MOCVD生长AlGaInAs/InP多量子阱激光器

Abstract

为研制符合高线性大功率的应变多量子阱激光器,文章在理论上计算了应变补偿,实验选用了金属有机物化学气相沉淀（MOCVD）工艺来研制生长AlGaInAs应变补偿多量子阱结构,最终有源区采用了7组张压应变交替的势垒和势阱层。激光器样本芯片采用共面电极结构,使得激光器的工作电流无需通过衬底,从而降低了激光器工作电容,其电容与传统激光器相比得到相应地减小,提高了激光器的光电特性。实验室制作出了应变多量子阱激光器样本芯片,光荧光分析得出光致发光谱,激射波长为1 304nm;阈值电流为Ith≤9mA;单面斜率效率为0.44 W/A。测试结果表明该器件有良好的性能参数