36 research outputs found

    Measuring the Mermin-Peres magic square using an online quantum computer

    Full text link
    We have implemented the six series of three commuting measurement of the Mermin-Peres magic square on an online, five qubit, quantum computer. The magic square tests if the measurements of the system can be described by physical realism (in the EPR sense) and simultaneously are non-contextual. We find that our measurement results violate any realistic and non-contextual model by almost 28 standard deviations. We also find that although the quantum computer we used for the measurements leaves much to be desired in producing accurate and reproducible results, the simplicity, the ease of re-running the measurement programs, and the user friendliness compensates for this fact.Comment: 7 pages, 2 figures, 5 table

    Study of drinking water activity towards the formation organoferric complexes

    Get PDF
    The article considers one of the methods of the study of drinking water activity towards the formation of organoferric complexes that helps to solve the problem of asiderotic anemia

    ИсслСдованиС ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ элСктропроводности ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Ρ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ€Π° асинхронных Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ статистичСским ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ планирования экспСримСнта

    Get PDF
    РассматриваСтся влияниС Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΈ химсостава алюминия ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π»ΠΈΠ²ΠΊΠ΅, Π΄Π»ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ суммарного ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ сСчСния ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ² Ρ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π½Π° ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ алюминия ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Ρ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² асинхронных Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ. Π’ качСствС ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π° исслСдования Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½ ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ-статистичСский. БоставлСн Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€ΠΎΡ‚Π°Ρ‚Π°Π±Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΡƒΠ½ΠΈΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠΏΠ»Π°Π½ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ порядка. Для Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠ»Π°Π½Π° ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΎ 116 ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ сСрий АО ΠΈ АО2. УдСльная ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΠ»Π°ΡΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ИЭ-1 Π½Π° вСнтиляционных ΠΊΡ€Ρ‹Π»ΡŒΡΡ…, ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ»ΡŒΡ†Π°Ρ… ΠΈ Π½Π° ΠΈΠ·Π²Π»Π΅Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ· Ρ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² стСрТнях ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ. ВсСго ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ 4292 Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ€Π°. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ статистичСской ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ уравнСния рСгрСссии Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠ½ΠΎΠΌΠΎΠ² Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ порядка ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ для ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ»Π΅Ρ† ΠΈ стСрТнСй ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ. ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ Π½Π° Π°Π΄Π΅ΠΊΠ²Π°Ρ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ F-ΠΊΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΡŽ Π€ΠΈΡˆΠ΅Ρ€Π° ΠΈ коэффициСнтов ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ Π½Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ ΠΊΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΡŽ Π‘Ρ‚ΡŠΡŽΠ΄Π΅Π½Ρ‚Π°. УравнСния рСгрСссии ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΡƒΡ‡Π΅ΡΡ‚ΡŒ тСхнологичСскиС ΠΈ конструктивно-тСхнологичСскиС Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ асинхронных Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… исслСдованным, ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ расчСта ΠΈΡ… характСристик

    Π‘ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ сооруТСния ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π³ΠΎΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ-Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ бурСния

    Get PDF
    ЦСль Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ – Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΉ ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠΈ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π³ΠΎΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ-Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ бурСния с ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ устройства. Π’ процСссС исслСдования ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ характСристика ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π±Π΅ΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΡˆΠ΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠΈ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ², расчСт основных характСристик ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ устройства, исслСдованиС напряТСнно-Π΄Π΅Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ состояния Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ-элСмСнтного модСлирования Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠΌ комплСксС Ansys. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ исслСдования ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Π½Ρ‹ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ-элСмСнтного модСлирования Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠΌ комплСксС Ansys ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΎ напряТСнно-Π΄Π΅Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ½ состояниС Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° с Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ устройством ΠΈ Π±Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ.The purpose of the work is to develop recommendations for the application of pipeline laying technology by the method of horizontal directional drilling using a protective device. In the process of the research, the existing methods of trenchless pipeline laying, the calculation of the main characteristics of the underwater crossing, the selection of the protective device, the study of the stress-strain state of the pipeline using finite element modeling in the software complex Ansys were compared. As a result of the research, optimal parameters of the underwater transition were selected, the finite element method in the software complex Ansys determined the stress-strain state of the pipeline with the protective device and without it

    Алгоритм Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€ΠΊΠΎΠ½Π½Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ распрСдСлСнной Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ Π΅Π΅ интСграция Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ энСргосистСмы

    Get PDF
    Π’ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ прСдставлСн Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€ΠΊΠΎΠ½Π½Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ распрСдСлСнной Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ поставлСнных ΠΊΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ΅Π². РассмотрСны основныС Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹, Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π½Π° Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ энСргосистСмы Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€ΠΊΠΎΠ½Π½Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ источников распрСдСлСнной Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ

    Backgating high-current and breakdown characterisation of AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrates

    No full text
    Backgating effect as well as breakdown and high-current performance of AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrates are studied. The material structure of investigated devices differ in the thickness of stressrelaxing intermediate layer sequence (~1 ΞΌm and ~2.5 ΞΌm thick). It is shown that the transistor backgating effect is reduced for the thicker sequence. Similarly, the reverse gate current is two orders of the magnitude lower and the gate-drain breakdown voltage increases substantially in devices with the thicker sequence. Increase from ~40 V to ~160 V of the HEMT blocking capability measured under electrostatic discharge-like conditions is also observed
    corecore