Application of elastostatic Green function tensor technique to electrostriction in cubic, hexagonal and orthorhombic crystals

The elastostatic Green function tensor approach, which was recently used to treat electrostriction in numerical simulation of domain structure formation in cubic ferroelectrics, is reviewed and extended to the crystals of hexagonal and orthorhombic symmetry. The tensorial kernels appearing in the expressions for effective nonlocal interaction of electrostrictive origin are derived explicitly and their physical meaning is illustrated on simple examples. It is argued that the bilinear coupling between the polarization gradients and elastic strain should be systematically included in the Ginzburg-Landau free energy expansion of electrostrictive materials.Comment: 4 page

Dynamics of Ordering in Alloys with Modulated Phases

This paper presents a theoretical model for studying the dynamics of ordering in alloys which exhibit modulated phases. The model is different from the standard time-dependent Ginzburg-Landau description of the evolution of a non-conserved order parameter and resembles the Swift-Hohenberg model. The early-stage growth kinetics is analyzed and compared to the Cahn-Hilliard theory of continuous ordering. The effects of non-linearities on the growth kinetics are discussed qualitatively and it is shown that the presence of an underlying elastic lattice introduces qualitatively new effects. A lattice Hamiltonian capable of describing these effects and suitable for carrying out simulations of the growth kinetics is also constructed.Comment: 18 pages, 3 figures (postscript files appended), Brandeis-BC9

Моделирование темплетных наноструктур

Мета даних досліджень – знаходження оптимальних параметрів наноутворень для зменшення проростаючих дислокацій в темплетних наноструктурах. У даній роботі досліджено вплив розмірів темплетів на щільність дислокацій зміщення наноструктур, встановлена залежність висоти проростаючої дислокації від її радіусу, а також досліджено вплив розузгодження ґратки наноструктури на умовно-бездислокаційний рельєф темплетних напівпровідникових наноутворень.The purpose of paper is to find the optimal parameters for decreasing dislocations in templet nanostructures. The estimation method of dislocation-free relief germination of templet nanostructures is developed. The influence of templet size on the dislocation density of nanostructures is studied. The dependence of the dislocation height on its radius is determined. The influence of the nanostructures lattice mismatch on conditional relief dislocation of templet semiconductor nanostructures is studied.Целью данных исследований является нахождение оптимальных параметров для уменьшения прорастающих дислокаций в темплетных наноструктурах. Разработана методика оценивания прорастания условно-бездислокационного рельефа темплетных наноструктур. Исследовано влияние темплетный размеров на плотность дислокаций смещения темплетных наноструктур, установлена зависимость высоты прорастающей дислокации от ее радиуса, а также исследовано влияние рассогласования решетки наноструктуры на условно-бездислокационных рельеф темплетный полупроводниковых нанообразований

On the stability of 2 \sqrt{2} x 2 \sqrt{2} oxygen ordered superstructures in YBa2Cu3O6+x

We have compared the ground-state energy of several observed or proposed " 2 \sqrt{2} x 2 \sqrt{2} oxygen (O) ordered superstructures " (from now on HS), with those of "chain superstructures" (CS) (in which the O atoms of the basal plane are ordered in chains), for different compositions x in YBa2Cu3O6+x. The model Hamiltonian contains i) the Madelung energy, ii) a term linear in the difference between Cu and O hole occupancies which controls charge transfer, and iii) covalency effects based on known results for $t-J$ models in one and two dimensions. The optimum distribution of charge is determined minimizing the total energy, and depends on two parameters which are determined from known results for x=1 and x=0.5. We obtain that on the O lean side, only CS are stable, while for x=7/8, a HS with regularly spaced O vacancies added to the x=1 structure is more stable than the corresponding CS for the same x. We find that the detailed positions of the atoms in the structure, and long-range Coulomb interactions, are crucial for the electronic structure, the mechanism of charge transfer, the stability of the different phases, and the possibility of phase separation.Comment: 24 text pages, Latex, one fig. included as ps file, to be publisheb in Phys. Rev.

Моделювання темплетних наноструктур

The purpose of paper is to find the optimal parameters for decreasing dislocations in templet nanostructures. The estimation method of dislocation-free relief germination of templet nanostructures is developed. The influence of templet size on the dislocation density of nanostructures is studed. The dependence of the dislocation height on its radius is determined. The influence of the nanostructures lattice mismatch on conditional relief dislocation of templet semiconductor nanostructures is studed.Reference 9, figures 4.Целью данных исследований является нахождение оптимальных параметров для уменьшения прорастающих дислокаций в темплетных наноструктурах.  Разработана методика оценивания прорастания условно-бездислокационного рельефа темплетных наноструктур. Исследовано влияние темплетный размеров на плотность дислокаций смещения темплетных наноструктур, установлена зависимость высоты прорастающей дислокации от ее радиуса, а также исследовано влияние рассогласования решетки наноструктуры на условно-бездислокационных рельеф темплетный полупроводниковых нанообразований.Библ. 9, рис. 4.Мета даних досліджень – знаходження оптимальних параметрів наноутворень для зменшення проростаючих дислокацій в темплетних наноструктурах. У даній роботі досліджено вплив розмірів темплетів на щільність дислокацій зміщення наноструктур, встановлена залежність висоти проростаючої дислокації від її радіусу, а також досліджено вплив розузгодження ґратки наноструктури на умовно-бездислокаційний рельєф темплетних напівпровідникових наноутворень.Бібл. 9, рис.