Transporte eletrônico em amostras de InAs/GaAs e mecanismos de espalhamento. Uma nova abordagem de ajustes pelo método de otimização global.

Neste trabalho foi realizada a caracterização elétrica de um conjunto de seis amostras semicondutoras de InAs/GaAs, crescidas pela técnica de epitaxia de feixe molecular (MBE). O crescimento de amostras por MBE, com materiais de diferentes parâmetros de rede, pode induzir a formação de estruturas tais como discordâncias, defeitos pontuais e pontos quânticos. As medidas elétricas foram realizadas através do efeito Hall pela técnica de Van de Pauw, obtendo a mobilidade e a concentração de portadores em função da temperatura entre 10 K e 310 K. Os dados obtidos do experimento Hall foram submetidos a um processo de separação em dois canais de condução devido a presença de duas sub-bandas na heteroestrutura semicondutora. Este conjunto de dados foram analisados através do ajuste de um conjunto de mecanismos de espalhamento em duas dimensões utilizando o método de otimização global, chamado cross-entropy. Com isso, os principais mecanismos de espalhamento que limitam a mobilidade neste conjunto de amostras foram estimados de forma robusta juntamente com o conjunto de parâmetros físicos necessários para o ajuste. Como resultado foi possível verificar efeitos associados às tensões nas interfaces InAs/GaAs e seu relaxamento da camada ativa sobre os parâmetros de ajuste. Além disso, os ajustes também podem atuar como fonte de informação sobre as densidades de impurezas e estresse nas amostras. Assim, o Cross-entropy em conjunto com alterações nas características constitutivas podem ser utilizados para melhorar as características elétricas das amostras

Investigação das Propriedades Magnéticas e Elétricas da Ferrita Manganês-Cobre

Cerâmicas avançadas desempenham um papel relevante nas áreas cientifica e tecnológica. As Ferritas de manganês pertencem a um grupo de materiais de ferritas macias caracterizadas por elevada permeabilidade magnética e baixas perdas. Estes são amplamente utilizados em diversas aplicações, tais como dispositivos de microondas, chips de memória de computador, mídia de gravação magnética, fabricação de bobina de radiofrequência, núcleos de transformadores, haste de antenas e em muitos ramos de telecomunicações e engenharia eletrônica. Uma série de ferritas Cu1-xMnxFe2O4: em que x = 0,30, 0,35; 0,40 0,45; 0,50; e 0.55 foram preparadas pelo método tradicional de cerâmica, através do processo por reação de estado-sólido. As amostras foram sinterizadas a uma temperatura de 1000° C durante 12 horas. A estrutura de espinélio foi investigada por meio de difração de raios X. O comportamento magnético é avaliado através de um magnetômetro de amostra vibrante, pelo qual foi feito o levantamento da curva de magnetização em função do campo magnético aplicado. A condutividade elétrica DC das pastilhas cilíndricas foi caracterizada utilizando os aparelhos Keithley. As ferritas de cobre manganês exibiram comportamento isolante e/ou semicondutor. As cerâmicas apresentaram características de um material magneticamente mole. A amostra com teor de manganês de 0,4g/mol exibiu propriedades de um material com futuro potencial para aplicação em transporte de fármacos devido ao seu comportamento magnético

Investigação das Propriedades Magnéticas e Elétricas da Ferrita Manganês-Cobre

Cerâmicas avançadas desempenham um papel relevante nas áreas cientifica e tecnológica. As Ferritas de manganês pertencem a um grupo de materiais de ferritas macias caracterizadas por elevada permeabilidade magnética e baixas perdas. Estes são amplamente utilizados em diversas aplicações, tais como dispositivos de microondas, chips de memória de computador, mídia de gravação magnética, fabricação de bobina de radiofrequência, núcleos de transformadores, haste de antenas e em muitos ramos de telecomunicações e engenharia eletrônica. Uma série de ferritas Cu1-xMnxFe2O4: em que x = 0,30, 0,35; 0,40 0,45; 0,50; e 0.55 foram preparadas pelo método tradicional de cerâmica, através do processo por reação de estado-sólido. As amostras foram sinterizadas a uma temperatura de 1000° C durante 12 horas. A estrutura de espinélio foi investigada por meio de difração de raios X. O comportamento magnético é avaliado através de um magnetômetro de amostra vibrante, pelo qual foi feito o levantamento da curva de magnetização em função do campo magnético aplicado. A condutividade elétrica DC das pastilhas cilíndricas foi caracterizada utilizando os aparelhos Keithley. As ferritas de cobre manganês exibiram comportamento isolante e/ou semicondutor. As cerâmicas apresentaram características de um material magneticamente mole. A amostra com teor de manganês de 0,4g/mol exibiu propriedades de um material com futuro potencial para aplicação em transporte de fármacos devido ao seu comportamento magnético

Transporte eletrônico em amostras de InAs/GaAs e mecanismos de espalhamento. Uma nova abordagem de ajustes pelo método de otimização global.

Neste trabalho foi realizada a caracterização elétrica de um conjunto de seis amostras semicondutoras de InAs/GaAs, crescidas pela técnica de epitaxia de feixe molecular (MBE). O crescimento de amostras por MBE, com materiais de diferentes parâmetros de rede, pode induzir a formação de estruturas tais como discordâncias, defeitos pontuais e pontos quânticos. As medidas elétricas foram realizadas através do efeito Hall pela técnica de Van de Pauw, obtendo a mobilidade e a concentração de portadores em função da temperatura entre 10 K e 310 K. Os dados obtidos do experimento Hall foram submetidos a um processo de separação em dois canais de condução devido a presença de duas sub-bandas na heteroestrutura semicondutora. Este conjunto de dados foram analisados através do ajuste de um conjunto de mecanismos de espalhamento em duas dimensões utilizando o método de otimização global, chamado cross-entropy. Com isso, os principais mecanismos de espalhamento que limitam a mobilidade neste conjunto de amostras foram estimados de forma robusta juntamente com o conjunto de parâmetros físicos necessários para o ajuste. Como resultado foi possível verificar efeitos associados às tensões nas interfaces InAs/GaAs e seu relaxamento da camada ativa sobre os parâmetros de ajuste. Além disso, os ajustes também podem atuar como fonte de informação sobre as densidades de impurezas e estresse nas amostras. Assim, o Cross-entropy em conjunto com alterações nas características constitutivas podem ser utilizados para melhorar as características elétricas das amostras

Determinação da polarização da emissão Galáctica em 5 GHz.

Neste trabalho são apresentados as etapas de observação e o processo de análise e redução dos dados coletados entre junho e novembro de 2007 no radiotelescópio GEM (Galactic Emission Mapping), para a construção do mapa da emissão polarizada Galáxia na frequência de 5 GHz, que cobre 47% do céu. O projeto GEM consiste em um radiotelescópio de 5,5 m de diâmetro que mapeia o céu em faixas de 60° em declinação a partir de um conjunto de locais de observação situados em diferentes latitudes do globo terrestre, operando atualmente no INPE (Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais) em Cachoeira Paulista, SP. Para medir a polarização da emissão Galáctica na faixa de 5 GHz foi utilizado um polarímetro, que conta com um transdutor de modo ortogonal que possibilita uma separação dos modos de polarização de cerca de 50 dB e dois amplificadores criogênicos com ganho de 30 dB. É apresentado também o método para a produção de um mapa da polarização da emissão Galáctica com estes dados e a calibração das medidas, para a qual se utilizou um calibrador de bancada dotado de uma grande polarizadora. Foi realizada uma análise de correlação entre os mapas dos parâmetros de Stokes Q e U, tendo sido encontrado r = -0,0013 o que mostra que os mapas não são correlacionados. Além disso, são calculados e discutidas as correlações entre os ângulos de polarização do mapa GEM em 5 GHz e os mapas do WMAP (Wilkinson Microwave Anisotropy Probe) em 23 GHz e do DRAO (Dominion Radio Astrophysical Observatory) em 1,41 GHz, nos quais encontramos regiões do céu em que possivelmente ocorrem os efeitos da rotação Faraday