意大利光纤通信情况介绍

<正> 我们于一九八五年四月二十五日至五月八日应邀访问了意大利。访问的主要目的是参观并了解CSELT（意人利电信研究实验中心）的情况,与CSELT专家交流光纤通信测试技术方面的经验,并商定八五年中意两目光纤通信研究合作计划。在意大利期间,还应邀参观了意大利邮电部高级研究所等六个研究、生产、电信业务、教育培训机构。这次访问中的技术交流主要是单模光纤截止波长、光纤色散、光纤预制棒掺氟的影响等三个课题。由于CSELT在科研性质、任务、规模方面与武汉邮电科学研究院有许多类似,研以访问中我们还了解到CSELT在管理方面的一些情况

沉积气压对相变域硅薄膜性能的影响

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)法,成功制备出一系列从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜。研究了气体压强对样品的微结构、光电特性、输运性质以及沉积速率的调控作用。结果表明,增大沉积气压可以提高材料的光敏性及沉积速率,但材料的结构有序度以及输运特性变差

氢化非晶硅氧薄膜微结构

以Raman散射、X射线电子能谱和红外吸了光谱细致研究了PECVD法250℃衬底温度下制备的氢化非晶硅氧（a-SiOx:H)薄膜的微结构及键构型。研究表明，在0．52≤x≤1.58的氧含量范围内，a-SiOx:H薄膜成分和结构不是均一的，依赖于局域键构型氧化程度的不同，大致存在着5种在一定程度上相互分离的结构组分，即Si,Si2O(:H),SiO(:H),Si2O3(:H)和SiO2。其中的Si相以非氢化的非晶硅（a-Si)颗粒形式存在，随氧含量x的增加其尺度持续减小但始终存在。提出一种多壳层模型来描述a-SiOx:H薄膜的结构，认为a-SiOx:H薄膜中a-Si颗粒依次为Si2O(:H),SiO(:H),Si2O3(:H)和SiO2壳层所包围。随薄膜氧含量x的增加，各壳层厚度相应变化但各自的化学构成基本保持不变

中国脑血管病临床管理指南（第2版）（节选）——第3章 脑血管病高危人群管理 Chinese Stroke Association Guidelines for Clinical Management of Cerebrovascular Diseases (Second Edition) (Except) ——Chapter Three Management of Patients at Hige-risk of Cerebrovascular Diseases

针对脑血管病的危险因素积极进行早期干预管理是减少脑血管病危害最有效的方法。本章节介绍脑血管病高危人群管理的推荐意见，包括对不可干预和可干预血管危险因素的控制，阿司匹林在缺血性卒中一级预防中的应用以及首次卒中风险评估等方面。 Abstract: Early intervention to manage the risk factors of cerebrovascular disease is the most effective way to reduce the harm of cerebrovascular diseases. This chapter presents recommendations for the management of populations at high risk for cerebrovascular disease, including control of non-interventionable and interventionable vascular risk factors, the use of aspirin in the primary prevention of ischaemic stroke, and the risk assessment of first-time stroke