黄绿光发光二极管光衰性能研究

AlGaInP是GaAs基LED有源区主要材料,广泛应用于黄绿光至红光波段的LED。但在短波段尤其是黄绿光波段（565～575 nm）,因其材料组成较接近间接带隙,其发光效率和稳定性存在问题。目前黄绿光功率衰减以俄歇复合损耗、非复合辐射中心损耗、载流子损耗为主。所以研究相同生长温度不同阱垒厚度、量子阱相同厚度不同生长温度、P型掺杂层掺杂浓度对发光光衰的影响。发现较薄的MQW阱垒厚度、较高的MQW生长温度及P-space后端P型层前端插入一层20 nm厚度,1.7×1018 cm-3浓度的高掺杂层三种方案可以改善黄绿光发光二极管光衰性能。天津市科技支撑、新材料重大专项项目(17YFZCGX00330,18ZXCLGX00080

In0.53Ga0.47As/InP高速光电二极管材料生长及光电性能

利用低压MOCVD技术制备PIN结构的InP基InGaAs外延材料。采用分层吸收渐变电荷倍增（SAGCM）结构,通过两次Zn扩散、多层介质膜淀积、Au/Zn p型欧姆接触、Au/Ge/Ni n型欧姆接触等标准半导体平面工艺,设...天津市科技支撑、新材料重大专项项目(17YFZCGX00330,18ZXCLGX00080

P-AlInP限制层掺杂对AlGaInP红光LED发光亮度影响

针对四元系AlGaInP红光发光二极管在制备过程中,材料的掺杂特性对于器件性能影响巨大,尤其是AlInP限制层材料的掺杂,对于器件光电性能具有明显的影响。在实际生产过程中P型掺杂浓度的波动非...天津市科技支撑、新材料重大专项项目(17YFZCGX00330,18ZXCLGX00080