Aportes al debate en torno al incremento de la remuneración mínima vital

Labor regulation and, most specifically, minimum wage represent a crucial topic in the context of economic negotiation and market aperture. The authors, though an analysis of compared experience, analyze the impact of the increase in minimum wage in the growth and poverty indexes, considering the legal and economic aspects that would justify this change.La regulación laboral y, en específico, el de la remuneración mínima representa un tema álgido en un contexto en el que los procesos de negociación económica y de apertura al mercado marcan la pauta. Los autores, valiéndose de un análisis de la experiencia comparada, analizan el impacto del aumento del salario mínimo en los índices de crecimiento y lucha contra la pobreza, teniendo en consideración los aspectos legales y económicos que justificarían la adopción de esta medida

Medida de la calidad óptica de lentes intraoculares multifocales in vitro mediante un sistema de paso simple y doble paso modificado

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Productividad y rendimiento de garbanzo en el norte de Córdoba en respuesta a diferentes estrategias de manejo del agua de riego

El trabajo evalúa diferentes estrategias de manejo del agua de riego en un cultivo de garbanzo analizando su respuesta ecofisiológica según el momento de aplicación del riego.publishedVersionFil: Luque, Sergio Fernando. Universidad Nacional de Córdoba. Facultad de Ciencias Agropecuarias; Argentina.Fil: Cantarero, Marcelo Gabriel. Universidad Nacional de Córdoba. Facultad de Ciencias Agropecuarias; Argentina.Fil: Visentini, Sebastián. Grupo RíoSeco. Establecimiento El Taco; Argentina

Stress compensation by gap monolayers for stacked InAs/GaAs quantum dots solar cells

In this work we report the stacking of 10 and 50 InAs quantum dots layers using 2 monolayers of GaP for stress compensation and a stack period of 18 nm on GaAs (001) substrates. Very good structural and optical quality is found in both samples. Vertical alignment of the dots is observed by transmission electron microscopy suggesting the existence of residual stress around them. Photocurrent measurements show light absorption up to 1.2 μm in the nanostructures together with a reduction in the blue response of the device. As a result of the phosphorus incorporation in the barriers, a very high thermal activation energy (431 meV) has also been obtained for the quantum dot emission

Patrones de absorción y eficiencia de uso del agua de cultivos invernales en el centro de Córdoba

Ponencia presentada en la 3° Reunión Internacional de Riego : Rendimientos potenciales con uso eficiente de agua e insumos. Córdoba, Argentina, 30 y 31 de octubre de 2012.En la región semiárida del centro de Córdoba gran parte de la estación de crecimiento de los cultivos invernales ocurre en ausencia de lluvias, y el rendimiento depende en gran parte del agua almacenada en el suelo al momento de la siembra. En consecuencia, conocer las estrategias que utiliza cada cultivo para absorber agua contribuirá a optimizar prácticas de manejo. Este estudio fue conducido para calcular en varios cultivos invernales: i) la velocidad de avance del frente de absorción radical (VA); ii) la profundidad máxima aparente de enraizamiento (PE), iii) la tasa de absorción diaria de agua (TA) y iv) la eficiencia de uso del agua para rendimiento (EUARTO) y peso seco total (EUAPST). Estas variables fueron calculadas a partir de mediciones periódicas del contenido de agua en el suelo hasta 260 cm de profundidad, partiendo de un perfil bien provisto de humedad y en condiciones de escaso aporte de agua de precipitaciones durante el ciclo. El experimento fue conducido en el Campo Escuela de la FCA de la UNC (31° 30´ S. 64° 00´ O, altitud 360 m.s.n.m.) en un suelo Haplustol típico franco limoso. Los cultivos estudiados fueron trigo (Triticum aestivum L.), triticale (X triticosecale Wittmack), colza (Brassica napus, L), cártamo (Carthamus tinctoreus, L), garbanzo (Cicer arietinum, L), y arveja (Pisum sativum, L). La VA varió desde 1,8 cm día-1 para arveja a 3,3 y 3,5 cm día-1 para cártamo y triticale, respectivamente. La PE varió desde 160 cm para arveja a más de 260 cm para cártamo. La PE se alcanzó entre floración y mediados del período de llenado del grano. La TA promedio para el estrato 40-160 cm de suelo, varió entre 0,012 d-1 (i.e. una absorción diaria de 1,2% del agua útil remanente) para arveja y 0,043 d-1 para colza y 0,045 d-1 para trigo El cártamo presentó mayores TA por debajo de los 140 cm, lo que le permitió agotar el agua útil hasta la profundidad de medición (260 cm). Los cultivos de mayor rendimiento fueron cártamo, triticale y garbanzo, siendo estos dos últimos los de mayor EUARTO. Estos hallazgos pueden contribuir a la toma de decisiones acerca de las estrategias de manejo de estos cultivos.Fil: Cantarero, Marcelo Gabriel. Universidad Nacional de Córdoba. Facultad de Ciencias Agropecuarias; Argentina.Fil: Tula, Alfredo Aníbal. Universidad Nacional de Córdoba. Facultad de Ciencias Agropecuarias; Argentina.Fil: Luque, Sergio Fernando. Universidad Nacional de Córdoba. Facultad de Ciencias Agropecuarias; Argentina.Fil: Ovando, Gustavo Gabriel. Universidad Nacional de Córdoba. Facultad de Ciencias Agropecuarias; Argentina.Fil: Dardanelli, Julio L. Instituto Nacional de Tecnología Agropecuaria. Estación Experimental Agropecuaria Manfredi; Argentina

Líneas de investigación en óptica visual y tecnología del color en el CD6

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Cultura de seguridad del paciente percibida en una muestra de enfermeros en hospitales de Corrientes Capital 2017

Objetivo: Describir la cultura de seguridad del paciente referida por el personal de enfermería Diseño: estudio descriptivo y transversal. Lugar: Hospitales públicos de la ciudad de Corrientes, 2017. Participantes: personal de enfermería, para la recolección de los datos se utilizó el cuestionario de versión española del cuestionario Hospital Survey on Patient Safety Culture. Resultados: se observó en cuanto a la percepción que poseen sobre la cultura de la seguridad del paciente, el 45,84% percibe que es positiva, el 93,01 % manifestó como positiva la notificación de errores. Las acciones para promover la seguridad por parte de la supervisión el 59,64% percibieron que existe cultura en este aspecto, el 80% de las repuestas fueron positivas para la percepción sobre la cultura del aprendizaje organizacional y la mejora continua. En la dimensión, trabajo en equipo el 84 ,6% percibió que existe cultura en este aspecto y el 70,7% que existe comunicación abierta en la organización. El 85,1% percibe que existe un Feedback y comunicación del error, el 61,5% manifestó que existe una cultura de respuesta no punitiva. El 53,9% percibe que hay cultura en la dotación de personal, y el 63,9% de las respuestas fue positiva en relación a la gerencia. El 63,9% percibe que trabaja en equipos multidisciplinario, y el 60,9% percibe una cultura de seguridad en la transferencia y el traspaso del paciente a los servicios. Conclusión: El personal de enfermería percibe como baja la cultura de la seguridad en los Hospitales. Existen varias dimensiones de la cultura por mejorar

InAs/AlGaAs quantum dot intermediate band solar cells with enlarged sub-bandgaps

In the last decade several prototypes of intermediate band solar cells (IBSCs) have been manufactured. So far, most of these prototypes have been based on InAs/GaAs quantum dots (QDs) in order to implement the IB material. The key operation principles of the IB theory are two photon sub-bandgap (SBG) photocurrent, and output voltage preservation, and both have been experimentally demonstrated at low temperature. At room temperature (RT), however, thermal escape/relaxation between the conduction band (CB) and the IB prevents voltage preservation. To improve this situation, we have produced and characterized the first reported InAs/AlGaAs QD-based IBSCs. For an Al content of 25% in the host material, we have measured an activation energy of 361 meV for the thermal carrier escape. This energy is about 250 meV higher than the energies found in the literature for InAs/GaAs QD, and almost 140 meV higher than the activation energy obtained in our previous InAs/GaAs QD-IBSC prototypes including a specifically designed QD capping layer. This high value is responsible for the suppression of the SBG quantum efficiency under monochromatic illumination at around 220 K. We suggest that, if the energy split between the CB and the IB is large enough, activation energies as high as to suppress thermal carrier escape at room temperature (RT) can be achieved. In this respect, the InAs/AlGaAs system offers new possibilities to overcome some of the problems encountered in InAs/GaAs and opens the path for QD-IBSC devices capable of achieving high efficiency at RT

Strain balanced quantum posts for intermediate band solar cells

In this work we present strain balanced InAs quantum post of exceptional length in the context of photovoltaics. We discuss the general properties of these nanostructures and their impact in the practical implementation of an intermediate band solar cell. We have studied the photocurrent generated by strain balanced quantum posts embedded in a GaAs single crystal, and compared our results with quantum dot based devices. The incorporation of phosphorous in the matrix to partially compensate the accumulated stress enables a significant increase of the quantum post maximum length. The relative importance of tunneling and thermal escape processes is found to depend strongly on the geometry of the nanostructures. tunneling and thermal escape processes is found to depend strongly on the geometry of the nanostructures

Stress compensation by GaP monolayers for stacked InAs/GaAs quantum dots solar cells

Trabajo presentado en el 33rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, celebrado en San Diego, CA (Estados Unidos), del 11 al 16 de mayo de 2008In this work we report the stacking of 10 and 50 InAs quantum dots layers using 2 monolayers of GaP for stress compensation and a stack period of 18 nm on GaAs (001) substrates. Very good structural and optical quality is found in both samples. Vertical alignment of the dots is observed by transmission electron microscopy suggesting the existence of residual stress around them. Photocurrent measurements show light absorption up to 1.2 µm in the nanostructures together with a reduction in the blue response of the device. As a result of the phosphorus incorporation in the barriers, a very high thermal activation energy (431 meV) has also been obtained for the quantum dot emission.The authors gratefully acknowledge financial support by the Spanish MEC and CAM through projects 200560M089, S-05050/ENE-0310, TEC-2005-05781-C03- 01 and -02, Consolider-Ingenio 2010 CSD2006-0004, the Junta de Andalucia (project TEP383, group TEP120) and by the European Commission through the SANDIE Network of Excellence (NMP4-CT-2004-500101).Peer reviewe