The alkaline-peralkaline granitic post-collisional Tin Zebane dyke swarm (Pan-African Tuareg shield, Algeria): prevalent mantle signature and late agpaitic differentiation

IF=3.303info:eu-repo/semantics/publishe

Реалізація системи зонду Кельвіна для обробки поверхні напівпровідника

Знання електричних властивостей матеріалів неминуче в поверхневих технологіях, таких як мікротехнологія, корозія тощо. Що стосується поверхневих явищ, то робота виходу являє собою основну властивість. Вона була розроблена лордом Кельвіном і відповідає контактній різниці потенціалів між двома поверхнями матеріалів. У роботі збирання даних системи зонду Кельвіна (KPS) проводилося після послідовних випробувань в електронних обчисленнях і фізичних полях з метою отримання роботи виходу провідникових і напівпровідникових матеріалів. Ця система виявила велике значення управління напругою підтримки Vb для обчислення конденсатора, застосованого в структурі метал-діелектрикнапівпровідник (MIS) для вимірювання поверхневого потенціалу напівпровідників. Деякі проблеми були вирішені під час створення системи, і відповідна частота 50 Гц була належним чином відрегульована. Однак вольт-амперне перетворення в KPS не проводилося через нечутливість використаних підсилювачів. Щоб зрозуміти цю складність експериментального дослідження сигналу, ми використали обчислення за допомогою коду Фортран. Воно підтвердило, що сигнал зонда Кельвіна має дуже слабку амплітуду порядка піковольт. З іншого боку, завдяки іншим доступним вимірювальним приладам, чутливість яких значно нижча, ніж сам сигнал, ці результати виправдовують експериментальні кроки.The knowledge of the electrical properties of materials is inevitable in surface technologies, such as microtechnology, corrosion, etc. Concerning the surface phenomena, the work function represents the main property. It was developed by Lord Kelvin and it corresponds to the contact potential difference between two surfaces of materials. In this project, the data acquisition of Kelvin Probe System (KPS) was performed after sequential tests in electronic computing and physical fields in order to acquire the work function of conductor and semiconductor materials. This system has revealed the great importance of controlling the support voltage Vb calculating the capacitor applied to the Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) structure in order to measure the surface potential of the semiconductors. Some problems were solved during the assembly of the system and the pertinent frequency of 50 Hz was suitably adjusted. However, the conversion of current-voltage was not carried out in KPS due to the insensitivity of the amplifiers on hand. To understand this difficulty in signal experimental study, we have used a calculation by a Fortran code. The latter has confirmed that the signal of Kelvin probe is a very weak amplitude of the order of pico-volts. Because of the available measuring devices whose sensitivity is much lower than the signal itself, on the other hand, these results justify the experimental steps

Вплив додавання Fe на структурні та оптоелектронні властивості тонких плівок ZnO p/n типу, нанесених методом центрифугування

У роботі повідомляється про вплив включення Fe на структурні та оптоелектронні властивості тонких плівок ZnO, отриманих методом центрифугування. Номінальне співвідношення Fe/Zn у розчині становило 7 %. Рентгенограми плівок показали, що леговане включення призводить до істотних змін структурних характеристик плівок ZnO. Усі плівки мають полікристалічну структуру з переважним зростанням вздовж площини (002) плівки ZnO. Розмір кристалітів був розрахований за відомою формулою Шеррера і виявився в діапазоні 22-17 нм. Найбільше середнє значення оптичного пропускання у видимій області спектру належало плівці ZnO, легованій Fe. Результати Раманівського розсіювання підтвердили спостереження методів XRD та УФ-спектроскопії появою цих місць на ділянках Zn+2. Ці результати пояснюються теоретично і порівнюються з тими, про які повідомляється іншими дослідниками. Результати Холівських вимірювань тонких плівок ZnO та ZnO:Fe виявляють високу концентрацію електронів приблизно 1016 см – 3 та їх низьку рухливість 2.6 см2/Вс. Усі вирощені зразки демонструють неоднозначний тип провідності носіїв (p- або n-тип) в автоматичних Холівських вимірюваннях Ван-дер Поу. Аналогічний результат спостерігався раніше іншими групами у плівках ZnO, легованих Li та As. Однак, охарактеризувавши зразки рентгено-електронною спектроскопією (XPS), ми продемонстрували, що неоднозначний n-тип носіїв у наших плівках ZnO не є внутрішньою поведінкою зразків, а обумовлений стійким ефектом фотопровідності в ZnO.This paper reports the effect of Fe incorporation on structural and electro-optical properties of ZnO thin films prepared by spin coating techniques. The Fe/Zn nominal volume ratio was 7 % in the solution. X-ray diffraction patterns of the films showed that doped incorporation leads to substantial changes in the structural characteristics of ZnO films. All the films have polycrystalline structure, with a preferential growth along the ZnO (002) plane. The crystallite size was calculated using a well-known Scherrer’s formula and found to be in the range of 22-17 nm. The highest average optical transmittance value in the visible region was belonging to the Fe doped ZnO film. The results of the Raman scattering confirmed the observations of XRD and UV-Vis analysis techniques by the appearance of these occupancies at Zn+2 sites. These results are explained theoretically and are compared with those reported by other workers. The results of Hall measurement of ZnO and ZnO:Fe thin films reveal a high electron concentration around 1016 cm – 3 and low mobility 2.6 cm2/Vs. All as-grown samples show ambiguous carrier conductivity type (p-type and ntype) in the automatic Van der Pauw Hall measurement. A similar result has been observed in Li-doped ZnO and in As-doped ZnO films by other groups before. However, by characterizing our samples whit XPS, we have demonstrated that the ambiguous carrier type n in intended our ZnO films is not intrinsic behavior of the samples. It is due to the persistent photoconductivity effect in ZnO

The 600 Ma-Old Pan-African Magmatism in the In Ouzzal Terrane (Tuareg Shield, Algeria): Witness of the Metacratonisation of a Rigid Block

The high-level sub-circular North Tihimatine granitic pluton, intrusive in the In Ouzzal terrane, has been dated at 600 ± 5 Ma (LA-ICP-MS U–Pb zircon) and at 602 ± 4 Ma (SHRIMP U–Pb zircon). At this time, while Tihimatine intruded a brittle In Ouzzal without major metamorphism, large high-K calc-alkaline granitoid batholiths emplaced in the adjacent terranes under ductile conditions and regional amphibolite facies metamorphism. Outside In Ouzzal, high-level plutons emplaced under brittle conditions are known only at c. 580 Ma. The In Ouzzal terrane (500 km × 80 to 5 km), made of c. 2 Ga very high-temperature granulitic lithologies with Archean protoliths, is the sole terrane within the Tuareg Shield to have been largely unaffected by the Pan-African orogeny. The field, petrographic, geochemical and isotopic characteristics of the In Ouzzal granitic plutons studied herein, give keys for the understanding of the atypical behavior of the In Ouzzal terrane. The In Ouzzal Pan-African granitoids present chemical compositions varying from medium-K to high-K calc-alkaline to alkaline compositions. This is recorded by the Sr and Nd radiogenic isotopes (−4 < ɛNd < −30; 0.704 < ISr < 0.713), pointing to a mixing between a heterogeneous and old Rb-depleted source, the Eburnean granulitic In Ouzzal crust, and a Pan-African mantle. The latter is represented by the nearby bimodal Tin Zebane dyke swarm (ɛNd = +6.2, ISr = 0.7028; Hadj Kaddour et al. in Lithos 45:223–243, 1998), emplaced along the mega-shear zone bounding the In Ouzzal terrane to the west. Trace element composition and Sr–Nd isotope modeling indicate that 20–40% of different crustal lithologies outcropping in the In Ouzzal terrane mixed with mantle melts. At least two, most probably three, Eburnean granulitic reservoirs with Archean protoliths are needed to explain the chemical variability of the In Ouzzal plutons. The Pan-African post-collisional period is related to a northward tectonic escape of the Tuareg terranes, including the rigid In Ouzzal terrane, bounded by major shear zones. Blocking of the movement of the In Ouzzal terrane, which occurred 20 Ma earlier (at 600 Ma) on the western side than on the eastern side, induced its fracturing along oblique faults inside the terrane. This process allowed asthenosphere to rise and to locally melt the In Ouzzal crust, giving rise to the studied plutons. This corresponds to a metacratonization process. The In Ouzzal terrane demonstrates that a relatively small rigid block can survive within a major orogen affected by a post-collisional tectonic escape at the cost of a metacratonization, particularly at depth along faults