带胶剥离工艺粘附性实验研究

带胶剥离是微电子工艺的常见工艺步骤.文章通过对带胶剥离的样品进行退火实验,研究了电极蒸发金属和不同基底的粘附特性.实验表明,带胶剥离工艺制备的电极,其金属与衬底的粘附性差,退火过程产生气泡,严重影响了器件的特性.蒸发温度、蒸发室真空度,以及基片表面的清洁度与气泡产生有密切的关系.从这几点入手,提出了相应的改进方法

高频大功率SiGe／SiHBT的设计

详细地阐述了高频大功率SiGe／Si异质结双极晶体管（HBT）设计中的一些主要问题，主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等。并对这些主要参数的选择给出了一些实用的建议

衬底结构特征对硅基螺旋电感性能的影响

使用三维电磁场模拟的方法对不同硅衬底结构螺旋电感进行了模拟和分析.通过改变衬底的电导率、隔离层的厚度以及隔离层的材料、衬底引入硅锗合金层等模拟,分析了电感性能的变化.结果表明随着电导率的减小,电感的性能会增强,但改善的幅度会逐渐减小.厚的SiO2隔离层有利于减小衬底损耗,但是会给工艺增加难度.采用低k材料作为隔离层是改善电感性能的一种比较理想的方法

重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响

硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGe HBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B的重掺杂一方面会因为重掺杂效应使带隙收缩,另一方面,B的引入还会部分补偿Ge引起的应变,从而改变应变引起的带隙变化.在重掺B的应变SiGe能带结构研究中,采用半经验方法,考虑了B的应变补偿作用对能带的影响,对Jain-Roulston模型进行修正,并分析了重掺杂引起的带隙收缩在导带和价带的分布

Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长

采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×10~5 cm~(-2).原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3.9%,透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过在Si与Ge的界面处形成失配位错来实现的