Atomic layer deposition: Low temperature process well adapted to ULSI and TFT technologies

The high k dielectrics is an important materials to be integrate in future Ultra Large Scale Integration (ULSI) and future TFT technology. Indeed, to keep on the Moore\u27s Law curve, the reduction of silicon oxide (SiO2) thickness still required, but this reduction is hindered by tunneling current leakage limit. Consequently, it is important to replace SiO2 by another materials with high dielectric constant. The use of this material in manufacturing of gate dielectric in Thin-film transistor (TFT) and in Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) will increase gate capacitance with maintaining a low leakage current. Titanium dioxide is a good candidate due to its high dielectric constant in its rutile crystalline phase (180).This rutile structure is obtained at low temperature (250°C) by ALD deposition when TiO2 is deposited on ruthenium dioxide (RuO2) layer thanks to the small lattice mismatch between these two materials

Pedagogical approach for higher education in microelectronics and nanotechnologies in France: specific actions on the thin film technologies

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High capacitance density of 185 nF/mm 2 achieved in three-dimensional MIM structures using TiO 2 as a dielectric

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Improved patterned media for probe-based HAMR

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Influence des paramètres puissance source et bias sur la gravure ICP-RIE plasma d’une couche mince suivie par interférométrie LASER

International audienceLe CIME Nanotech, Centre Interuniversitaire de Microélectronique et Nanotechnologies, pôle du GIP CNFM (1) de Grenoble, répond aux besoins en formation expérimentale et pratique dans les domaines de la microélectronique et des nanotechnologies au travers de ces huit plateformes. L’offre de travaux pratiques sur la plateforme Salle Blanche, jusqu’alors orientée filière de fabrication de dispositifs micro- et nano-électroniques, propose désormais un travail pratique sur les plasmas appliqués à la gravure ionique réactive de couches minces sur un équipement de type industriel, suivie par interférométrie laser

Improved patterned media for probe-based heat assisted magnetic recording

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Teaching classical mechanics using smartphones

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Saturation and Voltage Quenching of the Porous Silicon Luminescence and Importance of the Auger Effect

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Actions de sensibilisation à la microélectronique envers les lycéens dans le cadre du projet Nano@school

Ce papier présente les expériences de sensibilisation à la microélectronique et aux nanotechnologies de lycéens menées dans le cadre du programme Nano@school à Grenoble. A l’origine de ce programme, qui fête ses dix années d’existence en 2019, se trouvent trois partenaires : le CEA de Grenoble, le pôle CNFM de Grenoble (CIME Nanotech), et le Rectorat de Grenoble. Depuis 2012, ce programme est inclus dans une des actions du projet piloté par le réseau national de formation à la microélectronique (CNFM) et dont le CIME Nanotech est un membre majeur. Il est en effet très important de pouvoir attirer les jeunes dans ces domaines scientifiques qui sont souvent mal connus et où cependant la demande de main d’oeuvre qualifiée est importante. Les sessions se déroulant sur une journée proposent aux lycéens de véritables mini-projets scientifiques, à travers des expérimentations encadrées par des enseignants et/ou chercheurs sur des plateformes technologiques ayant des équipements de pointe. La sensibilisation est donc basée essentiellement sur un travail pratique dans un environnement de formation universitaire et de recherche. Le retour d’expérience indique que l’approche est globalement très bien perçue par les lycéens et par leurs professeurs, très motivante pour les organisateurs et encadrants sur les plateformes, mais son impact sur l’attractivité reste néanmoins difficile à mesurer à court terme