Optical properties of large area WS2 grown by chemical vapor deposition

Transition metal dichalcogenides (TMDs) have attracted great attention for fundamental physics and possible application as optoelectronic devices [1-5]. Monolayers of TMDs are direct gap semiconductors with optical transition in inequivalent at K and K´ valleys and distinct optical selection rules due to the combination of spin-orbit interaction and broken inversion symmetry. As a consequence, optical excitation with circularly polarized light results in circularly polarized emission. Actually, recent studies for TMDs have evidenced important valley polarization degree and large excitonics effects as well particularly at lower temperatures [1-5]. In this work, we have investigated optical properties from large are a monolayers of WS2 on 295nm SiO2/Si grown by Van der Waals Epitaxy Chemical Vapor Deposition. Particularly , we have investigated polarization resolved photoluminescence (PL ) spectra for different light excitation intensities and temperatures using a 532 nm solid state laser. The s + and s - light excitation and detection were obtained using appropriate quarter wave plates and linear polarizers. At lower temperatures, we have observed different PL peaks for the WS2 monolayer. The temperature and laser power dependence of PL spectra evidences that the observed peaks are associated to neutral (X), charged excitons (X- ) and biexcitons (XX). Therefore, our results reveal important many -body interactions in atomically thin WS2 semiconductor

Revealing the nature of low temperature photoluminescence peaks by laser treatment in van der Waals epitaxially grown WS2 monolayers

Monolayers of transition metal dichalcogenides (TMD) are promising materials for optoelectronics devices. However, one of the challenges is to fabricate large-scale growth of high quality TMD monolayers with the desired properties in order to expand their use in potential applications. Here, we demonstrate large-scale tungsten disulfide (WS2) monolayers grown by van der Waals Epitaxy (VdWE). We show that, in addition to the large structural uniformity and homogeneity of these samples, their optical properties are very sensitive to laser irradiation. We observe a time instability in the photoluminescence (PL) emission at low temperatures in the scale of seconds to minutes. Interestingly, this change of the PL spectra with time, which is due to laser induced carrier doping, is employed to successfully distinguish the emission of two negatively charged bright excitons. Furthermore, we also detect blinking sharp bound exciton emissions which are usually attractive for single photon sources. Our findings contribute to a deeper understanding of this complex carrier dynamics induced by laser irradiation which is very important for future optoelectronic devices based on large scale TMD monolayers

Revealing the nature of low temperature photoluminescence peaks by laser treatment in van der Waals epitaxially grown WS2 monolayers

Monolayers of transition metal dichalcogenides (TMD) are promising materials for optoelectronics devices. However, one of the challenges is to fabricate large-scale growth of high quality TMD monolayers with the desired properties in order to expand their use in potential applications. Here, we demonstrate large-scale tungsten disulfide (WS2) monolayers grown by van der Waals Epitaxy (VdWE). We show that, in addition to the large structural uniformity and homogeneity of these samples, their optical properties are very sensitive to laser irradiation. We observe a time instability in the photoluminescence (PL) emission at low temperatures in the scale of seconds to minutes. Interestingly, this change of the PL spectra with time, which is due to laser induced carrier doping, is employed to successfully distinguish the emission of two negatively charged bright excitons. Furthermore, we also detect blinking sharp bound exciton emissions which are usually attractive for single photon sources. Our findings contribute to a deeper understanding of this complex carrier dynamics induced by laser irradiation which is very important for future optoelectronic devices based on large scale TMD monolayers

Da letargia ao realento: notas sobre o ensino de graduação em administração pública no Brasil no entremeio da crise do Estado e da redemocratização no país (1983-94)

Considerando o entremeio da crise do Estado e da redemocratização no Brasil, este artigo volta-se para uma descrição e análise dos fatos e circunstâncias que marcaram o ensino de graduação em administração pública no Brasil no período 1983-94, considerado pelos autores como um dos ciclos (ou estágios de construção) desta formação acadêmica. Metodologicamente, o artigo faz a revisão bibliográfica daquelas obras que abordam direta e indiretamente o tema, incluindo a revisita de suas fontes; analisa as leis e pareceres existentes sobre o ensino de graduação em administração pública nesse intervalo de tempo, bem como utiliza-se de algumas entrevistas semiestruturadas com acadêmicos que vivenciaram tal período. No que se refere aos resultados, observa-se que o período 1983-94, diferentemente do 1ºciclo (1952-65) e do 2ºciclo (1966-82), quando a formação acadêmica em administração pública tinha uma identidade - aderente à concepção (e ao projeto) de Estado e aos contornos (e à produção) do campo do saber da administração pública -, tendo na Ebap/FGV um case modelar, foi um estágio de construção problemático, refletindo a crise do Estado dos anos 1980 e, igualmente, a crise (ou descontinuidade) paradigmática do campo do saber em administração pública no Brasil em tal época

A história do ensino em administração: contribuições teórico-metodológicas e uma proposta de agenda de pesquisa

O debate sobre a importância do campo da história na área de administração ficou restrito, principalmente, aos estudos ligados à história dos negócios ou empresariais, à história da gestão e à história organizacional (Costa, Barros e Martins, 2009). No sentido de ampliá-lo, este artigo apresenta a historiografia do ensino e propõe quatro níveis de pesquisa sobre a história do ensino de administração: a) a vida dos mestres (professores) que construíram campos temáticos, formas de ensinar e instituições; b) os legados de ensino dos programas; c) a história das disciplinas escolares; e, d) a história das instituições de ensino. Além disso, revela as possibilidades teóricometodológicas da historiografia da educação para, desta forma, propor uma agenda de ações no sentido de institucionalizar o subcampo de história do ensino de administração no campo da história da administração. Finalmente, conclui-se com a proposta de se ensinar a história do ensino de administração no Brasil, disciplina que é praticamente inexistente nos currículos da área, mais particularmente, esse tema pode ser um componente curricular de disciplinas ou atividades que se propõem a formar mestres e doutores