond/n-Si Heterojunctions

The undoped polycrystalline diamond films (PDFs) have been deposited on n-type silicon (Si) by Hot Filament Chemical Vapor Deposition (HF CVD) technique. The reaction gases are a mixture of methane and hydrogen. The obtained PDFs were characterized by scanning electron microscopy (SEM) and Raman spectroscopy which, in addition to the diamond phase, also confirms the presence of sp2 hybridized carbon bonds. As-grown CVD diamond layers are hydrogen terminated and show p-type conductivity. The effect of the level of hydrogenation on the electrical properties of p-diamond/n-Si heterojunctions has been investigated by temperature dependent current–voltage (J-V/T) characteristics. The obtained results suggest that the energy distribution of interface states at the grain boundary (GB) subjected to hydrogenation becomes shallower, and the hole capture cross-section can be reduced. Hydrogenation can lead to a significant reduction of the GB potential barrier. These results can be interesting from the point of view of hydrogen passivation of GBs in microelectronics

The Barrier’s Heights and Its Inhomogeneities on Diamond Silicon Interfaces

In this work, the electrical parameters of the polycrystalline diamonds’ p-PCD/n-Si heterojunction were investigated using temperature-dependent current–voltage (I-V) characteristics. In the temperature range of 80–280 K, the ideality factor (n) and energy barrier height (φb) were found to be strongly temperature dependent. The φb increases with temperature rise, while the n value decreases. The observed dependencies are due to imperfections at the interface region of a heterojunction and the non-homogeneous distribution of the potential barrier heights. Values of the φb were calculated from I-V characteristics using the thermionic emission theory (TE). The plot of φb versus 1/2 kT revealed two distinct linear regions with different slopes in temperature regions of 80–170 K and 170–280 K. This indicates the existence of a double Gaussian distribution (DGD) in heterojunctions. Parameters such as mean barrier heights φ¯b and standard deviations σ were obtained from the plots linearization and read out from intercepts and slopes. They take values φ¯b = 1.06 eV, σ = 0.43 eV, respectively. The modified Richardson plot is drawn to show the linear behavior in these two temperature ranges, disclosing different values of the effective Richardson constants (A*)