Design to reliability shielded vertical interconnection applied to microwave Chip Scale Packaging

This paper presents the electrical design, measurement and reliability ests of a shielded vertical interconnection dedicated to microwave solder-mount packages. Electromagnetic simulations show very good results up to 20 GHz. Test samples have been designed and manufactured. Electrical results are in accordance with the simulations with insertion loss lower than 0.1 dB up to 20 GHz for the proposed interconnection. Reliability tests of present no degradation of the after 500 thermal cycles in the [-55°C, +125°C] temperature range

Microwave glob top for space applications : A route to non hermiticity

This paper presents the electrical design, measurement and reliability tests of an encapsulated MMIC using a dam & fill technique. Materials, dispensing techniques, RF design are evaluated. Test samples have been designed and manufactured. Electrical results show a slight decay in frequency of the electrical characteristics (about 300MHz) but the component still offers good performances in the relevant bandwidth for receivers

Optimisation du profil de dopage d'un MESFET réalisé par implantation ionique

On analyse l'interdépendance entre les performances d'un transistor à effet de champ en arséniure de gallium et son profil de dopage réalisé par implantation ionique. On étudie en particulier l'influence des conditions d'implantation (énergie et dose implantées) ainsi que celle du creusement de grille (« recess ») préalablement à la réalisation de la barrière Schottky. Les résùltats théoriques ont été obtenus à l'aide d'un simulateur permettant d'accéder aux propriétés statiques et dynamiques petits signaux du transistor à effet de champ pour tout profil de dopage non uniforme. Le temps de calcul a été réduit au maximum en associant des techniques analytiques et numériques. Le fonctionnement général du logiciel ainsi que les principes du calcul de toutes les caractéristiques électriques du composant sont détaillés. Les résultats de la simulation sont comparés aux résultats expérimentaux obtenus sur des structures réalisées en faisant varier les conditions d'implantation et la profondeur du creusement de grille. Enfin, l'influence du profil de dopage sur chacun des éléments du schéma équivalent du transistor à effet de champ GaAs est discutée en vue d'une optimisation des performances micro-ondes

Optimisation du profil de dopage d'un MESFET réalisé par implantation ionique

A method is proposed to investigate the influence of doping profiles on the performance of GaAs Field Effect Transistors. We consider in particular the effect of different ion implantation energies and doses, as well as, the influence of gate recess. The static and dynamic small signal characteristics of GaAs MESFETs with nonuniform doping profiles are studied by combining analytical and numerical techniques to reduce calculation time. Details of the FET analysis and computer simulation are presented. Results are compared with experimental data obtained from FETs with different implantation conditions and gate recess depths. The influence of the doping profile on the equivalent circuit elements of GaAs MESFET's is finally investigated in view of an optimization of their microwave properties.On analyse l'interdépendance entre les performances d'un transistor à effet de champ en arséniure de gallium et son profil de dopage réalisé par implantation ionique. On étudie en particulier l'influence des conditions d'implantation (énergie et dose implantées) ainsi que celle du creusement de grille (« recess ») préalablement à la réalisation de la barrière Schottky. Les résùltats théoriques ont été obtenus à l'aide d'un simulateur permettant d'accéder aux propriétés statiques et dynamiques petits signaux du transistor à effet de champ pour tout profil de dopage non uniforme. Le temps de calcul a été réduit au maximum en associant des techniques analytiques et numériques. Le fonctionnement général du logiciel ainsi que les principes du calcul de toutes les caractéristiques électriques du composant sont détaillés. Les résultats de la simulation sont comparés aux résultats expérimentaux obtenus sur des structures réalisées en faisant varier les conditions d'implantation et la profondeur du creusement de grille. Enfin, l'influence du profil de dopage sur chacun des éléments du schéma équivalent du transistor à effet de champ GaAs est discutée en vue d'une optimisation des performances micro-ondes

Low level and high linearity amplifiers in integrated technology for satellite receivers : linearisation techniques and issues.

International audienceBased on carrier to third intermodulation ratio (C/I3), reverse engineering of a two stages low level amplifier has been made in order to access the current transistor nonlinear models. Comparisons between two models of HEMT have been performed in order to choose the one which represent accurately weak nonlinearities at low level power dynamic range. By judicious choice of bias point, 12 dB improvement of linearity has been achieved. Other issues of linearization techniques have been studied so that to be suitable for MMIC implementation

Méthodologie de conception d'amplificateurs faible niveau à haute linéarité en technologie MMIC pour récepteur satellite

National audienc

A 10Watts, X band GaN HEMT three-way Doherty amplifier based on a new symetrical topology.

International audienc

RF-MEMS for antenna applications within the MIPA project

International audienc