1,449 research outputs found

    Surface disorder production during plasma immersion implantation and high energy ion implantation

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    High-depth-resolution Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS) combined with channeling technique was used to analyze the surface layer formed during plasma immersion ion implantation (PIII) of single crystal silicon substrates. Single wavelength multiple angle of incidence ellipsometry (MAIE) was applied to estimate the thickness of the surface layer. The thickness of the disordered layer is much higher than the projected range of P ions and it is comparable with that of protons.\ud \ud Another example of surface damage investigation is the analysis of anomalous surface disorder created by 900 keV and 1.4 MeV Xe implantation in 100 silicon. For the 900 keV implants the surface damage was also characterized with spectroellipsometry (SE). Evaluation of ellipsometric data yields thickness values for surface damage that are in reasonable agreement with those obtained by RBS

    Physikalische Chemie univarianter fluider Systeme IV. Ober den Dampfdruck im kritischen Punkte

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    Die Gleichung ersten Grades p (v-b) =RT kann auch auf den idealen Gaszustand angewendet werden. In diesem Falle konnen wir die idealen Gase als diejenigen Stoffe definieren, welche den kritischen Punkt beim apsoluten Nullpunkt haben. Den Dampfdrruck misst man mit dem thermischen Druck der koexistierenden dampfformigen Phase. Ist dieser Druck kleiner als der Dampfdruck, verschwindet die flussige Phase; islt er grosser, so verschwindet die dampfformige Phase. Diese Festsetzung auf den kritischen Punkt angewendet hat notwendig die Auffassung zur Folge, dass im kritischen Punkt der Dampfdruck gegen die Unendlichkeit tendiert

    Physikalische Chemie univarianter fluider Systeme IV. Ober den Dampfdruck im kritischen Punkte

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    Die Gleichung ersten Grades p (v-b) =RT kann auch auf den idealen Gaszustand angewendet werden. In diesem Falle konnen wir die idealen Gase als diejenigen Stoffe definieren, welche den kritischen Punkt beim apsoluten Nullpunkt haben. Den Dampfdrruck misst man mit dem thermischen Druck der koexistierenden dampfformigen Phase. Ist dieser Druck kleiner als der Dampfdruck, verschwindet die flussige Phase; islt er grosser, so verschwindet die dampfformige Phase. Diese Festsetzung auf den kritischen Punkt angewendet hat notwendig die Auffassung zur Folge, dass im kritischen Punkt der Dampfdruck gegen die Unendlichkeit tendiert

    Über eine neue Methode zur photometrischen Bestimmungder Mikromengen der Quecksilber(Il)-Ionen in wasserigenLosungen

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    In schwach saueren wasserigen Li:isungen erleidet das HexaCyanoferrat (II)-Ion unter dem Einfluss des Lichtes oder der Mikromengen der Hg++ -Ionen eine Zersetzung, die schliesslich zur Bildung von loslichem Berlinerblau fuhrt. In Gegenwart von o-Phenanthrolin oder a---a\u27 Dipyridyl bildet sich nicht Berlinerblau, sondern die roteri loislichen Komplexe [Fe(Dipyridyl)3]++ oder [Fe(Phenanthrolin) 3]++ . Die Intensitat der Farbe ist (in der gegebenen Zeit) von den vorhandenen Mengen der Hg++ -Ionen abhangig. Auf dieser Basis wurde eine photometrische Mikromethode zur quantitativen Bestimmung der Hg ++ -Ionen ausgearbeitet

    nie Anwendung der totalen Dekomposition des Kalium-hexacyanoferrats( II) in der quantitativen Analyse. IV.* Photometrische Bestimmung von Mikromengen von Hexacyanoferrat(II), Hexacyanoferrat(III) und Aquopentacyanoferrat(II)-Ionen

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    Durch die totale Zersetz ung des K-Hexacyanoferrats(II), K- Hexacyanoferrats(III) und des Aquopen tacyanoferrats(II) in sauerem Medium und in Anwesenheit von Mikromengen von Quecksilber(II)-Ionen a l s Katalysatoren, k onnten diese Stoffe photometrisch als Fe(Phen)32 + - Komplex quantitativ erfasst werden. Mit den entwickelten Methoden konnen die erwahnten Stoffe in Konzentrationen vo n 1-1o·s M/l der gesamten Reaktionsmischung bestimmt werden
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