抗人DR4、DR5单克隆抗体诱导神经胶质瘤细胞凋亡的实验研究

目的:探讨抗死亡受体DR4、DR5单克隆抗体(mAb)FMU1·4、FMU1·5对3株神经胶质瘤细胞株U343(敏感株)、U138(部分敏感株)、U373(耐受株)的杀伤作用及机制。方法:采用流式细胞术、RT-PCR、免疫细胞化学法、MTT比色法、电泳、DNA倍体分析和Westernblot等方法。结果:DR5在U343高表达;DR4在U373低表达,U343对FMU1·5敏感并呈剂量依赖性、对FMU1·4部分敏感;U138对FMU1·5部分敏感,对FMU1·4耐受;U373对两种抗体耐受。结论:FMU1·4、FMU1·5能不同程度地诱导三株细胞凋亡,其机制与DR4、DR5、细胞色素C和FLIP的表达有关

Enhancement of glioma cell apoptosis induced by anti-human DR5/DR4 monoclonal antibodies by sub-toxic dose of doxorubicin in human

目的探讨亚毒性剂量的阿霉素影响抗DR4、DR5单克隆抗体(mAb)FMU1.4和FMU1.5诱导3株神经胶质瘤细胞株U343(TRAIL敏感株)、U138(TRAIL部分敏感株)及U373(TRAIL耐受株)凋亡的作用及可能的机制。方法采用流式细胞术检测DR4、DR5的表达及神经胶质瘤细胞中DNA倍增。用MTT比色法检测mAbFMU1.4和FMU1.5对3株神经胶质瘤细胞增殖的抑制作用。用共聚焦显微镜观察3株细胞中Ca2+的浓度。以Westernblot检测细胞内色素C、FLIP[FLICE-inhibitoryprotein,为一组含有死亡效应结构域(DED)的胞浆蛋白]的表达。结果亚毒性剂量的阿霉素作用后,DR5、DR4在3株细胞中的表达提高;而mAbFMU1.4、FMU1.5诱导U138和U373细胞凋亡的作用增强,细胞内细胞色素C的表达提高,FLIP的表达降低,Ca2+浓度增加。结论亚毒性剂量的阿霉素与抗DR4、DR5mAb联合应用后,可提高mAb诱导靶细胞凋亡的效应,其作用机制与DR4、DR5、细胞色素C、FLIP的表达及Ca2+的含量有关。 【英文摘要】 AIM: To study the cytotoxic effects of doxorubicin on apoptosis in glioma cell lines U343, U138, U373 induced by anti-human DR4/DR5 monoclonal antibodies (FMU1.4/FMU1.5) and the underlying mechanism. METHODS: Expression of DR4/DR5 was quantitated by flow cytometry. Cytotoxicity exerted by FMU1.4/FMU1.5 on three cell lines was measured by MTT colorimetry and the induced apoptosis was determined by agarose gel electrophoresis. The expression of cytochrome C, FLIP and Ca 2+ concentration were also measured. RE...教育部跨世纪优秀人才培养计划资助项目(2000年

人死亡受体5全长基因的构建及转染胶质瘤细胞

目的构建人死亡受体5(death receptor5,DR5)全长基因真核细胞表达载体pcDNA3.1/DR5,pcDNA3.1/GFP/DR5,并观察其转染胶质瘤细胞U138的效果。方法通过重叠PCR获得DR5全长编码序列,构建pcDNA3.1/GFP/DR5,pcDNA3.1/DR5表达载体,利用脂质体转染试剂盒,分别将2种质粒pcDNA3.1/GFP/DR5、pcDNA3.1/GFP共转染胶质瘤细胞U138,转染后72h,半定量逆转录聚合酶链反应(RT-PCR)检测DR5mRNA的表达,流式细胞术检测DR5的表达强度、检测Anti-DR5对胶质瘤细胞U138生长的影响。结果获得了DR5全长编码序列,成功瞬时转染U138,RT-PCR、流式细胞术检测结果表明,转染后U138细胞DR5mRNA、蛋白水平的表达明显增加,Anti-DR5可以明显抑制U138细胞的生长。结论获得了DR5全长编码序列,探索到成功转染DR5的最佳方法,为稳定筛选高表达DR5的U138细胞提供依据

预测多取代烷基苯Kovats保留指数程序设计

设计了预测烷基本保留指数程序，利用该程序计算机可以自动识别分子结构，给出预测结果

温度引起的ZnSe/Zn_（0.84）Mn_（0.16）Se超晶格中势阱层和势垒层的反转

测量了ZnSe，Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se合金和ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格的10～300K的变温光致发光谱。发现ZnSe的带隙在10K时比Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se合金的带隙小，而在300K时比合金的带隙大。预计ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中在130K附近会发生势阱层和势垒层的反转。在ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中观测到了这种反转但发生在80K附近。超晶格中Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se层的应变可能是反转温度变低的原因