WiNoCoD : Un réseau d'interconnexion hiérarchique RF pour les MPSoC

International audienceLa multiplication du nombre de cœurs de calcul présents sur les puces va de pair avec une augmentation des besoins en communication. C'est pour palier à ce problème que nous présentons dans cette article un réseau d'interconnexion sur puce utilisant la RF. Nous présentons les raisons du choix de la RF par rapport aux autres nouvelles technologies du domaine que sont l'optique et la 3D, l'architecture détaillée de ce réseau et d'une puce le mettant en œuvre ainsi que l'évaluation de sa faisabilité et de ses performances. Un des avantages potentiels de ce réseau d'interconnexion RF est la possibilité de faire du broadcast à faible coût, ce qui ouvre de nouvelles perspectives notamment en terme de gestion de la cohérence mémoire

Développement d'un logiciel d'assistance à la conception des circuits non linéaires microondes (Application à l'amplification distribuée non uniforme de puissance à très large bande en technologie MMIC)

Le thème essentiel de cette thèse concerne l'étude des différentes méthodologies et critères de conception d'amplificateur de puissance non linéaires aux fréquences microondes.Les travaux présentés dans ce manuscrit sont divisés en deux parties : -Réalisation d'un amplificateur distribué de puissance en technologie MMIC délivrant 1W sur la bande de fréquence 4-18GHz pour contre mesures avioniques.En collaboration avec Thalès Microwave, une topologie originale d'amplificateur distribué de puissance a été réalisée afin d"évaluer le potentiel de la filière pHEMT de la fonderie Trinquint Semiconductor Texas pour l'amplification de puissance en large bande.La conception de cet amplificateur a permis de concevoir une nouvelle topologie d'amplificateur distribué de puissance, dite non uniforme ( constitué de transistors de développement différent) et de développer les méthodologies d'optimisation propres à ce types de circuit. -Création d'un assistant d' aide à la conception d'amplificateurs de puissance microondes et millimétriques.Dans le cadre d'un programme de recherche en collaboration avec le CNES,un assistant d'aide à la conception des circuits non linéaires microondes a été développé.L'objectif est de mettre à la disposition des concepteurs, un outil informatique à même de les guider efficacement dans leurs démarches de conception et de leur faciliter l'implémentation de méthodes adaptées afin de leur permettre de passer de plus en plus de temps sur les problèmes de conception et le développement de solutiosn innovantes.LIMOGES-BU Sciences (870852109) / SudocSudocFranceF

Two octave phemt power amplifiers for Electronic Warfare applications

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Ageing of GaN HEMT devices: which degradation indicators?

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Chap. 2 Power Amplification

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Effects of drain quiescent voltage on the ageing of AlGaN/GaN HEMT devices in pulsed RF mode

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Caractérisation de la diode d'un transistor HEMT en GaN sous illumination UV

International audienceLa technologie HEMT (High Electron Mobility Transistor) en Nitrure de Gallium est prometteuse pour le fonctionnement radiofréquence. Cependant, le manque de retour d'expérience sur cette technologie récente pose des questions sur sa fiabilité. La caractérisation de la grille (diode Schottky) de ce type de transistors permet de mettre en évidence d'éventuelles modifications physiques de grille au cours de son vieillissement. Cependant, les phénomènes de piégeage viennent perturber ces caractérisations. Des analyses avec et sans éclairage UV permettent de dissocier le comportement de la diode de celui des pièges situés au voisinage de la grille. Plusieurs caractéristiques IV de diodes sur ce type de composants sont donc mesurées sous différentes conditions d'éclairage et de température, de manière à obtenir des informations sur l'impact des phénomènes de piégeage observables sur ce type de jonctions

Electrical and Physical Analysis of Thermal Degradations of AlGaN/GaN HEMT Under Radar-Type Operating Life

International audienceFailure mechanisms in AlGaN/GaN HEMT RF power amplifiers implemented on silicon substrate and envisaging radar operating conditions are investigated in this paper. Several power amplifier prototypes have been designed, fabricated, characterized, and tested. Ageing tests were performed in conditions as close as possible to real applications. Ageing under increased drain voltage allowed studying both thermal and electrical aspects. Characterization performed before and after ageing tests proved that ageing process is mainly due to thermal stress for the irreversible part and to trapping effects for the reversible one, respectively. This was confirmed by additional physical analysis, the results revealing strong changes of the Schottky contact. Photon emission microscopy associated with X radiography gives spatial correlation between gate degradation and evolution of the brazing interface between the transistor chip and its packaging. It also illustrates the appearance of overheating points and acceleration of the Schottky contact degradation

Caractérisation de la diode d'un transistor HEMT en GaN sous illumination UV

International audienceLa technologie HEMT (High Electron Mobility Transistor) en Nitrure de Gallium est prometteuse pour le fonctionnement radiofréquence. Cependant, le manque de retour d'expérience sur cette technologie récente pose des questions sur sa fiabilité. La caractérisation de la grille (diode Schottky) de ce type de transistors permet de mettre en évidence d'éventuelles modifications physiques de grille au cours de son vieillissement. Cependant, les phénomènes de piégeage viennent perturber ces caractérisations. Des analyses avec et sans éclairage UV permettent de dissocier le comportement de la diode de celui des pièges situés au voisinage de la grille. Plusieurs caractéristiques IV de diodes sur ce type de composants sont donc mesurées sous différentes conditions d'éclairage et de température, de manière à obtenir des informations sur l'impact des phénomènes de piégeage observables sur ce type de jonctions

Effects of drain quiescent voltage on the ageing of AlGaN/GaN HEMT devices in pulsed RF mode

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