Preparation of Advanced Silica Materials by Using Pressurized Carbonation Technology

二氧化硅是一种化学性质稳定、无毒、无味的无定型态白色或无色材料，它具有良好的分散性、消光性、补强性、绝热性、绝缘性以及触变性等性能，被广泛应用于橡胶行业、涂料行业、石油化工行业、农药行业以及日用化学品等行业，而各行业和新应用领域的进展对二氧化硅的性能提出了更高的要求。碳化反应和超临界流体干燥技术作为绿色工艺技术，在纳米材料的制备中既能实现CO2的固定，又能减少纳米颗粒团聚和保护多孔纳米材料的结构，已引起了人们的广泛关注。基于此，本文研究应用加压（含超、亚临界二氧化碳参与）碳化反应结合超临界干燥技术制备高性能二氧化硅，研究不同工艺及条件对产品性能的影响。 以硅酸钠为硅源，采用超/亚临界（指超、...Silica is a kind of chemical stable, non-poisonous and tasteless white or transparent amorphous material. Because of some special properties such as dispersible feature, matting effect, reinforcing performance, thermal insulation, insulativity, thixotropy, etc, it has been widely used in the rubber, coating, petrochemical, pesticide, daily chemical industries. Following the development of these in...学位：工学硕士院系专业：化学化工学院_化学工程学号：2062010115149

大肠杆菌来源的人乳头瘤病毒11型病毒样颗粒的制备及其免疫原性

【目的】利用大肠杆菌表达系统制备人乳头瘤病毒11型病毒样颗粒(HPV11VLPs),并对其免疫原性和所诱导中和抗体的型交叉反应性进行研究。【方法】在大肠杆菌ER2566中非融合表达HPV11-L1蛋白,并通过离子交换层析,疏水相互作用层析其进行纯化。纯化后的HPV11-L1经体外组装形成病毒样颗粒,通过动态光散射,透射电镜检测其形态,并通过多种HPV型别假病毒中和实验评价HPV11VLPs的免疫原性及型交叉反应性。【结果】HPV11-L1蛋白在大肠杆菌中可以以可溶形式表达。经过硫酸铵沉淀、离子交换和疏水相互作用色谱纯化,目的蛋白纯度能够达到95%以上。纯化的HPV11-L1蛋白去除还原剂DTT后,能够在体外自发组装成为直径约50nm、与天然病毒颗粒形态高度相似的VLPs。动物实验结果显示,该病毒样颗粒在小鼠体内的中和抗体半数有效剂量(ED50)为0.031μg,在小鼠体内可诱导高达106的中和抗体滴度,这些中和抗体与HPV6有较好的交叉反应,与HPV18有一定的交叉反应,而与HPV16没有明显的交叉反应,这一结果与分子进化树的分析相一致。【结论】本研究利用原核表达系统获得了具有较高免疫原性的HPV11VLPs,为HPV11预防性疫苗的研制奠定了良好的基础

人乳头瘤病毒18型病毒样颗粒在大肠杆菌中的表达及免疫原性分析

利用大肠杆菌表达系统可溶性表达人乳头瘤病毒18型(HPV18)L1蛋白,经过纯化和重组装过程获得HPV18病毒样颗粒(VLPs),研究其免疫原性和诱发中和抗体生成的水平。首先,提取HPV18的基因组DNA,通过PCR扩增获得HPV18 L1基因片段,将其插入pTrxFus表达载体,在大肠杆菌中可溶性表达HPV18 L1蛋白;其次,通过硫酸铵沉淀、离子交换层析和疏水相互作用层析获得高纯度的HPV18 L1蛋白,而后透析去除预先加入的还原剂DTT,使HPV18 L1蛋白自发组装成VLPs;最后,通过动态光散射技术和透射电子显微镜鉴定HPV18 VLPs的大小和形态,利用假病毒细胞中和实验评价HPV18 VLPs在实验动物体内的免疫原性和中和抗体生成水平。结果表明,HPV18L1蛋白可以在大肠杆菌表达系统中以可溶形式表达,经过纯化的HPV18 L1蛋白可以自发组装成为半径约为29.34nm、与HPV病毒外观相似的VLP。该VLPs在小鼠体内的中和抗体半数有效剂量为0.006μg,在兔及山羊体内诱导中和抗体滴度高达107。总之,本研究利用原核表达系统可简便高效地获得具有高度免疫原性的HPV18 VLPs,为HPV18预防性疫苗的开发奠定了基础,具有重要的应用意义

Study on thermal characteristics for power LED arc-array system

为准确计算lEd光场以及内部温度场的分布,结合有限体积数值模拟、非成像光学方法建立了单个lEd光学以及热学模型,并通过实验测试证实模型的有效性。在此基础上,采用能量叠加原理讨论了lEd弧面阵列系统目标平面区域的照度分布,得到了在特定距离的目标平面上均匀的照度分布。通过对复合型散热器系统结构中散热通道内钉柱与翅片的位置尺寸、基板厚度和器件间距的优化设计,增强了热交换效果。In this paper,the optical and thermal model of a single LED is established with finite volume thermal simulation method and non-imaging optics to accurately calculate the optical field and temperature field distributions.Experiments are conducted to confirm the validity of the model.Then the luminous intensity distribution on the target plane of the LED arc-array system is discussed by energy superposition theory,and the uniform illumination can be obtained on the target plane at a certain distance.Furthermore,the sices of fins and pins of the composite heatsink,the base thickness and component spacing are optimized for heat convection enhancement.福建省科技计划重点项目(2011H0021;2011H6025;2012H0039);福建省自然科学基金(2011J05162);福建省教育厅A类科技项目(JA11175);漳州师范学院科学研究(SJ1017)资助项

Development of high Al content structural Ⅲ nitrides and their applications in deep UV-LED

随着高gA组分Ⅲ族氮化物相关研究的日趋深入和生长技术的日益成熟,人们逐渐将研究重心转向具有更宽带隙的高Al组分Ⅲ族氮化物。该材料常温下带隙宽至6.2 EV,可覆盖短至210 nM的深紫外波长范围,具有耐高温、抗辐射、波长易调控等独特优点,因而是制备紫外发光器件的理想材料。目前,高Al组分Ⅲ族氮化物材料质量不高,所制备的深紫外lEd发光器件仍存在内量子效率、载流子注入效率和沿C轴方向正面出光效率较低的难题,因而制约了高效紫外发光器件的制备。本文着重介绍了近年来在高Al组分Ⅲ族氮化物生长动力学方面的研究进展,总结和梳理了量子结构设计、内电场调控以及晶体场调控等方面的相关研究,以期实现高质量深紫外lEd的制备。Along with the extensive investigations and growth technology maturation on high Ga content III-nitrides,researchers have moved their focus onto high Al content III-nitrides.Given a wider band gap up to 6.2 eV at room temperature,covering UV-light area as short as 210 nm,as well as other advantages of III-nitrides,high Al content III-nitrides are ideal materials for the fabrication of UV-light emitting devices.At present,there are certain challenges in the fabrication of UV-light emitting devices with high internal quantum efficiency,carrier injection efficiency and light-extraction efficiency due to the low quality materials.In this work,the progress on growth kinetics of high Al content III-nitrides in recent years has been reviewed comprehensively,and the corresponding researches in quantum structure design,internal electric field modification and crystalline field modification have been overviewed and analyzed.This review is expected to be informative for the fabrication of deep UV-LEDs.“973”规划项目(2012CB619301、2011CB25600); “863”计划项目(2011AA03A111); 国家自然科学基金项目(61227009、90921002); 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2012121014、CXB2011029); 福建省自然科学基金计划项目(2012J01024