纳米硅薄膜的光致发光特性

用等离子体增强化学汽相淀积法系统制备了发光纳米硅(nc-Si:H)薄膜。讨论了晶粒尺寸和表面结构对光致发光(PL)谱的影响。用量子限制-发光中心模型解释了nc-Si:H的PL。研究了PL谱的温度特性。温度从10K上升到250K，PL峰值红移了54meV，且PL强度衰减了两个数量级

测试温度对nc-Si:H膜光致发光特性的影响

利用常规等离了体化学气相沉积(PECVD)工艺制备了nc-Si:H膜,并对其光致发光(PL)特性从10～250K温度范围内进行了变温测量。实验结果指出，随着测试温度升高，PL峰值能量发生了54meV的红移，PL强度在T>80K后呈指数下降趋势。PL峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而PL强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用