Impacto del cambio climático sobre la distribución de Prosopis Hassleri y P.alba en la región chaqueña

El algarrobo, principalmente Prosopis alba y P. hassleri son las especies nativas de mayor uso para madera de aserrío en nuestro país, registrándose en los últimos años un aumento constante en la tasa de consumo. Dado que la totalidad de la madera de algarrobo consumida proviene de bosques nativos, la explotación del recurso es insostenible no sólo desde el punto de vista ambiental sino también económico. A esta situación crítica se le agregan además problemáticas que están afectando a los bosques a escala global como es la expansión de la frontera agrícola sobre áreas de bosque nativo, forestación con especies exóticas de crecimiento rápido, y la interacción de estos factores con el cambio climático actual. En este trabajo indagamos sobre el posible impacto del cambio climático sobre la distribución de P. hassleri (Algarrobo paraguayo) y de tres morfotipos de P. alba (santiagueño, chaqueño y chaqueño sur) en el norte de Argentina, para proveer información útil en la planificación de estrategias de conservación y manejo de los recursos genéticos nativos. Para ello, se utilizaron modelos predictivos de nicho que permitieron estimar la distribución potencial de ambas especies bajo un escenario actual y de cambio climático futuro. De esta manera se pudieron establecer áreas de alto y bajo impacto, y nuevas áreas adecuadas para la persistencia de las respectivas especies. Se utilizaron datos georreferenciados de 30-77 individuos de poblaciones naturales de cada una de las especies y morfotipos, y los 19 parámetros bioclimáticos disponibles en la base de datos mundial WorldClim. Los análisis de modelado de nicho actual y futuro se realizaron mediante el algoritmo de máxima entropía implementado en el programa Maxent; posteriormente los modelados resultantes fueron procesados en el programa DIVA-GIS. Los resultados indican que todas las especies/morfotipos tienden a desplazar su área de distribución hacia el sur, excepto el morfotipo P. alba chaqueño sur que se expandiría hacia el norte. Prosopis hassleri sería la especie que perdería la mayor proporción de superficie de su distribución actual. Sin embargo, en un escenario futuro surgirían áreas favorables para su persistencia cuya superficie duplicaría la distribución actual. Contrariamente, el morfotipo santiagueño de P. alba conservaría casi la totalidad de su área de distribución actual, y es la que menos ampliaría su rango de distribución en un escenario futuro. A partir de los resultados obtenidos se sugieren estrategias de manejo y conservación para estas especies, a través de la identificación y protección de refugios climáticos y del establecimiento de corredores biológicos que favorezcan la dispersión natural de las especies hacia nuevas áreas adecuadas. (Nuestro agradecimiento al Proyecto Específico INTA PNFOR044341 y al Banco Nacional de Germoplasma de Prosopis, FCA-UNC, por facilitar la información básica para este trabajo).Fil: Venier, Maria Paula. Instituto Nacional de Tecnología Agropecuaria. Centro de Investigaciones Agropecuarias; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Cosacov Martinez, Andrea. Instituto Nacional de Tecnología Agropecuaria. Centro de Investigaciones Agropecuarias; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Córdoba. Instituto Multidisciplinario de Biología Vegetal. Universidad Nacional de Córdoba. Facultad de Ciencias Exactas Físicas y Naturales. Instituto Multidisciplinario de Biología Vegetal; ArgentinaFil: López Lauenstein, D.. Instituto Nacional de Tecnología Agropecuaria. Centro de Investigaciones Agropecuarias; ArgentinaFil: Vega, C.. Instituto Nacional de Tecnología Agropecuaria. Centro de Investigaciones Agropecuarias; ArgentinaFil: Verga, A.. Instituto Nacional de Tecnología Agropecuaria. Centro de Investigaciones Agropecuarias; Argentin

Radiation and Thermal Cycling Effects on EPC1001 Gallium Nitride Power Transistors

Electronics designed for use in NASA space missions are required to work efficiently and reliably under harsh environment conditions. These include radiation, extreme temperatures, and thermal cycling, to name a few. Information pertaining to performance of electronic parts and systems under hostile environments is very scarce, especially for new devices. Such data is very critical so that proper design is implemented in order to ensure mission success and to mitigate risks associated with exposure of on-board systems to the operational environment. In this work, newly-developed enhancement-mode field effect transistors (FET) based on gallium nitride (GaN) technology were exposed to various particles of ionizing radiation and to long-term thermal cycling over a wide temperature range. Data obtained on control (un-irradiated) and irradiated samples of these power transistors are presented and the results are discussed

Negative Regulation of TLR Signaling by BCAP Requires Dimerization of Its DBB Domain.

The B cell adaptor protein (BCAP) is a multimodular regulator of inflammatory signaling in diverse immune system cells. BCAP couples TLR signaling to phosphoinositide metabolism and inhibits MyD88-directed signal transduction. BCAP is recruited to the TLR signalosome forming multitypic interactions with the MAL and MyD88 signaling adaptors. In this study, we show that indirect dimerization of BCAP TIR is required for negative regulation of TLR signaling. This regulation is mediated by a transcription factor Ig (TIG/IPT) domain, a fold found in the NF-κB family of transcription factors. We have solved the crystal structure of the BCAP TIG and find that it is most similar to that of early B cell factor 1 (EBF1). In both cases, the dimer is stabilized by a helix-loop-helix motif at the C terminus and interactions between the β-sheets of the Ig domains. BCAP is exclusively localized in the cytosol and is unable to bind DNA. Thus, the TIG domain is a promiscuous dimerization module that has been appropriated for a range of regulatory functions in gene expression and signal transduction

Failure Analysis of Heavy-Ion-Irradiated Schottky Diodes

In this work, we use high- and low-magnitude optical microscope images, infrared camera images, and scanning electron microscope images to identify and describe the failure locations in heavy-ion-irradiated Schottky diodes

Destructive Single-Event Failures in Diodes

In this summary, we have shown that diodes are susceptible to destructive single-event effects, and that these failures occur along the guard ring. By determining the last passing voltages, a safe operating area can be derived. By derating off of those values, rather than by the rated voltage, like what is currently done with power MOSFETs, we can work to ensure the safety of future missions. However, there are still open questions about these failures. Are they limited to a single manufacturer, a small number, or all of them? Is there a threshold rated voltage that must be exceeded to see these failures? With future work, we hope to answer these questions. In the full paper, laser results will also be presented to verify that failures only occur along the guard ring

Desarrollo de estrategias experimentales para la evaluación de la simbiosis hongos micorrícicos arbusculares nativos-Prosopis alba en condiciones controladas

Debido a la importancia creciente de la simbiosis HMA –planta en la mitigación del estrés biótico/abiótico en las plantas, así como a la necesidad de mejorar la implantación del algarrobo en zonas semiáridas de Argentina, se desarrolló un sistema experimental modelo, para demostrar el efecto de dos inóculos de HMA nativos, sobre el crecimiento de Prosopis alba Griseb. Para ello se aislaron dos inóculos de suelos de algarrobales de condiciones pluviométricas contrastantes: Padre Lozano (PL), 650mm de pp) de la provincia de Salta y Colonia Benítez (CB) 1300 mm de pp de la provincia del Chaco, ambos pertenecientes al Parque Chaqueño Argentino.Instituto de Botánica "Dr. Carlos Spegazzini"Comisión de Investigaciones Científicas de la provincia de Buenos Aire

Recent Radiation Test Results for Trench Power MOSFETs

Single-event effect (SEE) radiation test results are presented for various trench-gate power MOSFETs. The heavy-ion response of the first (and only) radiation-hardened trench-gate power MOSFET is evaluated: the manufacturer SEE response curve is verified and importantly, no localized dosing effects are measured, distinguishing it from other, non-hardened trench-gate power MOSFETs. Evaluations are made of n-type commercial and both n- and p-type automotive grade trench-gate device using ions comparable to of those on the low linear energy transfer (LET) side of the iron knee of the galactic cosmic ray spectrum, to explore suitability of these parts for missions with higher risk tolerance and shorter duration, such as CubeSats. Part-to-part variability of SEE threshold suggests testing with larger sample sizes and applying more aggressive derating to avoid on-orbit failures. The n-type devices yielded expected localized dosing effects including when irradiated in an unbiased (0-V) configuration, adding to the challenge of inserting these parts into space flight missions