Особливості фотоелектричних процесів в плівкових гетеросистемах сульфіду та телуриду кадмію з нанорозмірними шарами у тильних контактах

Проведено порівняльне дослідження впливу рівня інтенсивності сонячного випромінювання на вихідні параметри та світлові діодні характеристики сонячних елементів на основі гетеросистеми CdS/CdTe з різними типами тильного контакту. Показано, що досліджувані сонячні елементи, отримані методом вакуумного термічного випаровування, мають максимальне значення ККД в умовах освітленості 60 % АМ1,5. Наявність максимуму обумовлена зменшенням значення коефіцієнта заповнення світлової вольт-амперної характеристики за рахунок зменшення значення шунтуючого опору, на фоні зростання струму короткого замикання і напруги холостого ходу при збільшенні освітленості. У разі розв'язання задачі зі зменшенням опору шунта можна очікувати, що тенденція до зростання ККД із збільшенням рівня освітленості може бути продовжена в області концентрованого випромінювання. Показано, що не тільки матеріал зворотного контакту, а й характер міжфазової взаємодії тильного контакту з базовим шаром CdTe має визначальний вплив на залежність значення послідовного опору цих сонячних елементів, отриманих методом вакуумного термічного випаровування, від рівня освітленості. Спостережувана немонотонна залежність густини діодного струму насичення від рівня освітленості пов'язана з двома конкуруючими фізичними механізмами. Один механізм передбачає традиційне збільшення значення діодного струму насичення за рахунок збільшення концентрації нерівноважних носіїв заряду, що генеруються під дією сонячного випромінювання, а другий визначає зменшення діодного струму насичення за рахунок заповнення пасток, що призводить до збільшення часу життя носіїв заряду.A comparative study of the influence of the solar radiation intensity level on the output parameters and light diode characteristics of solar cells (SCs) based on the CdS/CdTe heterosystem with different types of back contact has been carried out. It is shown that the studied SCs obtained by vacuum thermal evaporation method have the maximum efficiency under illumination conditions of 60 % AM1.5. The presence of a maximum is caused by a decrease in the fill factor of the light I-V characteristic due to a decrease in the shunt resistance, while the short-circuit current and open-circuit voltage increase with increasing illumination. In the case of solving the problem with a decrease in the shunt resistance, it can be expected that the tendency to an increase in the efficiency with increasing illumination level can be continued in the region of concentrated radiation. It is shown that not only the back contact material, but also the nature of the interphase interaction of the back contact with the base CdTe layer has a determinative influence on the illumination dependence of the series resistance of these SCs obtained by vaсuum thermal evaporation method. The observed nonmonotonic dependence of the diode saturation current density on the illumination level is associated with two competing physical mechanisms. One mechanism assumes the traditional increase in the diode saturation current due to an increase in the concentration of nonequilibrium charge carriers generated by light, and the other one determines a decrease in the diode saturation current due to the filling of traps, which leads to an increase in the charge carrier lifetime

Фізико-технологічні основи «хлоридної» обробки шарів телуриду кадмію для тонкоплів- кових фотоелектричних перетворювачів

The process of deposition of cadmium chloride films during the «chloride» treatment of cadmium telluride base layers for thin-film photoelectric converters (PEC) was studied. It is established that to ensure the reproducibility of the thickness and phase composition of cadmium chloride films, it is necessary to take into account the high hygroscopicity of this material. It is shown that the optimal growth rate of cadmium chloride films is 0.1 µm per minute. At high growth rates, cadmium chloride particulates are deposited on the surface of the CdTe layer base, which causes shunting of the PEC during the «chloride» treatment. It is determined that after the «chloride» treatment of CdTe layers, a coarse-grained structure is observed, which is predominantly oriented in the thermodynamic equilibrium direction [422]. In this case, the average grain size increases to 5 µm. It is shown that when performing a «chloride» treatment, the optimum purity of cadmium chloride layers is 98 %, which is due to the doping of CdTe with copper atoms. The disadvantage of copper with the use of more pure cadmium chloride reduces the efficiency of the PEC due to the increase in the series resistivity and the decrease in the photocurrent density. It has been experimentally determined that the optimum thickness of cadmium chloride during the «chloride» treatment and the efficiency of the PEC obtained at the same time depends on the substrate used. Thus, for the ITO/CdS/CdTe/Cu/Au PEC, the optimum thickness of cadmium chloride is 0.40 μm, the efficiency is 9.6 %, and for the NaCl/ITO/CdS/CdTe/Cu/Au PEC – 0.10 µm and 6.4 %, respectively.Исследован процесс осаждения пленок хлорида кадмия при проведении «хлоридной» обработки базовых слоев теллурида кадмия для тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП). Установлено, что для обеспечения воспроизводимости толщины и фазового состава пленок хлорида кадмия необходимо учитывать высокую гигроскопичность этого материала. Показано, что оптималь- ная скорость роста пленок хлорида кадмия составляет 0,1 мкм в минуту. При больших скоростях ро- ста на поверхности базового слоя CdTe осаждаются макрочастицы хлорида кадмия, что вызывает шунтирование ФЭП в процессе «хлоридной» обработки. Определено, что после «хлоридной» обработки слоев CdTe наблюдается формирование крупнозернистой структуры, которая преимущественно ори- ентирована в термодинамически равновесном направлении [422]. При этом средний размер зерна возрастает до 5 мкм. Показано, что при проведении «хлоридной» обработки оптимальная чистота сло- ев хлорида кадмия составляет 98 % , что обусловлено легированием CdTe атомами меди. Недостаток меди при использовании более чистого хлорида кадмия снижает эффективность ФЭП за счет возрас- тания последовательного электросопротивления и снижения плотности фототока. Экспериментально определено, что оптимальная толщина хлорида кадмия при проведении «хлоридной» обработки и до- стигнутая при этом эффективность ФЭП зависит от применяемой подложки. Так для ФЭП ITO/CdS/CdTe/Cu/Au оптимальная толщина хлорида кадмия составляет 0,40 мкм, эффективность – 9,6 %, а для ФЭП NaCl/ITO/CdS/CdTe/Cu/Au – 0,10 мкм и 6,4 %, соответственно.Досліджено процес осадження плівок хлориду кадмію при проведенні «хлоридної» обробки базових ша- рів телуриду кадмію для тонкоплівкових фотоелектричних перетворювачів (ФЕП). Встановлено, що для забезпечення відтворюваності товщини і фазового складу плівок хлориду кадмію необхідно враховувати високу гігроскопічність цього матеріалу. Показано, що оптимальна швидкість росту плівок хлориду кадмію становить 0,1 мкм в хвилину. При великих швидкостях зростання на поверхні базового шару CdTe осіда- ють макрочастки хлориду кадмію, що викликає шунтування ФЕП в процесі «хлоридної» обробки. Визначе- но, що після «хлоридної» обробки шарів CdTe спостерігається формування крупнозернистої структури, яка переважно орієнтована в термодинамічно рівноважному напрямку [422]. При цьому, середній розмір зерна зростає до 5 мкм. Показано, що при проведенні «хлоридної» обробки оптимальна чистота шарів хлориду кадмію становить 98 %, що обумовлено легуванням CdTe атомами міді. Недолік міді при використанні більш чистого хлориду кадмію знижує ефективність ФЕП за рахунок зростання послідовного електроопору і зниження щільності фотоструму. Експериментально визначено, що оптимальна товщина хлориду кадмію при проведенні «хлоридної» обробки і досягнута при цьому ефективність ФЕП залежить від застосовуваної підкладки. Так для ФЕП ITO/CdS/CdTe/Cu/Au оптимальна товщина хлориду кадмію становить 0,40 мкм, ефективність - 9,6 %, а для ФЕП NaCl/ITO/CdS/CdTe/Cu/Au - 0,10 мкм і 6,4 %, відповідно

Амплитудно-временные характеристики переключения в тонких пленках теллурида кадмия

The amplitude-time characteristics of switching in thin films of cadmium telluride were investigated when single impulses of 1 μs duration are applied. It has been experimentally established that with an increase in the thickness of the cadmium telluride layer from 3 m to 8 m, an increase in the operating threshold from 70 V to 105 V is observed. The maximum residual sample voltage varies from 12 V to 40 V, the minimum – from 5 V to 20 V. The switching time of the samples was no more than 2 nanoseconds; the interelectrode capacity of the samples was no more than 2 pF. All the test samples were operated without failure 20 times. The structural studies of cadmium telluride films by the method of X-ray diffractometry and scanning electron microscopy have made it possible to propose a mechanism for realizing the monostable switching of the columnar structure of cadmium telluride films oriented in the form of melted highconductivity channels in grains oriented in the direction.Были исследованы амплитудно-временные характеристики переключения в тонких пленках теллу- рида кадмия при подаче одиночных импульсов длительностью 1 мкс. Экспериментально установлено, что с ростом толщины слоя теллурида кадмия от 3 мкм до 8 мкм наблюдается увеличение порога срабатывания от 70 В до 105 В. Максимальное остаточное напряжение на образце изменяется от 12 В до 40 В, минимальное – от 5 В до 20 В. Время переключения образцов составляло не более 2 нсек, межэлектродная емкость образцов не более 2 пФ. Все исследуемые образцы сработали без отказа 20 раз. Проведенные структурные исследования пленок теллурида кадмия методом рентгеновской дифрактометрии и растровой электронной микроскопии позволили предложить механизм реализации моностабильного переключения, обусловленного образованиям расплавленных высокопроводящих каналов в зернах столбчатой структуры пленок теллурида кадмия, ориентированных в направлении.Були досліджені амплітудно-часові характеристики перемикання в тонких плівках телуриду кад- мію при подачі одиночних імпульсів тривалістю 1 мкс. Експериментально встановлено, що з ростом товщини шару телуриду кадмію від 3 мкм до 8 мкм спостерігається збільшення порогу спрацьовуван- ня від 70 В до 105 В. Максимальна залишкова напруга на зразку змінюється від 12 В до 40 В, мініма- льна – від 5 В до 20 В. Час перемикання зразків становив не більше 2 нсек, міжелектродна ємність зразків не більше 2 пФ. Всі досліджувані зразки спрацювали без відмови 20 разів. Проведені структу- рні дослідження плівок телуриду кадмію методом рентгенівської дифрактометрії та растрової елект- ронної мікроскопії дозволили запропонувати механізм реалізації моностабільного перемикання обу- мовленого утворенням розплавлених високопровідних каналів в зернах стовпчатої структури плівок телуриду кадмію, орієнтованих в напрямку

Фізичні основи створення безконтактних ультразвукових частотних сенсорів для дослідження нанокристалічних феромагнітних матеріалів

A mathematical model is developed to determine the force impacts that are formed when the electromagnetic field is transformed into a field of ultrasonic oscillations in the skin layer of an electrically conductive ferromagnetic material of an anisotropic magnetic permeability. The main factors determining the excited acoustic field with allowance for permissible limitations are established. It is shown that the main contribution to the acoustic vibrations energetics is made by the magnetostrictive component of the skin layer material, in which the high-frequency electromagnetic field is transformed into an acoustic field.Разработана математическая модель по определению силовых воздействий, формируемых при преобразовании электромагнитного поля в поле ультразвуковых колебаний в скин-слое электропроводного ферромагнитного материала анизотропного по магнитной проницаемости. Установлены основные факторы, определяющие возбуждаемое акустическое поле с учетом допустимых ограничений. Показано, что основной вклад в энергетику акустических колебаний вносит магнитострикционная составляющая материала скин-слоя, в котором происходит преобразование высокочастотного электромагнитного поля в акустическое.Розроблено математичну модель по визначенню силових впливів, які формуються при перетворенні електромагнітного поля в поле ультразвукових коливань в скін-шарі електропровідного феромагнітного матеріалу анізотропного по магнітній проникності. Встановлено основні фактори, що визначають збуджене акустичне поле з урахуванням допустимих обмежень. Показано, що основний внесок в енергетику акустичних коливань вносить магнітострикційна складова матеріалу скін-шару, в якому відбувається перетворення високочастотного електромагнітного поля в акустичне

Наноструктуровані тонкі плівки ZnO і CuI на полі(етілентерафталатних) стрічках для захисту від ультрафіолетового випромінювання

У роботі ми вивчаємо придатність для захисту від земної ультрафіолетової частини сонячного спектра нелегованих і легованих індієм тонких наноструктурованих плівок оксиду цинку, ZnO і ZnO:In, відповідно, і плівок йодиду міді (CuI), отриманих методом послідовної адсорбції та реакції іонних шарів (SILAR) на легких і недорогих гнучких підкладках з полі(етілентерефталата) (ПЕТ). Морфологія плівки спостерігалася методом скануючої електронної мікроскопії (SEM). Хімічний склад плівок досліджено методом рентгенофлуоресцентного (XRF) мікроаналізу. Для дослідження кристалічної структури ми використовували рентгенодифракційний метод (XRD). Здатність УФ захисту наноструктурованих тонких плівок, стрічок ПЕТ і зразків, що складаються з підкладок ПЕТ і плівок, нанесених на них методом SILAR, була оцінена на основі їх оптичних властивостей відповідно до міжнародного стандарту ISO 2443:2012 (E) "Визначення фотозахисту від УФА сонцезахисних кремів in vitro". Згідно з дослідженням, наноструктуровані тонкі плівки ZnO, ZnO:In і CuI, виготовлені дешевим, доступним і придатним для масового виробництва методом SILAR на тонких гнучких дешевих ПЕТ підкладках, були запропоновані в якості нового матеріалу для застосування в області екранування від ультрафіолетового випромінювання. Відповідно до міжнародного стандарту ISO 2443:2012 (E) здатність до УФзахисту зразків, що складаються з ПЕТ-підкладок і плівок, нанесених на них методом SILAR, відповідає категорії "відмінно" (50+). Кращим недорогим, гнучким і легким матеріалом, що захищає від ультрафіолетового випромінювання, виявився матеріал, що складається з плівки ZnO:In і ПЕТ підкладки, у якого сонцезахисний коефіцієнт дорівнює 157.In this work, we study a suitability for protection against terrestrial ultraviolet part of the solar spectrum of undoped and doped by indium zinc oxide thin nanostructured films, ZnO and ZnO:In, respectively, and cuprous iodide (CuI) films obtained via Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) techniques on the lightweight low cost poly(ethylene terephthalate) (PET) flexible substrates. The film morphology is observed by scanning electron microscopy (SEM). Chemical compositions of the films are investigated by X-ray fluorescence (XRF) microanalysis. To research crystal structure we used X-ray diffraction (XRD) method. The UV-protection ability of the nanostructured thin films, PET tapes and samples consisting of the PET substrates and the films deposited on them by the SILAR method has been evaluated on the base of their optical properties in accordance with an international standard ISO 2443:2012(E) "Determination of sunscreen UVA photoprotection in vitro". According to the research, nanostructured ZnO, ZnO:In and CuI thin films made by the cheap, affordable, and suitable for mass production SILAR method on thin flexible cheap PET substrates have been proposed as a new material for UV-shielding applications. In accordance with an international standard ISO 2443:2012(E), UV-protection ability of the samples consisting of the PET substrates and the films deposited on them by the SILAR method fits the category "excellent" (50+). The best low cost flexible and lightweight UV shielding material turned out to be that consisted from ZnO:In film and PET substrate, the sun protection factor of which equals 157

Змочуваність бавовняних і поліестерових тканин, покритих наноструктурованими шарами оксиду цинку, легованого індієм

Тонкі плівки легованого індієм оксиду цинку (ZnO:In) осаджувалися на тканини бавовни (Ct) і поліестеру (PET) методом послідовної адсорбції та реакції іонного шару (SILAR) з метою створення зручного в носінні, нетоксичного, легкого, і повітропроникного текстилю. Таким чином, ми отримали матеріали з ієрархічною мікро- та наномасштабною шорсткістю ZnO:In/Ct і ZnO:In/PET, відповідно. Отримані плівки ZnO:In мають однофазну нанозернисту полікристалічну гексагональну структуру типу вюрцит. Показано, що властива бавовні гідрофільність забезпечує змочуваність тканини ZnO:In/Ct як до, так і після вакуумного відпалу. Навпаки, тканина ZnO:In/PET гідрофобна, її кут контакту з водою CA дорівнює 140°. Виявилося, що можна надати супергідрофобні властивості тканині ZnO:In/PET без будь-якого додаткового просочувального шару за допомогою вакуумного відпалу при 200 °C протягом 1 або 2 год. Супергідрофобність цієї тканини була підтверджена як статичними, так і динамічними вимірами CA = 160° та гістерезисом контактного кута CAH = 10°, відповідно. Стан змочування Кассі-Бакстера для відпаленої тканини ZnO:In/PET визначається за допомогою техніки випаровування крапель води. Під впливом ультрафіолетового (УФ) випромінювання (26 Вт, довжини хвиль в діапазоні 315-400 нм) протягом 60 хв відпалені у вакуумі тканини ZnO:In/PET перетворюються із супергідрофобних у гідрофобні, їх СА зменшуються з 160° до ~ 130° і повертаються через 9 днів зберігання в темряві. Таким чином, ми отримали супергідрофобну тканину, яка залишається незмочуваною в умовах експлуатації на сонячному світлі.Indium-doped zinc oxide (ZnO:In) thin films were deposited onto cotton (Ct) and polyester (PET) fabrics via Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) method for the purpose of developing comfortable to wear, nontoxic, lightweight, and air-permeable textile. Thus, we obtained materials with hierarchical micro- and nanoscale roughness ZnO:In/Ct and ZnO:In/PET, respectively. The obtained ZnO:In films have a single-phase nanograined polycrystalline wurtzite hexagonal structure. It has been shown that the inherent cotton hydrophilicity provides wettability of ZnO:In/Ct fabric both before and after vacuum annealing. On the contrary, the ZnO:In/PET fabric is hydrophobic, its water contact angle CA equals 140°. It turned out that it is possible to impart superhydrophobic properties to the ZnO:In/PET fabric without any additional impregnation layer by means of post-growth vacuum annealing at 200 °C for 1 or 2 h. The superhydrophobiсity of this fabric was confirmed via both static and dynamic measurements of CA = 160° and contact angle hysteresis CAH = 10°, respectively. The Cassie-Baxter wetting state for the annealed ZnO:In/PET fabric is identified through a water-drop evaporation technique. Upon exposure to ultraviolet (UV) radiation (26 W, wavelengths in the 315-400 nm range) for 60 min, the vacuum annealed ZnO:In/PET fabrics are transformed from superhydrophobic to hydrophobic, their СAs reduced from 160° to ~ 130° and returned after 9 days of storage in the dark. Thus, we obtained a superhydrophobic fabric that remains non-wettable under operating conditions in sunlight

Вплив обробки у водневій плазмі тліючого розряду на шари оксиду цинку, виготовлені імпульсним електрохімічним осадженням і методом SILAR

У роботі ми досліджували вплив обробки в плазмі тліючого розряду Н2+ на шари ZnO, які були нанесені на покриті плівками легованого фтором оксиду олова (FTO) скляні підкладки шляхом низькотемпературного осадження з водних розчинів, а саме, методом імпульсного електрохімічного осадження і методом послідовної адсорбції і реакції іонних шарів (SILAR). Показано, що кристалічна структура, морфологія поверхні, хімічний склад і оптичні властивості після плазмової обробки зазнають деяких деструктивних змін через утворення кисневих вакансій Vo і пов'язаних з воднем дефектів, а також внаслідок того, що Н2+-плазма тліючого розряду здатна травити ZnO шляхом відновлення оксиду цинку і випаровування з поверхні Zn. Проте в цілому, наші дослідження продемонстрували досить добру стійкість шарів ZnO до радіаційного та хімічного впливів плазми при одержаній кожним зразком ZnO/FTO високій сумарній густині потоку Н2+ приблизно 8·1018 см – 2.In this work, we investigated the effect of glow-discharge H2+ plasma treatment on ZnO layers deposited on fluorine doped tin oxide (FTO) glass substrates through low temperature aqueous solution growth, namely, via a pulsed electrochemical deposition and by successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) technique. It is shown that the crystal structure, surface morphology, chemical composition and optical properties obtain some destructive changes after plasma processing due to the creation of oxygen vacancies Vo and H-related defects, and additionally, because of the zinc oxide etching by the glowdischarge H2+ plasma through reduction of zinc oxide and evaporation of Zn from the surface. Nevertheless, our investigations show quite good stability of the ZnO layers to the plasma-induced radiation and chemical impacts under high total H2+ fluence received by every ZnO/FTO sample ~ 8·1018 cm – 2

Гнучкий екологічно чистий термоелектричний матеріал із йодиду міді (1) та наноцелюлози для зеленої енергетики

Розроблено новий ефективний гнучкий гідрофобний термоелектричний (ТЕ) матеріал із підвищеною термічною стабільністю та механічною міцністю для виробництва зеленої енергії. Гнучка наноцелюлозна підкладка товщиною 8 мкм була отримана зі стебел звичайного очерету шляхом TEMPOопосередкованого окислення. Вона має високий індекс кристалічності 88 % і області когерентного розсіювання нанокристалів в межах від 2 до 3 нм. Плівка CuI товщиною 4,3 мкм була нанесена на підкладку NC методом послідовної адсорбції та реакції іонних шарів (SILAR), і таким чином був отриманий тонкоплівковий термоелектричний матеріал CuI/NC. Середній розмір областей когерентного розсіювання CuI становить 25 нм. Нанокристали CuI містять дислокації (1.6·1015 ліній/м2) і мікродеформації розтягу 6·103 від. од. Оптична заборонена зона Eg для прямих дозволених переходів у плівці CuI дорівнює близько 3,0 еВ. Висока гідрофобність матеріалу CuI/NC є корисною властивістю для застосування у вологому середовищі. Матеріал CuI/NC містить однакову кількість атомів міді та йоду. Крім того, в плівці йодиду міді присутня невелика кількість сірки (<1 ат.%), що збільшує фактор термоелектричної потужності матеріалу CuI/NC до 6,7 мкВт/(м К2) при T = 340 K.. Його позитивний коефіцієнт Зеєбека S = 108 µV/K підтвердив p-тип провідності CuI. Зміна питомого опору при початковому нагріванні та подальшому охолодженні продемонструвала кросовер електропровідності, який є типовим для плівок нанокристалічного виродженого напівпровідника CuI. Зразок CuI/NC у вигляді смужки 3 см x 1 см тестували як планарний тонкоплівковий ТЕ елемент. Експериментально зафіксовано щільність вихідної потужності TE елемента CuI/NC 0.123 Вт/м2 при різниці між його гарячим і холодним краями 40 К.Herein, we have developed a new efficient flexible hydrophobic thermoelectric (TE) material with increased thermal stability and mechanical strength for green energy production. The 8 µm thick flexible nanocellulose (NC) substrate was obtained from stalks of common reed by TEMPO-mediated oxidation. It has a high crystallinity index of 88 % and the amount of coherent scattering of nanocrystals in the range from 2 to 3 nm. A CuI film with a thickness of 4.3 µm was deposited on the NC substrate by the Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR), and thus a CuI/NC thin film thermoelectric material was obtained. The average size of the CuI coherent scattering regions is 25 nm. CuI nanocrystals contain dislocations (1.6·1015 lines/m2) and tensile microstrains of 6·103 arb. units. The optical band gap Eg for direct allowed transitions in the CuI film is about 3.0 eV. The high hydrophobicity of the CuI/NC material is a useful feature for applications in humid environments. The CuI/NC material contains the same number of copper and iodine atoms. In addition, a small amount of sulfur (< 1 at.%) is present in the copper iodide film, which increases the thermopower coefficient of CuI/NC to 6.7 µW/(m K2) at T = 340 K. Its positive Seebeck coefficient S = 108 µV/K confirmed the p-type conductivity of CuI. The change in the resistivity upon initial heating and subsequent cooling demonstrated the electrical conductivity crossover typical of films of nanocrystalline degenerate semiconductor CuI. A CuI/NC sample in the form of a 3 cm x 1 cm strip was tested as a planar thin film TE element. The output power density of a CuI/NC TE element 0.123 W/m2 was experimentally recorded at a difference between its hot and cold edges of 40 K

Вплив УФ випромінювання позаземної сонячної радіації на структуру і властивості плівок ZnO виготовлених імпульсним електрохімічним осадженням і методом SILAR

Дослідження впливу довгохвильового (УФА) і короткохвильового (УФС) ультрафіолетового випромінювання позаземної сонячної радіації на наноструктуровані масиви оксиду цинку, які були вирощені імпульсним електроосадженням, а також на плівки ZnO і ZnO:In, виготовлені методом послідовної адсорбції і реакції іонних шарів (SILAR) підтвердили їх придатність в якості УФА-активних фоточутливих матеріалів. Кристалічна структура, морфологія поверхні, хімічний склад і оптичні властивості не виявили явних, значних, деградуючих змін після УФС опромінення. Однак, ми виявили деякі незворотні зміні в природі точкових дефектів під впливом УФС, які впливають на питомий електроопір, енергію активації, фоточутвливість і термоелектричні властивості ZnO і ZnO:In.The investigations of effect of long-wave (UVA) and short-wave (UVC) ultraviolet light of extraterrestrial solar irradiance on the nanostructured zinc oxide arrays, which were grown by pulsed electrodeposition, as well as on the ZnO and ZnO:In films produced by Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction technique (SILAR) confirmed their suitability as UVA-active photosensitive materials. The crystal structure, surface morphology, chemical composition and optical properties found no obvious significant destructive changes after UVC irradiation. However, we detected some irreversible changes in the nature of point defects under the influence of UVC, which affect the ZnO and ZnO:In resistivity, activation energy, photosensitivity and thermoelectrical properties