Electronics Properties of Monoclinic HfO2

Density functional theory (DFT) is a very successful technique to calculating the properties of manyelectron systems from first principles. The bands structures, charge density and density of state (DOS) of monoclinic HfO2 are calculated using Pseudo potential (PP) and Atomic Orbitals (AO) method, within the density functional theory DFT, generalized gradient approximation GGA and local density approximation LDA. Hafnium oxide (HfO2) is a high-k dielectric (dielectric constant k ~ 25 at 300 K, band gap Eg ≈ 6 eV); thermally stable up to 700 ◦C. HfO2 is used in semiconductor manufacturing processes where they are usually used to replace a silicon dioxide gate dielectric

MODELING AND ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF MOSFETs ‘EKV MODEL’ USING MATLAB

The miniaturization of MOS transistors has increased the integration density and speed of operation of the circuits. This miniaturization has led to parasitic phenomena that degrade the current-voltage characteristics. The EKV MOSFET Model resolves this problem, this component enables to progress in miniaturization. This paper presents a simulation of MOSFET ‘EKV model’ using Matlab to identify the different output and transfer characteristics, transconductance gm, Methodology gm/ID, etc

Моделювання та імітація польового транзистора MOSFET (з high-k діелектриком) з використанням генетичних алгоритмів

Польовий транзистор на основі металу, оксиду та напівпровідника (MOSFET) – це тип польового транзистора; його робота заснована на впливі електричного поля, прикладеного до структури металоксид-напівпровідник, тобто до електроду затвора. Це важливий електронний компонент, особливо в мікроелектронній промисловості. З моменту винаходу інтегральної схеми основним напрямом розвитку індустрії кремнієвої мікроелектроніки була мініатюризація MOSFET. Щоб звести до мінімуму небажані ефекти (наприклад, струм витоку) через мініатюризацію MOSFET, було використано кілька рішень для покращення продуктивності MOSFET. Серед цих рішень – використання нових оксидів затвора з високою діелектричною проникністю (наприклад, HfO2). Нанорозмірний MOSFET є складним електронним пристроєм, тому для його моделювання потрібні нові теорії та методи моделювання (наприклад, штучний інтелект). Генетичні алгоритми (ГА) – це адаптивні метаевристичні алгоритми, засновані на еволюційних ідеях (еволюційних алгоритмах) природного відбору та генетики. ГА використовуються для генерування високоякісних рішень проблем оптимізації та пошуку, покладаючись на такі генетичні оператори, як відбір, кросовер та мутація. У статті описано розширене моделювання (оптимізація), імітація та вилучення параметрів нанорозмірних MOSFET (оксид HfO2) з використанням підходу ГА. Електричні характеристики MOSFET прогнозуються відповідно до різних параметрів (струм стоку, напруга стоку, напруга затвора, довжина каналу, товщина оксиду).A Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) is a type of field effect transistor; the operation is based on the effect of an electric field applied to the metal-oxide-semiconductor structure, i.e., to the gate electrode. It is an essential electronic component, especially in the microelectronics industry. Since the invention of the integrated circuit, the principal growth vector of the silicon microelectronics industry has been the miniaturization of MOSFETs. To minimize the undesirable effects (for example leakage current) due to the miniaturization of MOSFETs, several solutions have been used to improve the performance of MOSFETs. Among these solutions is the use of new high permittivity gate oxides (for example, HfO2 oxide). A nanoscale MOSFET is a complex electronic device, and the simulation of nanoscale devices therefore needs new theories and modeling techniques (for example, artificial intelligence). The Genetic Algorithms (GAs) are adaptive metaheuristic algorithms based on the evolutionary ideas (Evolutionary Algorithms (EAs)) of natural selection and genetics. GAs are used to generate high-quality solutions to optimization and search problems by relying on genetic operators such as selection, crossover and mutation. This paper describes advanced modeling (optimization), simulation and parameter extraction of nanoscale MOSFETs (HfO2 oxide) using a GA approach. The electrical characteristics of MOSFETs are predicted according to different parameters (drain current, drain voltage, gate voltage, channel length, oxide thickness)

Achievement of low-density lipoprotein cholesterol goals in 18 countries outside Western Europe: the International ChoLesterol management Practice Study (ICLPS)

Q1Q1Artículo de investigación1087–1094Background: Little is known about the achievement of low density lipoprotein cholesterol (LDL-C) targets in patients at cardiovascular risk receiving stable lipid-lowering therapy (LLT) in countries outside Western Europe. Methods: This cross-sectional observational study was conducted in 452 centres (August 2015August 2016) in 18countries in Eastern Europe, Asia, Africa, the Middle East and Latin America. Patients (n¼9049) treated for 3 months with any LLT and in whom an LDL-C measurement on stable LLT was available within the previous 12 months were included. Results: The mean SD age was 60.211.7 years, 55.0% of patients were men and the mean SD LDL-C value on LLT was 2.61.3 mmol/L (101.049.2 mg/dL). At enrolment, 97.9% of patients were receiving a statin (25.3% on high intensity treatment). Only 32.1% of the very high risk patients versus 51.9% of the high risk and 55.7% of the moderate risk patients achieved their LDL-C goals. On multivariable analysis, factors independently associated with not achieving LDL-C goals were no (versus lower dose) statin therapy, a higher (versus lower) dose of statin, statin intolerance, overweight and obesity, female sex, neurocognitive disorders, level of cardiovascular risk, LDL-C value unknown at diagnosis, high blood pressure and current smoking. Diabetes was associated with a lower risk of not achieving LDL-C goals. Conclusions: These observational data suggest that the achievement of LDL-C goals is suboptimal in selected countries outside Western Europe. Efforts are needed to improve the management of patients using combination therapy and/or more intensive LLTs