纳米硅光学特性的研究

Abstract

结合微区Ramman谱，研究了镶嵌在SiO_2基质中纳米硅的吸收谱和光致发光谱。观测到了吸收边随纳米硅尺寸的减小而蓝移的现象。并发现在1.9～3.0eV的能量范围内，纳米硅的吸收系数与能量的关系为一指数关系，这可能是间接带隙的特征，在0.95～1.6eV之间存在次带吸收，这归因于包括非晶相在内的纳米硅表面态和缺陷态。通过发光谱和吸收谱的比较，认为声子可能参与了发光过程