超微涡轮动叶栅叶顶间隙对流场影响的数值模拟

通过数值求解基于雷诺时均的三维定常粘性N-S方程，结合RNGκ-ε湍流模型和非平衡壁面函数，对一种超微型向心涡轮动叶栅内的流动情况进行了数值模拟。揭示了具有极低展弦比动叶栅叶顶间隙对流场参数分布和气动损失的影响，为超微涡轮的设计和改进提供了理论依据。模拟结果表明，叶顶间隙的大小对通道内马赫数分布有重要影响，其中顸部间隙射流所引发的泄漏涡与主流的掺混是主流马赫数降低的重要原因；叶顶间隙的存在使得总压损失系数均匀化，即近壁区和主流区的总压损失都较高；动叶栅在叶展方向上的载荷分布均匀，弦向载荷主要由接近尾缘的弧段承担；模拟中还解析出三维的尾迹涡，这主要是动叶栅尾缘过厚所导致，应进行叶型改进

一种宽光谱太阳能吸收涂层及其制备方法

本发明公开了一种宽光谱太阳能吸收涂层，包括红外反射层和覆盖在红外反射层上的吸收层；红外反射层为加工成镜面的基底；吸收层由重量百分比5％～20％的还原的石墨烯氧化物和80％～95％的乙烯-醋酸乙烯共聚物组成，本发明宽光谱太阳能吸收涂层具有吸收率高、热稳定性相对较好、耐候性好等优点，特别适合用于太阳能光热转换系统，有利于市场化推广和应用。本发明还公开了一种宽光谱太阳能吸收涂层的制备方法，包括以下步骤：将基底加工成镜面后，再用还原的石墨烯氧化物和乙烯-醋酸乙烯共聚物采用溶剂刮膜法或熔融压制法制备吸收层，得到宽光谱太阳能吸收涂层。该方法制备工艺简单，操作方便，易于控制，能够显著降低生产成本

一种中低温太阳能选择吸收薄膜及其制备方法

本发明公开了一种中低温太阳能选择吸收薄膜，该薄膜主要包括依次沉积在具有红外反射功能的衬底上的扩散阻挡层、吸收层和减反射层；或者主要包括依次沉积在衬底上的红外反射层、扩散阻挡层、吸收层和减反射层。红外反射层的成分为Cu、Mo或Ag；扩散阻挡层的成分为铬-氮复合成分；吸收层由铬单质-氧化铬多元相、铬单质-氮氧化铬多元相中的一种或两种组成；减反射层为SiO2陶瓷薄膜。该薄膜具有较高的太阳光谱吸收率以及较低的红外发射率，较好的热稳定性和耐候性，可在278℃以下的中低温大气环境中长期使用。本发明还公开了该薄膜的制备方法，采用磁控溅射方法制备，工艺简单成本低，稳定性好，适合工业大面积制备

面向高精度城市测绘的激光紧耦合SLAM方法

针对激光SLAM在城市测绘中存在的累积误差大、稳健性差的问题,本文提出了一种面向城市高精度制图的激光紧耦合SLAM方法,该方法引入杆状和面状特征进行点云配准,降低了城市环境下SLAM的累积误差,并通过GNSS角点位置约束,提高了全局地图构建的准确性。本文在4组城市常见场景(开放园区、地下车库、城市公园、街区道路)中对所提方法进行了验证,并与目前主流的LOAM、LeGO-LOAM和LIO-SAM方法进行了对比,试验结果表明LOAM和LeGO-LOAM在复杂城市场景中稳定性较差,LIO-SAM和本文所提方法成功实现了4组场景的制图。与LIO-SAM相比,本文所提方法仅采用激光惯导紧耦合时,轨迹绝对位置误差较LIO-SAM降低了32.25%,结合GNSS位置因子后进一步降低了92.03%(轨迹精度均优于10 cm)。此外,开放园区的控制点精度评定表明本文所提方法的点云绝对坐标精度优于5 cm

NH_3-MBE生长极化场二维电子气材料

介绍了用NH_3-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN/AlN/GaN极化感应二维电子气材料。外延膜都是N面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气”。GaN单层膜的室温电子迁移率为300cm~2/Vs。二维电子气材料的迁移率为680cm~2/Vs(RT)和1700cm~2/Vs(77K)，相应的二维电子气的面密度为3.2×10~(13)cm~(-2)(RT)和2.6×10~(13)cm~(-2)(77K)

GSMBE生长的高质量氮化镓材料

使用NH_3作氮源，采用GSMBE方法在(0001)Al_2O_3衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜。1.2μm厚的GaN外延膜的(0002)X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为6'，室温电子迁移率为300cm~2(V·s),背景电子浓度约为3×10~(17)cm~(-3)

RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料

用射频等离子体辅助分子束外延技术（RF-MBE）在c面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN/GaN超晶格结构极化感应二维电子气材料。所获得的掺Si的GaN膜室温电子浓度为2.2 * 10~(18)cm~(-3)，相应的电子迁移率为221cm~2/(V·s);1μm厚的GaN外延膜的（0002）X射线衍射摇摆曲线半高宽（FWHM）为7’；极化感应产生的二维电子气室温电子迁移率达到1086cm~2/(V·s)，相应的二维电子气面密度为7.5 * 10~(12)cm~(-2)

分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料

用自组装的氮源分子束外延（NH_3-MBE）系统和射频等离子体辅助分子束外延（PA-MBE）系统在C面蓝宝石衬底上外延了优质GaN以及AlGaN/GaN二维电子气材料。GaN膜（1.2 μm厚）室温电子迁移率达300 cm~2/V·s，背景电子浓度低至2 * 10~(17) cm~(-3)。双晶X射线衍射（0002）摇摆曲线半高宽为6 arcmin。AlGaN/GaN二维电子气材料最高的室温和77 K二维电子气电子迁移率分别为730 cm~2/V·s和1200 cm~2/V·s，相应的电子面密度分别是7.6 * 10~(12) cm~(-2)和7.1 * 10~(12) cm~(-2)；用所外延的AlGaN/GaN二维电子气材料制备出了性能良好的AlGaN/GaN HFET（异质结场效应晶体管），室温跨导为50 mS/mm（栅长1 μm），截止频率达13 GHz（栅长0.5 μm）。该器件在300 ℃出现明显的并联电导，这可能是材料中的深中心在高温被激活所致