GaAs/AlGaAs窄量子阱中激子二维特性的退化

用光荧光(PL)和时间分辨光谱(TRPL)技术研究了GaAs/AlGaAs窄量子阱结构中荧光上升时间τ_f和激子谱线半宽(FWHM)随阱宽的变化关系,发现在窄阱中,τ_f随阱宽的变化关系与宽阱是的情况恰恰相反,在窄阱中τ_f随着阱宽的减小而增加,归结为激子二维特性的退化导致声学声子对激子的散射作用减弱造成的。同时观测到窄阱中谱线半宽随着阱宽减小而增加,这也是因为激子特性由准二维向三维转化造成的

GaAs脊形量子线发光性质的光致发光谱研究

报道了用MBE非平面生长方法制备的GaAs脊形量子线发光性特实验研究。低温、微区、变温和极化光致发光谱等的测试分析表

GaAs/AlAs波纹超晶格中的激子局域化效应研究

首次报道(311)面上生长的GaAs/AlAs波纹超晶格中的激子局域化效应。在这种结构中,波纹异质结界面的缺陷,包括周期微扰和表面不平整将引入较深的激子束缚能级,因此低温下其发光能量相对于(100)样品发生明显的红移。在Ⅱ类超晶格中,局域化能级成为X能谷电子向Γ能谷输运的通道,从而加强了X-Γ电子态混合,使实验观察到的X跃迁表现出Γ跃迁的某些性质

InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱中的子带驰豫过程

利用时间分辨光谱技术,在11～90K温度范围研究了不同阱宽的InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱子带弛豫过程,讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用

InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究

提出了新型InGaAs/GaAs应变脊形量子线结构.这种应变脊形量子线结合了非平面应变外延层中沿不同晶向能带带隙的变化、非平面生长应变层In组分的变化,以及非平面外延层厚度的变化等三方面共同形的横向量子限制效应的综合作用.在非平面GaAs衬底上用分子束外延生长了侧面取向为(113)的脊形AlAs/InGaAs/AlAs应变量子线.用10K光致荧光谱测试了其发光性质.用Kronig-Penney模型近似计算了这种应变脊形结构所具有的横向量子限制效应,发现其光致荧光谱峰位的测试结果,与计算结果相比,有10meV的"蓝移".认为这一跃迁能量的"蓝移"是上述三方面横向量子限制效应综合作用的结果

GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系

研究了具有不同阱宽的GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系,发现在低温范围内,声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加,对实验结果作了讨论

自组织生长InAs量子点发光的温度特性

报道了InAs/GaAs自组织生长量子点结构中发光的温度特性.在12～150K温度范围内,实验测得的InAs激子发光能量随温度增加明显红移,其红移速率远大于InAs带隙的温度关系,而光谱宽度则明显减小.这些结果表明InAs量子点结构是一种强耦合系统,局域在InAs量子点中的载流子波函数会相互交迭、相互贯穿,从而增强了载流子的弛豫过程