Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善

利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统在650℃生长出表面光亮的GeSi单晶。在1200L/min分子泵与前级机械泵间串接450L/min分子泵，改善了生长环境。串接分子泵后生长的样品的X射线双晶衍射分析表明，外延层衍射峰半宽仅为198arcsec，且出现了Pendellosung干涉条纹，说明外延层结晶质量很好

UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学

利用SiH_4和GeH_4作为源气体，对UHV/CVD生长Si_(1-x)Ge_x/Si外延层的表面反应机理进行了研究，通过TPD、RHEED等实验观察了Si(100)表面SiH_4的饱和吸附、热脱附过程，得出SiH_4的分解应该是每个SiH_4分子的4个H原子全部都吸附到了Si表面，SiH_4的吸附率正比于表面空位的4次方，并分析了GeH_4的表面吸附机制。在此基础上建立了UHV/CVD生长Si_(1-x)Ge_x/Si的表面反应动力学模型,利用模型对实验结果进行了模拟，二者符合得很好

用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料

分析了Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元系材料外延生长的特点，指出原子性质上的巨大差异使Si_(1-x-y)G_xC_y材料的制备比较困难。固相外延生长是制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y的有效方法，但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择。通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的造反与外延层结晶质量的关系。指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量，而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应，影响以后的再结晶过程。采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷，而二次外延退火存在着一个最佳退火温区，在此基础上优化得出了固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y/Si材料的最佳条件