Competing exciton localization effects due to disorder and shallow defects in semiconductor alloys

We demonstrate that excitons in semiconductor alloys are subject to competing localization effects due to disorder (random potential fluctuations) and shallow point defects (impurities). The relative importance of these effects varies with alloy chemical composition, impurity activation energy as well as temperature. We evaluate this effect quantitatively for MgxZn1−xO : Al (0 6 x 6 0.058) and find that exciton localization at low (2 K) and high (300 K) temperatures is dominated by shallow donor impurities and alloy disorder, respectively

Verfahren zum Klassifizieren von Information und Klassifizierungsprozessor

Ausführungsbeispiele schaffen ein Verfahren zum Klassifizieren von Information in eine erste Klasse oder eine zweite Klasse. Das Verfahren umfasst einen Schritt des Anwendens einer ersten Klassifizierungsmethode auf die Information um die Information der ersten Klasse zuzuordnen, wenn die Information Klassifizierungskriterien der ersten Klasse erfüllt, und um die Information der zweiten Klasse zuzuordnen, wenn die Information die Klassifizierungskriterien der ersten Klasse nicht erfüllt. Ferner umfasst das Verfahren einen Schritt des Anwendens einer zweiten Klassifizierungsmethode auf die Information um die Information der zweiten Klasse zuzuordnen, wenn die Information Klassifizierungskriterien der zweiten Klasse erfüllt, und um die Information der ersten Klasse zuzuordnen, wenn die Information die Klassifizierungskriterien der zweiten Klasse nicht erfüllt. Ferner umfasst das Verfahren einen Schritt des Aktualisierens der Klassifizierungskriterien zumindest einer der beiden Klassifizierungsmethoden bei einer voneinander abweichenden Zuordnung der Information durch die beiden Klassifizierungsmethoden oder bei Erreichen einer vorgegebenen Anzahl von voneinander abweichenden Zuordnungen von Informationen durch die beiden Klassifizierungsmethoden. Dabei sind die erste Klasse und die zweite Klasse unterschiedlich

Competing exciton localization effects due to disorder and shallow defects in semiconductor alloys

We demonstrate that excitons in semiconductor alloys are subject to competing localization effects due to disorder (random potential fluctuations) and shallow point defects (impurities). The relative importance of these effects varies with alloy chemical composition, impurity activation energy as well as temperature. We evaluate this effect quantitatively for MgxZn1−xO : Al (0 6 x 6 0.058) and find that exciton localization at low (2 K) and high (300 K) temperatures is dominated by shallow donor impurities and alloy disorder, respectively

Competing exciton localization effects due to disorder and shallow defects in semiconductor alloys

We demonstrate that excitons in semiconductor alloys are subject to competing localization effects due to disorder (random potential fluctuations) and shallow point defects (impurities). The relative importance of these effects varies with alloy chemical composition, impurity activation energy as well as temperature. We evaluate this effect quantitatively for MgxZn1−xO : Al (0 6 x 6 0.058) and find that exciton localization at low (2 K) and high (300 K) temperatures is dominated by shallow donor impurities and alloy disorder, respectively

Planung, Auslegung und Betriebsoptimierung von energieeffizienten Neu- und Bestandsbauten durch Modellierung und Simulation auf Basis von Bauwerkinformationsmodellen

Die Lösung komplexer Fragestellungen der Energieeffizienz – sowohl auf Bauwerks- wie auch auf urbaner Ebene – erfordert einen ganzheitlichen integralen Ansatz. Die Realisierung eines solchen integralen Planungsprozesses impliziert eine durchgängige planungsbegleitende Evaluierung und Optimierung des Planungsgegenstandes. Der frühzeitige Einsatz von Simulations- und Bewertungswerkzeugen stellt dabei eine wichtige Basis dar, um Planungsentscheidungen bereits auf konzeptioneller Ebene auf ihre Auswirkungen für den gesamten Lebenszyklus eines Gebäudes beurteilen und eine gute energetische Performance sicherstellen zu können. IT-gestützte Planungs- und Simulationswerkzeuge spielen so eine entscheidende Rolle bei der integralen Planung, Auslegung und Betriebsoptimierung von Gebäuden und städtischen (Energie-)Systemen [TRE2014]. Speziell zur Analyse des dynamischen Zusammenspiels aktiver und passiver Komponenten bei der Planung, Auslegung, Inbetriebnahme wie auch Betriebsoptimierung von energieeffizienten Gebäuden hat sich der Einsatz numerischer Simulationswerkzeuge als sinnvoll erwiesen