ESD characterization of planar InGaAs devices

We present a comprehensive study of ESD reliability (TLP) on planar nMOSFETs with In0.53Ga0.47As as the channel material. Two types of traps are found during ESD stress. They are formed through independent mechanisms: transient Ef-lowering induced pre-existing e-traps discharging in the gate stack and hot hole induced e-traps generation through impact ionization in the InP buffer. These two types of traps explain the observed walk-out of off-state channel leakage current as well as the two-stage current conduction phenomena in the TLP measurement. The generated e-traps are permanent and can introduce detrimental conduction current harmful to the device performance. By properly selecting the buffer material, these defects can be removed

A Fluorescent Glycolipid-Binding Peptide Probe Traces Cholesterol Dependent Microdomain-Derived Trafficking Pathways

10.1371/journal.pone.0002933PLoS ONE38

Immunosensoren - Universelles Protokoll zur Immobilisierung von Antikörpern für die spezifische Antigen-Detektion

Es wurde ein Protokoll zur stabilen und funktionellen Immobilisierung von Antikörpern über Protein A auf Goldoberflächen für den spezifischen Antigen-Nachweis entwickelt, charakterisiert, optimiert und erfolgreich etabliert.Die Verwendung von hydrophilen Polyethylenglykolkettenals Blockungsreagenz wurde optimiert und in das Funktionalisierungsprotokoll integriert. Um mehrere sequentielle Bindungszyklen reproduzierbar auf einem Chip messes zu können, wurde Natriumhydroxid zur mehrmaligen Regeneration der Antikörper verwendet. Mit zwei unterschiedlichen Antikörpern zur Detektion von phytopathogenen Viruspartikeln konnte die Eignung und die Universalität der erfolgreich adaptierten und etablierten Oberflächenchemie gezeigt werden. Es wurden Konzentrationsreihen vermessen. Die Nachweisgrenze für die phytopathogenen Viruspartikel lagbei 0,9µg/mL. Damit konnte ein Oberflächenplasmonenresonanz (SPR)-basierter Immunosensor zur Detektion von phytopathogenen Viruspartikeln entwickelt und höhere Sensivitäten im Vergleich zu anderen, publizierten Funktionalisierungsprotokollen erreicht werden. Dank der Regeneration der Sensoroberflächeließ sich die Effizienz der Messungen weiter steigern

Origin of the endurance degradation in the novel HfO2-based 1T ferroelectric non-volatile memories

Novel HfO2-based non-volatile ferroelectric field effect transistors (FeFETs) reveal integration and scaling properties superior to the devices utilizing perovskite-type ferroelectrics. However, until now the switching endurance of only 104 program/erase cycles could be proven. The mechanisms responsible for the cycling degradation have been scarcely studied so far. Therefore, the scope of this paper is to clarify the origin of the cycling degradation in HfO2-based FeFETs. Several possible degradation mechanisms-fatigue of the ferroelectric layer and degradation of the transistor gate stack-are proposed and investigated. The limited endurance properties were found to be linked to the transistor gate stack reliability rather than to the ferroelectric material itself. The gate leakage current measurements and the trapping analyses presented in this paper identified a degradation of the interfacial layer in the gate stack, which in turn is strongly linked to a reduction of ferroelectric memory window