Hybrid crystalline-ITO/metal nanowire mesh transparent electrodes and their application for highly flexible perovskite solar cells

Here, we propose crystalline indium tin oxide/metal nanowire composite electrode (c-ITO/metal NW-GFRHybrimer) films as a robust platform for flexible optoelectronic devices. A very thin c-ITO overcoating layer was introduced to the surface-embedded metal nanowire (NW) network. The c-ITO/metal NW-GFRHybrimer films exhibited outstanding mechanical flexibility, excellent optoelectrical properties and thermal/chemical robustness. Highly flexible and efficient metal halide perovskite solar cells were fabricated on the films. The devices on the c-ITO/AgNW- and c-ITO/CuNW-GFRHybrimer films exhibited power conversion efficiency values of 14.15% and 12.95%, respectively. A synergetic combination of the thin c-ITO layer and the metal NW mesh transparent conducting electrode will be beneficial for use in flexible optoelectronic applications

Fabrication of ZnO Thin Films from Nanocrystal Inks

Zinc oxide nanocrystals were prepared in ethanol and spin-cast to form semiconductor nanocrystal thin films that were thermally annealed at temperatures between 100 and 800 \ub0C. Particle size, monodispersity, and film porosity were determined by X-ray diffraction, ultraviolet-visible absorption spectroscopy, and spectroscopic ellipsometry, respectively. Film porosity rapidly decreased above 400 \ub0C, from 32% to 26%, which coincided with a change in electronic properties. Above 400 \ub0C, the ZnO electron mobility, determined from FET transfer characteristics, increased from 10-3 to 10-1 cm2 V s-1, while the surface resistivity, determined from electrical impedance, decreased from 107 to 103 \u3a9 m over the same temperature range. Below the densification point, nanoparticle core resistivity was found to increase from 104 to 106 \u3a9 m, which is caused by the increasing polydispersity in the quantized energy levels of the nanocrystals. From 100 to 800 \ub0C, crystallite size was found to increase from 5 to 18 nm in diameter. The surface resistance was decreased dramatically by passivation with butane thiol

Copper-based conductive composites with tailored thermal expansion

We have devised a moderate temperature hot-pressing route for preparing metal-matrix composites which possess tunable thermal expansion coefficients in combination with high electrical and thermal conductivities. The composites are based on incorporating ZrW2O8, a material with a negative coefficient of thermal expansion (CTE), within a continuous copper matrix. The ZrW2O8 enables us to tune the CTE in a predictable manner, while the copper phase is responsible for the electrical and thermal conductivity properties. An important consideration in the processing of these materials is to avoid the decomposition of the ZrW2O8 phase. This is accomplished by using relatively mild hot-pressing conditions of 500 C for 1 h at 40 MPa. To ensure that these conditions enable sintering of the copper, we developed a synthesis route for the preparation of Cu nanoparticles (NPs) based on the reduction of a common copper salt in aqueous solution in the presence of a size control agent. Upon hot pressing these nanoparticles at 500 C, we are able to achieve 92-93% of the theoretical density of copper. The resulting materials exhibit a CTE which can be tuned between the value of pure copper (16.5 ppm/ C) and less than 1 ppm/ C. Thus, by adjusting the relative amount of the two components, the properties of the composite can be designed so that a material with high electrical conductivity and a CTE that matches the relatively low CTE values of semiconductor or thermoelectric materials can be achieved. This unique combination of electrical and thermal properties enables these Cu-based metal-matrix composites to be used as electrical contacts to a variety of semiconductor and thermoelectric devices which offer stable operation under thermal cycling conditions. © 2013 American Chemical Society

Italiani alta la testa! : la presenza del fascismo a São Paulo (1920-1940)

La tesi si prefigge lo scopo di analizzare tra il 1920 e il 1945, da un lato quale fu il sistema di propaganda del fascismo a Sao Paulo e, dall'altro quale l'impatto di quest'ultimo sulla comunità immigrata, non dimenticando di tracciare i lineamenti dell'atteggiamento del Governo brasiliano di fronte al regime italiano. Allo scopo di analizzare quali furono i mezzi utilizzati dal fascismo per la creazione di strutture di partito o di associazioni ad esso strettamente correlate e, quale lo sforzo e i meccanismi per tentare di tenere sotto controllo le diverse forme di aggregazione e vita della comunità (associazioni, giornali, scuole), è stato svolto un lavoro di consultazione della documentazione presente in taluni archivi italiani (dell'Archivio Centrale dello Stato e dell'Archivio Storico del Ministero degli Esteri di Roma, facendo riferimento soprattutto ai documenti presenti nei fondo Apsu-Asmae, Mcp e Mcp-Nupie )e brasiliani (Arquivo Publico do Estado de Sao Paulo, e gli Archivi delle società sportive Esperia e Palestra Italia) e di parte della stampa della collettività italiana e brasiliana pubblicata a Sao Paulo. A partire da questa documentazione si è cercato di mettere in luce quale fu la risposta degli italiani residenti a Sao Paulo nei confronti del regime di Mussolini tenendo presente il diverso atteggiamento che questi ebbero a seconda del periodo storico; da qui la necessità di prendere in esame un periodo di tempo che abbraccia l'intero ventennio fascista, visti i mutamenti e la differente percezione che della diffusione del fascismo si ha tra gli anni venti e trenta del XX secolo. Infatti, tralasciando quanti, ferventi sostenitori di Roma e del Duce si iscrissero la partito, la diffusione del fascismo come rigeneratore dell'orgoglio etnico seguì una parabola ascendente tra il 1920, gli inizi del 1930 e la seconda metà del 1930 per poi mutare ridiscendere durante gli anni della II Guerra mondiale. A cornice di ciò si è resa necessaria una panoramica storica del Brasile di quegli anni, la salita al potere di Getulio Vargas e la creazione del progetto di restaurazione e sviluppo dell'idea nazionale, fattori che, uniti alla determinate influenza statunitense, si rivelarono fondamentali nelle relazioni tra il paese del subcontinente e l'Italia e nell'atteggiamento che il governo brasiliano tenne nei confronti dei migranti. L'atteggiamento di negatività verso gli immigrati italiani dopo l'emanazione dell'Esado Novo e in particolare dopo l'entrata in guerra del Brasile al fianco degli alle Alleati, si giustificava con la credenza dell'esistenza di una quinta colonna nel territorio brasiliano. Di qui la necessità di analizzare la differenza tra le paure del governo e la reale diffusione degli ideali totalitari, tedeschi e, soprattutto italiani, a partire dal 1937. Periodo di ricerca trascorso in Argentina e Brasile. Durante il periodo di tre mesi, dal 4 luglio al 4 ottobre 2007, trascorso in Argentina e Brasile la dott.sa Zega ha lavorato su tre differenti tipologie di fonti: -Ricerche d'archivio svolta presso l'Archivo General del Ministerio de Relaciones Exteriores y Culto di Buenos Aires, l'Archivo de la Direccion de Migraciones, l'Arquivo DEOPS/SP presso Arquivo Publico do Estado de Sao Paulo, e gli Archivi delle società sportive Esperia e Palestra Italia. -Consultazione di alcuni giornali pubblicati dalla collettività italiana a Sao Paulo e Buenos Aires: Fanfulla(SP), Pasquino Coloniale(SP), Mattino d'Italia(Bs. As), Patria degli Italiani(Bs. As). -Ricerca bibliografica finalizzata a conoscere gli ultimi testi pubblicati sull'argoment

Interfacial characteristics of efficient bulk heterojunction solar cells fabricated on MoOx anode interlayers

The role of the interface between an MoOx anode interlayer and a polymer: fullerene bulk heterojunction is investigated. Processing differences in the MoOx induce large variations in the vertical stratification of the bulk heterojunction films. These variations are found to be inconsistent in predicting device performance, with a much better gauge being the quantity of polymer chemisorbed to the anode interlayer

Opposing roles of Elk-1 and its brain-specific isoform, short Elk-1, in nerve growth factor-induced PC12 differentiation

The ternary complex factor Elk-1, a major nuclear target of extracellular signal-regulated kinases, is a strong transactivator of serum-responsive element (SRE) driven gene expression. We report here that mature brain neurons and nerve growth factor (NGF)-differentiated PC12 cells also express a second, smaller isoform of Elk-1, short Elk-1 (sElk-1). sElk-1 arises from an internal translation start site in the Elk-1 sequence, which generates a protein lacking the first 54 amino acids of the DNA-binding domain. This deletion severely compromises the ability of sElk-1 to form complexes with serum response factor on the SRE in vitro and to activate SRE reporter genes in the presence of activated Ras. Instead, sElk, but not a mutant that cannot be phosphorylated, inhibits transactivation driven by Elk-1. More pertinent to the neuronal-specific expression of sElk-1, we show it plays an opposite role to Elk-1 in potentiating NGF-driven PC12 neuronal differentiation. Overexpression of sElk-1 but not Elk-1 increases neurite extension, an effect critically linked to its phosphorylation. interestingly, in the presence of sElk-1, Elk-1 loses its strictly nuclear localization to resemble the nuclear/cytoplasm pattern observed in the mature brain. This is blocked by mutating a normally cryptic nuclear export signal in Elk-1. These data provide new insights into molecular events underlying neuronal differentiation of PC12 cells mediated by the NGF-ERK signaling cascade