锂离子电池三元层状氧化物正极材料失效模式分析

镍钴锰三元层状氧化物(NCM)正极材料由于其优越的综合性能在动力/储能电池系统(ESS)领域得到广泛应用。虽然Ni含量的增加可提高三元材料的比容量及电池的能量密度,但相关电池体系的容量保持率和安全性将会变差。如何有效解决该矛盾是此类NCM电池所面临的关键问题。本文从NCM电池体系循环过程中常见的体相结构破坏和正极-电解液界面组成改变两方面失效现象出发,结合近年来国内外对NCM失效模式研究中所提出的新理论、方法、应用,从机械破坏、结构演变、电化学极化、化学副反应、正负极协同效应等多个角度对NCM材料的衰退机理提出见解,对指导电池用户合理制定充放电协议、缓解电动汽车(EV)里程焦虑乃至材料设计本身均有重要的指导及借鉴意义。国家重点研发计划资助（2018YFB0104400,2018YFB0905400

类泛素蛋白及其中文命名

泛素家族包括泛素及类泛素蛋白,约20种成员蛋白.近年来,泛素家族领域取得了迅猛发展,并已与生物学及医学研究的各个领域相互交叉.泛素家族介导的蛋白质降解和细胞自噬机制的发现分别于2004和2016年获得诺贝尔奖.但是,类泛素蛋白并没有统一规范的中文译名. 2018年4月9日在苏州召开的《泛素家族介导的蛋白质降解和细胞自噬》专著的编委会上,部分作者讨论了类泛素蛋白的中文命名问题,并在随后的\"泛素家族、自噬与疾病\"(Ubiquitinfamily,autophagy anddiseases)苏州会议上提出了类泛素蛋白中文翻译草案,此草案在参加该会议的国内学者及海外华人学者间取得了高度共识.冷泉港亚洲\"泛素家族、自噬与疾病\"苏州会议是由美国冷泉港实验室主办、两年一度、面向全球的英文会议.该会议在海内外华人学者中具有广泛影响,因此,参会华人学者的意见具有一定的代表性.本文介绍了10个类别的类泛素蛋白的中文命名,系统总结了它们的结构特点,并比较了参与各种类泛素化修饰的酶和它们的生物学功能.文章由45名从事该领域研究的专家合作撰写,其中包括中国工程院院士1名,相关学者4名,长江学者3名,国家杰出青年科学基金获得者18名和美国知名高校华人教授4名.他们绝大多数是参加编写即将由科学出版社出版的专著《泛素家族介导的蛋白质降解和细胞自噬》的专家

Combustion Synthesis and Electrochemical Properties of the Small Hydrofullerene C50H10

通讯作者地址: Xie, SY (通讯作者),Xiamen Univ, Coll Chem & Chem Engn, State Key Lab Phys Chem Solid Surfaces, Xiamen 361005, Peoples R China 地址: 1. Xiamen Univ, Coll Chem & Chem Engn, State Key Lab Phys Chem Solid Surfaces, Xiamen 361005, Peoples R China 2. Xiamen Univ, Coll Chem & Chem Engn, Dept Chem, Xiamen 361005, Peoples R China 3. Xiamen Univ, Sch Life Sci, Xiamen 361005, Peoples R China 电子邮件地址: [email protected]; [email protected] hydrofullerene C50H10 is synthesized by low-pressure benzeneoxygen diffusion combustion. The structure of C50H10 is identified through NMR, mass spectrometry, and IR and Raman spectroscopy as a D5h symmetric closed-cage molecule with five pairs of fused pentagons stabilized by ten hydrogen atoms. UV/Vis and fluorescence spectrometric analyses disclose its optical properties as comparable with those of its chloride cousin (C50Cl10). Cyclic and square-wave voltammograms reveal that the first reduction potential of C50H10 is more negative than that of C50Cl10 as well as C60, with implications for the utilization of C50H10 as a promising electron acceptor for photovoltaic applications.973 projects 2011CB935901 NSFC 21031004 21021061 2077310

一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法

本发明涉及一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法，包括以下步骤：一、在SOI的顶层表面通过光刻结合刻蚀工艺将顶层材料刻穿至到达SOI的埋层材料，在所述SOI的埋层表面形成若干个独立的热隔离柱；二、将所述步骤一中形成的热隔离柱与衬底键合；三、去除SOI的底层材料，露出SOI的埋层底面；四、采用光刻结合刻蚀工艺，对所述步骤三中非热隔离柱区域对应的SOI的埋层进行刻蚀至刻穿，形成若干个独立的像素点；五、采用电子束蒸镀方法，在所述步骤四的像素点表面制备可调谐热光带通滤波器。本发明通过引入键合工艺，在实现像素点之间热隔离的同时，避开使用牺牲层，制造工艺简单可靠，更有利于技术的推广普及

硅基近红外探测器研究进展

介绍了近年来在硅基近红外探测器方面所取得的最新进展，分析并讨论了各种吸收区材料以及器件结构，并对其发展与应用进行了展望

A (t,n) Threshold Group Signature Scheme Based on MSP Secret Sharing

门限群签名是群签名中重要的一类,它是秘钥共享与群签名的有机结合.本文通过文献[5]中的MSP方案(Monotone Span Program),提出了一种新的门限群签名方案.在本签名方案建立后.只有达到门限的群成员的联合才能生成一个有效的群签名.并且可以方便的加入或删除成员.一旦发生争议.只有群管理员才能确定签名人的身份.该方案能够抵抗合谋攻击:即群中任意一组成员合谋都无法恢复群秘钥k.本方案的安全性基于Gap Diffie-Hellman群上的计算Diffie-Hellman问题难解上.因此在计算上是安全的.In this paper,a new(t,n)threshold group signature scheme is proposed based on Montone Span Programs.When the scheme is built,a set of members whose number is over the threshold can make a valid group signature.When the dispute occupys,only the authority can determine who is the real signer.The scheme can withstand conspiracy attacks.The security of tiffs scheme is based on the harness of the computational Diffie-Hellman(CDH)problems.Therefore,the schemes is secure for calculation.国家自然科学基金(10371032

A(t,n) threshold group signature scheme based on Mignotte's sequence

电子学报中曾提出了一个在不改变其他有效群成员的签名密钥的情况下,可安全快速地加入或删除群成员的群签名方案。但此方案没有涉及到实际运用中需要设置门限的情况,现对原方案做了改进和推广,保留了原方案中可安全快速地加入或删除群成员的优点,推广到了每次参与签名人数变动较大,并需要设置门限的情况,利用中国剩余定理提出了一个新的基于Mignotte’s门限秘密共享方案的(t,n)门限群签名方案。A group signature scheme that can enlist in and delete a group member safely and quickly without changing the secret keys of other available group members has been proposed in Electronic Journal.The scheme did not deal with the situation of setting threshold.This paper presents a new threshold group signature scheme by extending the Chen Ze-wen's construction.The scheme based on Mignotte's sequence makes use of the Chinese remainder theorem

Ge/Si量子点的生长研究进展

要有效应用SK模式生长的Ge量子点,必须实现Ge量子点的位置可控并且进一步缩小Ge量子点的尺寸.阐释了这方面的研究进展,特别对图形衬底生长Ge量子点,利用Si表面的自组织性在错切割的邻晶面衬底上生长有序Ge岛,表面杂质诱导成岛这三个方面的进展加以介绍分析