MOCVD生长AlGaInAs/InP多量子阱激光器

为研制符合高线性大功率的应变多量子阱激光器,文章在理论上计算了应变补偿,实验选用了金属有机物化学气相沉淀（MOCVD）工艺来研制生长AlGaInAs应变补偿多量子阱结构,最终有源区采用了7组张压应变交替的势垒和势阱层。激光器样本芯片采用共面电极结构,使得激光器的工作电流无需通过衬底,从而降低了激光器工作电容,其电容与传统激光器相比得到相应地减小,提高了激光器的光电特性。实验室制作出了应变多量子阱激光器样本芯片,光荧光分析得出光致发光谱,激射波长为1 304nm;阈值电流为Ith≤9mA;单面斜率效率为0.44 W/A。测试结果表明该器件有良好的性能参数

量子阱红外探测器探测波长与掺杂关系研究

文章利用理论模型研究了GaAs/AlxGa1-xAs量子阱红外探测器（QWIP）中掺杂参数对探测器探测波长的影响,并借助2×2哈密顿方法计算了此模型的特征能态。通过将模拟结果与现有实验数据进行对比、分析可知,当掺杂浓度增加时,峰值归一化吸收率、吸收系数和响应度等呈非线性增大。同时还发现,在AlxGa1-xAs势垒中,Al的摩尔分数（x）增加时,子带间吸收能力增强,但吸收的峰值波长会向较短的波长方向移动,进而判定掺杂浓度是高性能QWIP设计的重要参数之一