All-optical mitigation of amplitude and phase-shift drift noise in semiconductor optical amplifiers

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)An all-optical scheme aimed at minimizing distortions induced by semiconductor optical amplifiers (SOAs) over modulated optical carriers is presented. The scheme employs an additional SOA properly biased to act as a saturated absorber, and thus counteract the distortions induced by the first amplifying device. The scheme here is demonstrated in silico, for 40 and 100 Gb/s (10 and 25 Gbaud, 16 QAM), with reasonable total gain (>20 dB) for symbol error rate below the forward error correction limit. (C) 2015 Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE)An all-optical scheme aimed at minimizing distortions induced by semiconductor optical amplifiers (SOAs) over modulated optical carriers is presented. The scheme employs an additional SOA properly biased to act as a saturated absorber, and thus counteract5410CAPES - COORDENAÇÃO DE APERFEIÇOAMENTO DE PESSOAL DE NÍVEL SUPERIORCNPQ - CONSELHO NACIONAL DE DESENVOLVIMENTO CIENTÍFICO E TECNOLÓGICOFAPESP - FUNDAÇÃO DE AMPARO À PESQUISA DO ESTADO DE SÃO PAULOFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)FAPESP [2007/56024-4, 2015/50063-4]CNPq [CNPQ 574017/2008-9]sem informação574017/2008-92007/56024-4 ; 2015/50063-4The authors would like to thank CAPES (Coordination of Improvement of Higher Education Personnel), CNPq (National Council of Scientific and Technological Development), Espaço da Escrita-Coordenadoria Geralda Universidade-UNICAMP-for the language service

Frequency- and time-domain simulations of semiconductor optical amplifiers using equivalent circuit modeling

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)We propose an equivalent circuit modeling for a chip-on-carrier and for two encapsulated semiconductor optical amplifiers (SOAs). The models include main parasitic leaks and were used in reflection and transmission simulations, showing good agreement with experimental data. The model for each SOA is validated, comparing the simulated results with experimental data from SOAs operating as high-speed electro-optical switches, reaching rise times below 200 ps. (C) 2015 Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE)We propose an equivalent circuit modeling for a chip-on-carrier and for two encapsulated semiconductor optical amplifiers (SOAs). The models include main parasitic leaks and were used in reflection and transmission simulations, showing good agreement with5411CAPES - COORDENAÇÃO DE APERFEIÇOAMENTO DE PESSOAL DE NÍVEL SUPERIORCNPQ - CONSELHO NACIONAL DE DESENVOLVIMENTO CIENTÍFICO E TECNOLÓGICOFAPESP - FUNDAÇÃO DE AMPARO À PESQUISA DO ESTADO DE SÃO PAULOCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)CNPq [574017/2008-9]FAPESP [2007/56024-4, 2005/51689-2]sem informação574017/2008-92007/56024-4 ; 2005/51689-2The authors thank Professor Adriano Toazza (UPF, RS/Brazil) for the software used to automate the EO transmission measurements. This work was supported in part by the Brazilian agencies CAPES and CNPq (scholarship), CNPq (under INCT-Fotonicom project, 57

Regenerador De Pulsos Opticos Baseado Em Amplificadores Opticos A Semicondutor Operando Com Injeção De Corrente Realimentada E Simultânea.

Compreendendo empregar um amplificador óptico que amplifica o tamanho do pulso ao mesmo tempo em que corrige o formato do pulso óptico, sendo que desta técnica resultam dois efeitos: o aumento do tamanho do pulso pela amplificação e a correção de seu formato, ou seja, regeneração e reformatação do pulso óptico.BR9803050 (A)H04B10/291H04B10/18BR19989803050H04B10/291H04B10/1

Laser Semicondutor Bi-modal Sintonizavel Por Cavidade Externa De Dupla Sintonia

Refere-se a presente invenção a um laser semicondutor e respectiva cavidade externa com dois elementos de difração de forma a selecionar e sintonizar, simultaneamente, dois modos de operação da cavidade externa, possibilitando a operação do laser em dois modos longitudinais e visando aplicações de conversão heteródina para baixo no campo das ondas milimétricas e submilimétricas. Mais especificamente, o laser semicondutor bi-modal sintonizável por cavidade externa é composto de uma fonte (1) de laser semicondutor com camada anti-refletora (3), soldada a um bloco suporte (2), uma lente de colimação (4) do feixe do laser e duas grades de difração (5) e (6), colocadas de tal forma que o feixe do laser, após refletir na primeira grade (5) incide sobre a segunda (6), que é posicionada de tal forma a difratar o feixe do laser para a primeira grade (5), no sentido oposto do feixe incidente sobre ela.BR9105547 (A)H01S3/00H01S3/00BR19919105547H01S3/00H01S3/0

Coupling and TM01m mode in cylindrical cavities.

Utilizando-se circuitos equivalentes a parâmetros concentrados para representar a cavidade cilíndrica no modo TM01m e seu acoplamento com o guia retangular obtém-se: método de medida dos parâmetros e projeto do acoplamento proposto objetivando-se aquecimento de líquidos ou fibras sintéticas.Using circuits equivalent to concentrated parameters to represent the cylindrical cavity in TM01m mode and its coupling with the rectangular guide one obtains: method of measurement of the parameters and design of the proposed coupling aiming the heating of liquids or synthetic fibers

Antenas alimentadoras a guias de ondas cilindricas, abertos

Orientadores: Attilio Jose Giarola, Rui Fragassi SouzaTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de CampinasResumo: Apresentam-se os diagramas de irradiação e introduz-se o formalismo de cálculo no desempenho em polarização cruzada para a antena a guia de onda cilíndrico, aberto, semi-infinito, com paredes de espessura infinitesimal, utilizando a técnica de WienerHopf. Os resultados computacionais são apresentados de forma a caracterizar completamente os campos distantes dessas antenas, operando no modo TE11 e são comparados com resultados experimentais ou teóricos obtidos pelo método dos momentos. Em adição, propõe-se e utiliza-se uma técnica para medida de correntes em superfícies metálicas que não necessita a introdução de sulcos nessa superfície. Obtém-se, dessa forma, a distribuição das correntes superficiais na parede externa do guia, assim como sua variação em função da espessura dessa parede. A partir da comparação com resultados obtidos por outros autores, que utilizam o método dos momentos, mostra-se o efeito causado pela espessura finita da parede do guia cilíndrico no desempenho dessa antena.Abstract: The radiation patterns and the theoretical development for the avaluation of the cross polarization behavior, using the Wienr-Hopf Technique, for semi-infinite and open cylindrical waveguide antennas with infinitesimal wall thickness are presented. The computed results are shown in a way as to completely characterize the far field of these antennas, operating in the TE11 mode. These results are compared with the available experimental data and theoretical results obtained by the moment's method. In addition, a technique for the measurement of currents in metal surfaces without the introduction of slots in these surfaces is described. This technique was used to measure the surface current distribution, as well as the effect of the wall thickness, on the external wall of the cylindrical waveguide. From the comparison of these measurements with the available theoretical results, obtained using the moment method, the effect of the thickness and the behavior of these antennas is analysed.DoutoradoDoutor em Ciência

Optical modulator half-wave voltage measurement using opposite-phase sine waves

A simplified direct measurement of half-wave voltage (V π ) based on the optical modulator third harmonic distortions to sinusoidal signals in opposite phase is proposed and performed for a quadrature Mach-Zehnder optical modulator. Experimental results are obtained from dc up to 11 GHz. The tested device V π value is 2.4 V for dc increasing to 3.8 Vat 10 GHz. A linear extrapolation predicts that V π will be close to 10.5 V at 40 GHz, which is equivalent to the first harmonic for a 80 GBd transmission rate based on QPSK modulation34921522157CONSELHO NACIONAL DE DESENVOLVIMENTO CIENTÍFICO E TECNOLÓGICO - CNPQFUNDAÇÃO DE AMPARO À PESQUISA DO ESTADO DE SÃO PAULO - FAPESP574017/2008-9; 301087/20132014/18791-7; 2007/56024-4; 2015/50063-

Antena a guia cilindrico-circular comterminação em flange conica

Tese (livre-docencia) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia EletricaResumo: Não informadoAbstract: Not informedTese (livre-docencia) - UniverLivre-Docente em Engenharia Eletric