The amplitude-time characteristics of switching in thin films of cadmium telluride were investigated
when single impulses of 1 μs duration are applied. It has been experimentally established that with an increase
in the thickness of the cadmium telluride layer from 3 m to 8 m, an increase in the operating
threshold from 70 V to 105 V is observed. The maximum residual sample voltage varies from 12 V to 40 V,
the minimum – from 5 V to 20 V. The switching time of the samples was no more than 2 nanoseconds; the
interelectrode capacity of the samples was no more than 2 pF. All the test samples were operated without
failure 20 times. The structural studies of cadmium telluride films by the method of X-ray diffractometry
and scanning electron microscopy have made it possible to propose a mechanism for realizing the monostable switching of the columnar structure of cadmium telluride films oriented in the form of melted highconductivity channels in grains oriented in the direction.Были исследованы амплитудно-временные характеристики переключения в тонких пленках теллу-
рида кадмия при подаче одиночных импульсов длительностью 1 мкс. Экспериментально установлено,
что с ростом толщины слоя теллурида кадмия от 3 мкм до 8 мкм наблюдается увеличение порога срабатывания от 70 В до 105 В. Максимальное остаточное напряжение на образце изменяется от 12 В до 40 В, минимальное – от 5 В до 20 В. Время переключения образцов составляло не более 2 нсек, межэлектродная емкость образцов не более 2 пФ. Все исследуемые образцы сработали без отказа 20 раз. Проведенные структурные исследования пленок теллурида кадмия методом рентгеновской дифрактометрии и растровой электронной микроскопии позволили предложить механизм реализации моностабильного переключения, обусловленного образованиям расплавленных высокопроводящих каналов в зернах столбчатой структуры пленок теллурида кадмия, ориентированных в направлении.Були досліджені амплітудно-часові характеристики перемикання в тонких плівках телуриду кад-
мію при подачі одиночних імпульсів тривалістю 1 мкс. Експериментально встановлено, що з ростом
товщини шару телуриду кадмію від 3 мкм до 8 мкм спостерігається збільшення порогу спрацьовуван-
ня від 70 В до 105 В. Максимальна залишкова напруга на зразку змінюється від 12 В до 40 В, мініма-
льна – від 5 В до 20 В. Час перемикання зразків становив не більше 2 нсек, міжелектродна ємність
зразків не більше 2 пФ. Всі досліджувані зразки спрацювали без відмови 20 разів. Проведені структу-
рні дослідження плівок телуриду кадмію методом рентгенівської дифрактометрії та растрової елект-
ронної мікроскопії дозволили запропонувати механізм реалізації моностабільного перемикання обу-
мовленого утворенням розплавлених високопровідних каналів в зернах стовпчатої структури плівок
телуриду кадмію, орієнтованих в напрямку
