非晶硅薄膜的光膨胀效应

利用“差分电容膨胀计”方法，首次发现氢化非晶硅(a-Si:H)在光照下体积增大。著名的Staebler-Wronski效应(a-Si:H的光致亚稳变化)很可能是这种“光膨胀”的后效应

非晶硅中的硅氢键与光致亚稳缺陷

我们曾经提出:在a-Si∶H中光致亚稳缺陷的产生是由于Si-H键断裂,本文将进一步论述这种缺陷产生的可能微观机构,着重讨论微空洞在亚稳缺陷产生中的作用,并提出:光照不仅使悬键增多,同时也使Si-Si弱键增多的机构.中国科学引文数据库(CSCD)009702-70

纳米硅光学特性的研究

结合微区Ramman谱，研究了镶嵌在SiO_2基质中纳米硅的吸收谱和光致发光谱。观测到了吸收边随纳米硅尺寸的减小而蓝移的现象。并发现在1.9～3.0eV的能量范围内，纳米硅的吸收系数与能量的关系为一指数关系，这可能是间接带隙的特征，在0.95～1.6eV之间存在次带吸收，这归因于包括非晶相在内的纳米硅表面态和缺陷态。通过发光谱和吸收谱的比较，认为声子可能参与了发光过程

MPS结构中的光生伏特现象

报道了金属/多孔硅/结构(MPS)中光生伏特效应研究的最新结果,给出了该结构的光谱响应曲线,发现该结构在1100-350nm波长范围具有明显的光谱响应.还测量了开路电压随温度、光照波长及光照强度的变化关系,发现开路电压随温度的降低近似线性增加,其温度系数对于金/多孔硅结构约为2.0mV/K,对于铝/多孔硅结构约为2.8mV/K,与单晶硅及非晶硅太阳电池的温度系数相近,但MPS结构的开路电压随光强的增加不满足对数关系.结果表明,在MPS结构中金属/多孔硅肖特基结对光生伏特效应起了主要作用,而多孔硅/单晶硅异质结的作用是与此相反的

a-Si:H中光致亚稳变化与载流子复合

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