铝离子对锌电积用alpb02ag合金阳极电化学性能的影响

采用循环伏安、塔菲尔曲线、阳极极化、交流阻抗测试研究在含不同铝离子（Al3＋）浓度的锌电解液中极化24h后的Al／Pb-02％ag（质量分数）阳极的腐蚀行为和析氧行为，并通过扫描电镜和X射线衍射仪分别观察阳极的表面形貌和阳极氧化膜的物相组成。结果表明：随着Al3＋浓度的增大，阳极的析氧电位、白腐蚀电流密度以及电极的电荷传质电阻呈现出逐渐增大的趋势；表观交换电流密度呈现出逐渐减小的趋势；α-PbO2（111）衍射峰强度呈现出逐渐减弱的趋势，Pb（101）衍射峰强度呈现出逐渐增强的趋势；阳极表面氧化层被腐蚀的程度逐渐加深。Ap＋的存在降低了阳极的耐腐蚀性能和导电性能

铝离子对锌电积用alpb02ag合金阳极电化学性能的影响

采用循环伏安、塔菲尔曲线、阳极极化、交流阻抗测试研究在含不同铝离子（Al3＋）浓度的锌电解液中极化24h后的Al／Pb-02％ag（质量分数）阳极的腐蚀行为和析氧行为，并通过扫描电镜和X射线衍射仪分别观察阳极的表面形貌和阳极氧化膜的物相组成。结果表明：随着Al3＋浓度的增大，阳极的析氧电位、白腐蚀电流密度以及电极的电荷传质电阻呈现出逐渐增大的趋势；表观交换电流密度呈现出逐渐减小的趋势；α-PbO2（111）衍射峰强度呈现出逐渐减弱的趋势，Pb（101）衍射峰强度呈现出逐渐增强的趋势；阳极表面氧化层被腐蚀的程度逐渐加深。Ap＋的存在降低了阳极的耐腐蚀性能和导电性能

Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响

制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT).实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高.Ge组分从0.20增加到0.23,HBT的最大直流电流增益从60增加到158,提高了约2.6倍

Effect of Ge Content on DC Characteristics of SiGe HBT

制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT)。实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高。Ge组分从0.20增加到0.23,HBT的最大直流电流增益从60增加到158,提高了约2.6倍。Multi-finger double-mesa SiGe heterojunction bipolar transistors (HBT) with Ge content of 0.20 and 0.23 have been fabricated. With a little increase of Ge content from 0.20 to 0.23,the current gain increases as much as 2.6 times. Although the ratio of recombination current increases with increase of Ge content in base,due to high injection of minor carriers from the emitter to base,the total base current decreases and the collector current increases with increase of Ge content.福建省青年科技人才创新基金(2004J021);; 国家自然科学基金(60676027,50672079);; 福建省科技重点项目(2006H0036