In0.53Ga0.47As/InP高速光电二极管材料生长及光电性能

Abstract

利用低压MOCVD技术制备PIN结构的InP基InGaAs外延材料。采用分层吸收渐变电荷倍增（SAGCM）结构,通过两次Zn扩散、多层介质膜淀积、Au/Zn p型欧姆接触、Au/Ge/Ni n型欧姆接触等标准半导体平面工艺,设...天津市科技支撑、新材料重大专项项目(17YFZCGX00330,18ZXCLGX00080