14 research outputs found

    高寒草甸地区牧草生长量模拟模式研究

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    本文讨论了土壤含水量和蒸散量对牧草生长量的影响过程,提出牧草干物质增长模式,并根据青海海北高寒草甸地区的气象条件,对牧草生长量模式进行数值模拟,同时,与实测值进行比较,模拟结果与实测值趋向一致,可为牧草产草量预报提供一定实用价值和科学依据

    p38MAPK induces apoptosis of glioma cell

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    目的 研究 p38MAPK基因转染大鼠胶质瘤细胞系C6后对其生物学特性的影响 .方法 利用脂质体介导法将p38MAPK基因导入大鼠胶质瘤细胞系 C6中 ,用免疫细胞化学染色检测其在细胞转染前后的表达情况 ,用 HE染色、流式细胞仪等方法研究其对细胞形态、粘着状况和生长周期的影响 .结果 转染 p CMV5 - p38MAPK质粒组 p38MAPK蛋白表达阳性 ,细胞形态发生变化 ,贴壁性降低 ,出现大量凋亡细胞 .结论 转染 p38MAPK基因可诱导胶质瘤细胞凋亡 【英文摘要】 AIM To study the effect of p38MAPK transfection on the biological characteristics of glioma cell C6. METHODS p38MAPK was transfected into glioma cell C6 by lipofectin. Expression of p38MAPK was detected by immunocytochemistry. HE staining and flow cytometry were adopted to measure the cell morphology, adhesion and cell cycle. RESULTS p38MAPK was expressed in transfected glioma cells, with cell biological characteristics changing and apoptotic cells emerging. CONCLUSION Apoptosis of glioma cell could be ...高等学校骨干教师计划资

    SiO_x:Er薄膜材料光致发光特性的研究

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    采用射频磁控反应溅射技术,以Er_2O_3和Si为靶材,制备了SiO_x:Er薄膜材料,在不同温度和不同时间下进行退火处理,室温下测量了样品的光致发光(PL)谱,观察到Er~(3+)在 1 530, 1 542和1 555 nm处波长的发光,发现退火能明显增强Er~(3+)的发光. 研究了退火温度和时间对SiO_x:Er薄膜光致发光的影响,发现Er_2O_3与Si面积比为1:1时, 1 100℃下20 min退火为样品的最佳退火条件. 采用XRD和材料光吸收测试对样品结构和光学性质进行了研究,得到样品中Si晶粒大小为1.6 nm,样品的光学带隙为1.56 eV. 对3种不同Er_2O_3与Si面积比的SiO_x:Er薄膜材料进行研究,得到Er_2O_3与Si面积比为1:3为样品的最佳配比,对薄膜材料发光现象进行了探

    nc-Si/SiN_x超晶格薄膜实现Nd

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    采用射频磁控反应溅射法制备a—Si/SiN。超晶格薄膜材料,热退火后形成纳米Si晶粒。把nc—Si/SiN,薄膜作为饱和吸收体插入N

    Si/SiNx超晶格材料的非线性光学特性

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    采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了Si/SiN;超晶格材料。利用吸收光谱和X射线衍射对材料进行表征。通过皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了该材料在非共振吸收区的三阶非线性光学特性,实验结果表明,样品的非线性折射率为负值,非线性吸收属于双光子吸收。由实验数据得到材料的三阶非线性极化率实部和虚部分别为1.27×10~(-7),1.51×10~(-8)esu,该值比体硅材料的三阶非线性极化率值大5个数量级。对材料光学非线性产生的机理进行了探讨,认为材料的非线性极化率的增加来源于材料量子限制效应的增强

    Z扫描法研究nc-Si/SiN_x多量子阱材料非线性光学特性

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    采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了nc-Si/SiN_x多量子阱材料.对样品进行了小角度XRD、Raman光谱、吸收光谱测试,研究了其结构和光学性质.采用皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了样品在非共振吸收区的三阶非线性光学特性.实验结果表明,其非线性折射率为负值,非线性吸收属于双光子吸收.由实验数据计算得材料三阶非线性极化率为7.50×10~(-8)esu,该值比体硅材料的三阶非线性极化率大4个数量级.对材料光学非线性产生的机理进行了探讨,认为材料的非线性极化率的增加来源于材料量子限制效应增强

    SiN薄膜三阶非线性增强的研究

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    采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(ncSi-SiN_x)复合薄膜.通过X射线能谱(EDS)、X射线衍射仪(XRD)的测定,对薄膜进行了结构及所包含硅晶粒大小的表征.采用皮秒激光器运用单光束Z扫描技术开展了对该复合薄膜的非线性光学性质的研究,测得其三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为10~(-8) esu和10~(-8)m/W量级,并将薄膜这种三阶光学非线性的增强归因于量子限域效应
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