セルロースナノファイバーの表面修飾による生体材料の開発

Supervisor:松村　和明先端科学技術研究科博

セルロースナノファイバーの表面修飾による生体材料の開発

Supervisor: 松村 和明先端科学技術研究科博士identifier:https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/handle/10119/1776

一种层间距可控型有机硅烷嫁接水滑石的原位共沉淀合成方法

本发明公开了一种层间距可控型有机硅烷嫁接水滑石的原位共沉淀合成方法，其主要区别于传统共沉淀法合成水滑石的方面在于：利用表面活性剂的插层作用对水滑石层间域高度进行调控；并在水滑石晶体形成的同时利用有机硅烷水解产生的Si–OH与粘土矿物表面的羟基原位缩合而有效改善矿物的表面亲和性，借此控制表面活性剂的用量，减少其脱附等潜在环境威胁以及所导致的复合材料稳定性与均一性的降低等。本发明的合成方法原料易得、操作简单易行，所得有机硅烷嫁接水滑石在粘土基纳米复合材料、有机阴离子环境污染物的修复和无卤阻燃剂等领域有重要的应用价值

一种层间距可控型有机硅烷嫁接水滑石的原位共沉淀合成方法

本发明公开了一种层间距可控型有机硅烷嫁接水滑石的原位共沉淀合成方法，其主要区别于传统共沉淀法合成水滑石的方面在于：利用表面活性剂的插层作用对水滑石层间域高度进行调控；并在水滑石晶体形成的同时利用有机硅烷水解产生的Si–OH与粘土矿物表面的羟基原位缩合而有效改善矿物的表面亲和性，借此控制表面活性剂的用量，减少其脱附等潜在环境威胁以及所导致的复合材料稳定性与均一性的降低等。本发明的合成方法原料易得、操作简单易行，所得有机硅烷嫁接水滑石在粘土基纳米复合材料、有机阴离子环境污染物的修复和无卤阻燃剂等领域有重要的应用价值

一种高长径比有机硅烷嫁接水滑石的合成方法

本发明公开了一种高长径比有机硅烷嫁接水滑石的合成方法，即焙烧－复原法。该方法利用了水滑石的“结构记忆效应”，将共沉淀制备的水滑石前体进行焙烧和结构重建（在单一阴离子CO32-环境）。相当于将较粗糙的、形貌和颗粒不均一的、物相和层间阴离子不纯的水滑石前体，进行了一次重结晶过程，保证了产物的纯粹性和形貌粒径等的统一，所得到的有机硅烷嫁接水滑石尺寸为纳米级，可望提高其在高分子基体材料中的分散性，用于制备高性能的纳米复合材料。本合成工艺中采用的金属盐为NO3－，合成过程中空气和溶液中的CO2将进入反应体系，最终层间阴离子为CO32－，杜绝了潜在的二次污染