Expression profile of voltage-gated potassium channel Kv1.3 in aorta of atherosclerosis rats

目的探讨动脉粥样硬化(AS)大鼠主动脉病变局部离子通道kV1.3的表达水平及作用。方法雄性WISTAr大鼠16只,随机分为两组:正常组(8只,予普通饮食+0.9%氯化钠溶液)和AS组(8只,予高脂饮食+维生素d3负荷)。采用组织病理学检查,观察主动脉粥样硬化病变。采用实时定量反转录-聚合酶链反应(rT-PCr)和WESTErn印迹法检测主动脉病变局部kV1.3和白细胞介素(Il)-2、干扰素(Ifn)-γ的表达水平。结果组织病理学检查证实纤维增生性AS斑块。AS组的kV1.3MrnA为(31.48±8.64)x10-3,显著高于正常组的(3.28±0.79)x10-3(P=0.012)。AS组的kV1.3、Il-2、Ifn-γ蛋白表达量分别为0.691±0.067、0.611±0.055、0.759±0.050,均显著高于正常组的0.490±0.052、0.299±0.058、0.273±0.052(P值均<0.01)。结论 kV1.3在主动脉粥样硬化病变局部的表达增高。kV1.3可能在AS的发生和发展过程中发挥着重要的作用。Objective To investigate the expression of voltage-gated potassium channel Kv1.3 in the aorta of a rat model of atherosclerosis and its role in the progress of atherosclerotic plaque formation.Methods A total of 16 male Wistar rats were randomly divided into normal control(normal diet and saline)and atherosclerosis group(high lipid diet+Vitamin D3 overload),with 8 rats in each group.In 16 weeks later,all rats were killed after weighing,and their blood samples and aorta were collected.Pathological changes of the rat aortic artery were observed with HE staining.Real time RT-PCR and Western blotting analysis were used to determine the mRNA and protein expression of Kv1.3 and the protein expressions of interleukin(IL)-2 and interfereron(IFN)-γ.Results Pathological changes showed that fiber proliferative atherosclerotic plaques were found in the aorta of atherosclerosis group,with inflammatory cells infiltrating in the local lesion.Real time RT-PCR analysis showed that the expression of Kv1.3 mRNA in the aorta was increased significantly in the atherosclerosis rats than that in the controls([31.48±8.64]×10-3 vs.[3.28±0.79]×10-3,P<0.05).Western blotting analysis showed that the protein expression of Kv1.3,IL-2 and IFN-γ in the aorta were also increased significantly in the atherosclerotic rats than that in the controls(Kv1.3[0.691±0.067] vs.[0.490±0.052],IL-2 [0.611±0.055] vs.[0.299±0.058],IFN-γ [0.759±0.050] vs.[0.273±0.052],P<0.01 n=8).Conclusion The expression of Kv1.3 potassium channels is increased in the plaques of atherosclerotic rats.Kv1.3 may play an important role in the development and progression of atherosclerosis.国家自然科学基金资助项目(30871045

舒芬太尼复合异丙酚抑制气管插管应激反应的效果

【目的】比较靶控输注不同剂量舒芬太尼复合异丙酚抑制气管插管应激反应的效果。【方法】60例择期上腹部手术患者，ASAⅠ～Ⅱ级，随机分为3组m=20），全麻诱导时，A组、B组、C组分别靶控输注效应室浓度为0．3、0．5、0．7ng／mL的舒芬太尼2min后．均输注效应室靶浓度为4μg／mL的异丙酚，病人意识消失后给予维库溴铵行气管插管。记录全麻诱导前1min（T1）、气管插管后1min（T2）、3min（T3、10min（T4）各时点平均动脉压（MAP）、心率（HR）；并于T1、T2、T4时点采集桡动脉血，测定血浆肾上腺素（AD）和去甲肾上腺素（NA）浓度。【结果】（1）A组T2时点MAP、HR比T。时点明显升高（P〈0．0S），C组T2、T3、T4时点MAP明显低于A组（P〈0．05），C组T2、T3时点HR明显低于A组（P〈0．05），C组L、T4时点MAP低于B组（P〈0．05）；（2）A组T2时点血浆AD和NA浓度较T1时点明显升高（P〈0．05）、较B组高（P〈0．05）、较C组高（P〈0．05）。【结论】靶控输注舒芬太尼复合异丙酚可以有效抑制气管插管应激反应，其中舒芬太尼效应室浓度0．5ng／mL复合异丙酚效应室浓度4μg／mL靶控输注的效果较好

Electrical properties of boron- and phosphorous-doped microcrystalline silicon thin films prepared by magnetron sputtering of heavily doped silicon targets

The boron(B)- and phosphorous(P)-doped microcrystalline silicon (Si) thin films were prepared by magnetron sputtering of heavily B- and P-doped Si targets followed by rapid thermal annealing (RTA), their electrical properties were characterized by temperature-dependent Hall and resistivity measurements. It was observed that the dark conductivity and carrier concentration of the 260 nm B-doped Si films annealed at 1,100 C in Arwere 3.4 S cm-1 and 1.6 9 1019 cm-3, respectively, which were about one order of magnitude higher than that of P-doped Si films. The activation energy of the B- and P-doped Si films were determined to be 0.23 eV and 0.79 eV, respectively. The dark conductivity of B- and P-doped Si films increased with the increase of film thickness, RTA temperature, and the incorporation of H2 in Ar during RTA. The present work provides an easy and non-toxic method for the preparation of doped microcrystalline Si thin films

应用型本科高校的学术研究型人才培养可行性分析探讨

应用型本科高校以培养技能型人才为办学定位和目标，投入了大量的资源和精力。然而，也有不少学生通过考研升学的方式进入高等学府进行学术深造。因此，应用型本科高校人才培养改革需要立足学校实际情况，在一手抓技能型人才培养的同时，也不可忽视学术研究型人才的培养，探索人才培养多元化的道路，这对于应用型本科高校的建设和发展具有积极的影响。</jats:p

淤泥的爆坑与表面条形药包装药处理软基的实验研究

提出用泥面爆炸填石排淤方法代替常用的泥下爆炸填石排淤。用模型实验研究了药量、水深和药包埋深之间的相互关系，给出了泥面爆炸的药量公式，揭示了覆盖水深和药包埋深与爆坑形状的关系。在此基础上可以进行爆炸处理软基的优化设计

钙钛矿/晶硅叠层太阳电池关键材料与技术研究进展

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一种单分散磁性能可控Fe3O4-SiO2核壳球簇的制备方法

本发明公开了一种单分散磁性能可控Fe3O4-SiO2核壳球簇的制备方法，以乙二醇作为溶剂，于200～300℃下，以可溶性三价铁离子盐作为前驱体，溶剂热法合成四氧化三铁磁珠的基础上，通过调制合成过程中表面活性剂的剂量和分子量、铁离子的浓度以及原硅酸四乙酯水解量的方式，最终获得Fe3O4-SiO2核壳磁珠，其调制饱和磁化强度范围为20～85emu/g。该制备方法原料易得，设备简单，操作方便，贴近实际生产与应用，可满足靶向给药，催化剂负载，磁记录等领域对不同磁性能负载的实际应用需求

条形药包泥面爆炸爆坑发展过程的X光摄影研究

用Ｘ光摄影技术研究了导爆索在泥面爆炸时爆坑的发展过程，得到的各瞬时爆坑轮廓线可用椭圆方程描述，瞬时最大爆坑深度约为７０～８０倍药芯半径，瞬时最大爆坑宽度约为２００倍药芯半径，爆坑深度随时间成对数关系增长，未见临空面对其有明显影响，临空面对爆坑的影响出现在爆坑宽度为６０～８０倍药芯半径之后，爆坑有回缩现象

一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法

本发明公开了一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法，采用离子束辅助磁控溅射技术，以硼原子的掺杂量为0.02~0.2at%的硼掺杂单晶硅作为磁控溅射靶材进行溅射，本底真空度为10?4~10?5Pa，射频功率为100~300W，溅射气体为氩气和氢气的混合气体，溅射气体总气压为0.1~0.5Pa，衬底温度为100~400℃，以高纯氩气作为辅助离子源形成氩辅助离子束，氩辅助离子束的能量为100~800eV，束流为5~30mA，在衬底的表面溅射沉积形成薄膜的同时氩辅助离子束撞击薄膜表面，得到低硼掺杂下高电导率a-Si:H氢化非晶硅薄膜；本发明制备工艺简单，成本低，适合大规模工业化生产；采用本发明方法制备的低硼掺杂的a-Si:H薄膜具有高电导率及较好的结构特性，满足硅基薄膜太阳电池窗口层材料的要求，有利于提高太阳电池性能

一种面心立方相硅晶体薄膜的制备方法

本发明公开了一种面心立方相硅晶体薄膜的制备方法，步骤为：以Si和Al为靶材进行共溅射，溅射压力为0.1～20Pa，铝靶的溅射功率为30～200W，硅靶的溅射功率为80～300W，在衬底表面沉积得到AlxSi1-x混合薄膜，其中，0.05&lt;x&lt;0.8；再将得到的AlxSi1-x混合薄膜经退火处理后得到所述的面心立方相硅晶体薄膜。本发明提供了一种面心立方相硅晶体薄膜的制备方法，在常压下即可制备得到，薄膜中含有显著的面心立方相硅晶体，薄膜厚度可以达到500nm以上，达到器件应用级水平的要求