Stabilization of the cubic phase of HfO2 by Y addition in films grown by metal organic chemical vapor deposition

Addition of yttrium in HfO2 thin films prepared on silicon by metal organic chemical vapor deposition is investigated in a wide compositional range (2.0-99.5 at. %). The cubic structure of HfO2 is stabilized for 6.5 at. %. The permittivity is maximum for yttrium content of 6.5-10 at. %; in this range, the effective permittivity, which results from the contribution of both the cubic phase and silicate phase, is of 22. These films exhibit low leakage current density (5x10(-7) A/cm(2) at -1 V for a 6.4 nm film). The cubic phase is stable upon postdeposition high temperature annealing at 900 degrees C under NH3. (c) 2006 American Institute of Physics

Flat-band voltage and structural properties of Hafnium Dioxide grown by liquid-injection MOCVD

International audienc

Mécanismes de dérive du courant d'obscurité sur des photodiodes GaInAs/InP planar passivées par SiNx

Deux phénomènes de dérives du courant d'obscurité sous polarisation inverse fixe sont observés sur des photodiodes PIN GaInAs/InP passivées par nitrure de silicium : 1) à température ambiante, apparaît une augmentation du courant en fonction du temps ; 2) à basse température (T < 200 K), une diminution de celui-ci. Ces dérives, entraînant des phénomènes d'hystérésis dans les caractéristiques inverses courant-tension, sont associées à des effets de surface, dus à la technique de passivation

Selective photocurrent generation in HfO2 and carbon nanotube hybrid nanocomposites under Ultra-Violet and visible photoexcitations

International audienceWe report on the photocurrent generation in HfO2-carbon nanotube (CNT) nanocomposites under Ultra-Violet (UV) and visible excitations at zero bias. Cubic phase HfO2 nanoparticles have been combined with multi-walled carbon nanotubes in this work. The cubic phase of HfO2 has been stabilized by oxygen vacancies which act as luminescent band gap states. In a broad UV-visible range of below band gap photoexcitation, a photocurrent is generated which was found to be most efficient under UV illumination. We discuss the possible mechanism in terms of a CNT assisted charge transfer involving optically active surface states of the HfO2 nanoparticles. The abrupt generation and relaxation responses of the photocurrent on/off cycles along with a constant steady state current as high as 200nA for 1mg of the nanocomposite, has potential in energy harvesting and other applications requiring stable charge retention

Mécanismes de dérive du courant d'obscurité sur des photodiodes GaInAs/InP planar passivées par SiNx

For fixed reverse bias voltage, two dark current drift phenomena are observed in GaInAs/InP PIN photodiodes, passivated by silicon nitride : 1) at room temperature, a current increase occurs in time ; 2) at low temperature ( T < 200 K), a current decrease appears. These drifts, which lead to hysteresis in reverse current-voltage characteristics are attributed to surface effects, due to passivation technique.Deux phénomènes de dérives du courant d'obscurité sous polarisation inverse fixe sont observés sur des photodiodes PIN GaInAs/InP passivées par nitrure de silicium : 1) à température ambiante, apparaît une augmentation du courant en fonction du temps ; 2) à basse température (T < 200 K), une diminution de celui-ci. Ces dérives, entraînant des phénomènes d'hystérésis dans les caractéristiques inverses courant-tension, sont associées à des effets de surface, dus à la technique de passivation

Dielectric properties, electronic conductivity and Li+ion motion in LiPON thin films

International audienceVol. 253, pp. doi: (Dec. 2013