INDUCTION DE LA TRANSITION ISOLANT/MÉTAL DE VO2 PAR SUBSTITUTION D'ESPÈCES CHIMISORBÉES POUR T << Tc

Nous montrons qu'il est possible d'induire une transition réversible, isolant/métal froide dans VO2, en contrôlant électrochimiquement la nature des espèces de surface.We show that it is possible to induce a reversible I-M transition for VO2, by control of chemisorbed species with electrochemical means

THERMAL AND OPTICAL SPACE CHARGE SPECTROSCOPY OF GAP STATES IN a-Si:H

In this article we present a new method based on TSC (Thermally Stimulated Currents) wich allows the observation of deep centres in amorphous semiconductors. This technique allows to eliminate the experimental contribution of the band tail states in the space charge zone of a Schottky barrier. We discuss the characteristics of the deep centres thereby revealed and their connection with the existence of structural microinhomogeneities

INFLUENCE DE L'HYDROGENE SUR LES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU SILICIUM AMORPHE

Des Mesures optiques (i.e. réflexion R et transmission T) dans le silicium amorphe et à partir d'expériences d'optique guidée nous avons montré que : · la largeur du pseudogap Eg s'accroît avec la présence d'hydrogène · l'absorption en dessous du gap optique (E < Eg), déduite de ces mesures, ne peut être assignée à des transitions éventuelles entre queues de bande mais proviendrait de la morphologie du matériau.From optical measurements (i.e. reflection and transmission T) in amorphous silicon and from experiments of guided optics, we have shown that : · the width of the pseudogap Eg increases with the presence of hydrogen · the absorption below the optical gap (E < Eg), deduced from these measurements, cannot be assigned to transitions induced by eventual band tails, but would arise from the morphology of the material

RECOMBINAISON RADIATIVE ET EFFETS DE SPIN DANS LE SILICIUM MICROCRISTALLIN POST-HYDROGENE PLASMA

Nous présentons des résultats préliminaires sur la luminescence du silicium microcristallin obtenu par LPCVD sur saphir, à 620°C, et hydrogéné plasma à 400°C. Le spectre de luminescence obtenu à 5 K présente six bandes non résolues réparties entre 0,45 et 1 eV, et une bande plus large à plus haute énergie (1,4 eV). Les bandes à basses énergies proviennent vraisemblablement des défauts associés aux grains et aux joints de grains. Les bandes à 0,75 et 0,85 eV présentent un signal RMDO (Résonance Magnétique Détectée Optiquement) d'augmentation et de diminution respectivement. Le signal d'augmentation est la convolution de deux raies ; une étroite à g = 1,9997, de largeur 18 Gauss, une large à g = 2,016 et de largeur 100 Gauss. Le signal de diminution est constitué d'une seule raie à 2,0043 et de largeur 25 Gauss.We report preliminary results of photoluminescence and Optically Detected Magnetic Resonance (O.D.M.R.) studies in microcrystalline silicon elaborated on sapphire by LPCVD and plasma-hydrogenated at 400°C. The 5K luminescence spectrum shows 6 unresolved bands between 0.45 and 1 eV, and one broader band at higher energy (1.4 eV). The 0.75 and 0.85 eV bands show an ODMR enhancing and quenching signal, respectively. The enhancing spectrum is a convolution of two signals : a narrow signal at g = 1.9997, width 18 Gauss, and a broad signal at g = 2.016, width 100 Gauss. The quenching signal is at g = 2.0043 and of width = 25 Gauss

HIGH RESOLUTION NMR OF 29Si IN AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON

The new techniques of High Resolution NMR in solids by cross-polarization with protons and magic angles rotation of the sample have been applied to the study of amorphous hydrogenated Silicon in order to contribute to the characterization of this material. This method gives the possibility to distinguish (by their "chemical shifts") the different kinds of environments of each 29Si nucleus, in relation with the bonds in which these atoms are involved

BROADBAND SPECTROSCOPY OF ULTRATHIN LAYERS BY OPTICAL GUIDED WAVES TECHNIQUES, APPLICATION TO A 80 Å THICK a - Si : H LAYER

A l'aide d'une technique de perturbation, les méthodes de spectroscopie par ondes guidées sont étendues au cas de couches ultraminces non forcément guidantes.By means of a perturbation technique, guided wave spectroscopy methods are extented to the case of non-guiding ultrathin layers

a-Si : SHORT RANGE ORDER BY NEUTRON SCATTERING

Cet article décrit une expérience de diffraction de neutrons destinée à déterminer le rôle joué par l'hydrogène dans l'ordre local du silicium amorphe hydrogéné. L'utilisation de la méthode de substitution isotopique nous a permis d'obtenir les trois facteurs de structure partiels à partir desquels ont été calculées les trois fonctions de corrélation de paires correspondantes. La présence de groupements Si-H et Si-H2 a pu être mis en évidence directement. Ces groupements ne perturbent pas sensiblement l'ordre local tétraédrique du silicium amorphe.We report in this paper a neutron scattering study of a-Si : H, undertaken in order to point out the part played by hydrogen in the structural properties. The use of the isotopic substitution method provide us with the three partial structure factors from which have been deduced the three corresponding pair partial correlation functions. Si-H and Si-H2 units have been directly put into light. These hydrogenated units have not produced noticeable distortion of the tetrahedral local order

Diodes Schottky et MIS tunnel sur silicium amorphe hydrogéné de qualité photovoltaïque préparé par pulvérisation cathodique Caractérisation électrique par mesures capacitives

Schottky barrier and MIS tunnel diodes are achieved on sputtered hydrogenated amorphous silicon of large photoconductivity ; the open-circuit voltage and the short-circuit current of the Schottky diode are respectively 700 mV and 4 mA/cm2 under AM1 without A.R. coating. The devices are used to carry out electrical characterization of the material. Current-voltage characteristics versus temperature and capacitance-voltage experiments versus frequency are made. An estimation of the electronic states distribution in the energy gap of the material is given ; the results indicate a very low density of states around the midgap (< 1016 cm -3 eV-1). The authors point out the main features and difficulties of capacitance measurements of Schottky diode prepared on hydrogenated amorphous silicon.Des diodes Schottky et MIS tunnel (Métal-Isolant-Semiconducteur) ont été réalisées sur silicium amorphe hydrogéné obtenu par pulvérisation cathodique. Le matériau présente une forte photoconductivité ; la tension de circuit ouvert et le courant de court-circuit de la diode Schottky sont respectivement 700 mV et 4 mA/cm2 sous éclairement AM1 en l'absence de couche anti-réfléchissante. Les dispositifs sont utilisés pour la caractérisation électrique du matériau : on relève les caractéristiques courant-tension en fonction de la température et capacité-tension en fonction de la fréquence. On donne une estimation de la distribution des états électroniques dans la bande d'énergie interdite du matériau ; les résultats indiquent une très faible densité d'états autour du milieu de la bande interdite (< 1016 cm-3 eV -1). Les auteurs mettent en relief les principaux aspects et les difficultés des mesures de capacité de diodes Schottky préparées sur silicium amorphe hydrogéné