福州市部分养老机构护理员现状及分析

随着我国老龄化不断加剧,养老服务人力资源问题日益凸显,养老服务成为当今社会都应重视的问题。目前养老机构越来越多,与迅速增加的老年人口及养老机构床位数相比,养老护理员的增长明显不足。养老护理员是对老年人生活进行照料、护理的服务人员,其职业定义与工作内容同医疗机构中的执业护士有本质区别[1]。养老护理员作为社会养老服务的中坚力量,其服务水平高低直接关系到养老服务

一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法

 本发明公开了一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法,包括：清洗单面抛光的GaAs外延片,去除表面的有机物；对该GaAs外延片进行光刻腐蚀,得到带窄条的GaAs外延片；在该GaAs外延片上蒸镀金属层；采用剥离方法去胶,得到一定厚度的金属条；清洗Si外延片,去除表面的有机物；采用H2SO4溶液及RCA1溶液对Si外延片表面进行处理,将清洗干净的Si外延片与GaAs外延片进行贴合,得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合,并进行热处理,以驱除键合界面的水汽；对键合后的晶片进行减薄,并腐蚀掉键合晶片的GaAs衬底。利用本发明,实现了GaAs与Si的低温金属键合,并可以推广到III-V族与III-V族(或IV族的Si、Ge等材料)的键合

一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法

 本发明公开了一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法,包括：清洗单面抛光的InGaAs外延片,去除表面的有机物；在清洗干净的InGaAs外延片上蒸镀金属层；对该InGaAs外延片进行光刻腐蚀,得到带窄金属条的InGaAs外延片；采用等离子体刻蚀去除InGaAs外延片表面的光刻胶；清洗GaAs外延片,去除表面的有机物；将清洗干净的GaAs外延片与经过等离子体刻蚀的InGaAs外延片进行贴合,得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合,并进行热处理,以驱除键合界面的水汽；对键合后的晶片进行减薄,并腐蚀掉键合的晶片的GaAs衬底。利用本发明,实现了InGaAs与GaAs的低温金属键合

一种制备铌酸锂表面图形的方法

 本发明公开了一种制备铌酸锂表面图形的方法,该方法包括：在铌酸锂衬底表面制作掩膜图形；采用氟基等离子对铌酸锂衬底进行干法刻蚀,以刻蚀铌酸锂；采用氧等离子对铌酸锂衬底进行刻蚀,以刻蚀在铌酸锂表面形成的氟化锂；重复上述采用氟基等离子及氧等离子的刻蚀步骤,直至完成铌酸锂表面图形的制备。利用本发明,解决了氟基等离子刻蚀铌酸锂时表面再沉积氟化锂的问题,达到制备大深度、底面光滑铌酸锂表面图形的目的。本方法简单易用,可以用于铌酸锂的刻蚀,获得大深度、底面光滑的铌酸锂表面图形

FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器

 本发明公开了本发明公开了一种FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器,该激光器具有深刻蚀孔的光子晶体结构,该光子晶体结构具有带边面发射性质,且位于FP脊形条上,FP脊形条宽度较宽,FP腔长度较长,P电极完全位于脊形条上,根据光子晶体的对称性,可以扩展FP腔的结构。利用本发明,能够实现低成本的电注入光子晶体带边面发射激光器,且本结构可以用于集成光路中特征信号的读出器,通过对FP腔结构的扩展,可以实现多通道耦合增强

基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池

 本发明公开了一种基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池,包括：一下电极(10)；一光吸收材料层(20),该光吸收材料层(20)制作在下电极(10)上；通过刻蚀技术,在光吸收材料层(20)上制作微米尺寸不同周期和深度的一维条型结构或二维柱形结构；一氧化物绝缘层(30),该氧化物绝缘层(30)通过化学方法氧化光吸收材料层(20)形成；一TCO薄膜层(40),该TCO薄膜层(40)沉积在氧化物绝缘层(30)上；一上图形电极(50),该上图形电极(50)制作在TCO薄膜层(40)上；以及一纳米颗粒(60),该纳米颗粒(60)放置在TCO薄膜层(40)上。利用本发明,解决了目前SIS结太阳能电池转化效率低的问题,达到了提高电池光学吸收和载流子抽取能力的目的