5 research outputs found

    Π“Π°Π·ΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ элСмСнты Π½Π° основС ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΎ-нСорганичСских Π½Π°Π½ΠΎΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚ΠΎΠ²

    No full text
    ΠŸΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΠ°. На ΡΡŒΠΎΠ³ΠΎΠ΄Π½Ρ–ΡˆΠ½Ρ–ΠΉ дСнь існує висока ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π° Π² Π΄Π΅ΡˆΠ΅Π²ΠΈΡ… ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΈΡ… Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΈΡ… сСнсорах для ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠΎΠ½Ρ–Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠ½Π³Ρƒ навколишнього сСрСдовища Ρ‚Π° атмосфСри ΠΆΠΈΡ‚Π»ΠΎΠ²ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΡ–Ρ‰Π΅Π½ΡŒ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΆ, Ρƒ Ρ€Ρ–Π·Π½ΠΈΡ… галузях промисловості. ΠžΡΡ‚Π°Π½Π½Ρ–ΠΌ часом Π³Ρ–Π±Ρ€ΠΈΠ΄Π½Ρ– наносистСми Π½Π° основі ΠΏΡ€ΠΎΠ²Ρ–Π΄Π½ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ»Ρ–ΠΌΠ΅Ρ€Ρ–Π², Π»Π΅Π³ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ… Π½Π°ΠΏΡ–Π²ΠΏΡ€ΠΎΠ²Ρ–Π΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΈΠΌΠΈ наночастинками Ρ€Ρ–Π·Π½ΠΎΡ— ΠΏΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄ΠΈ Π·Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π² Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Ρ– ΠΏΡ–Π΄Π²ΠΈΡ‰Π΅Π½ΠΎΡ— ΡƒΠ²Π°Π³ΠΈ як ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€Ρ–Π°Π»ΠΈ для сСнсорних Π΅Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ–Π². ΠœΠ΅Ρ‚Π° Π΄ΠΎΡΠ»Ρ–Π΄ΠΆΠ΅Π½ΡŒ. БтворСння сСнсорних Π΅Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ–Π² Π½Π° основі ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Π½ΠΈΡ… ΠΏΠ»Ρ–Π²ΠΎΠΊ ΠΏΠΎΠ»Ρ–-3,4-СтилСндіоксітіофСну Π² ΠΏΠΎΡ”Π΄Π½Π°Π½Π½Ρ– Π· нанокристалами ΠΏΠΎΡ€ΡƒΠ²Π°Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½Ρ–ΡŽ Ρ‚Π° оксиду Ρ†ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ– вивчСння Π²Ρ–Π΄Π³ΡƒΠΊΡƒ Ρ—Ρ… Π΅Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρƒ Π½Π° Π°Π΄ΡΠΎΡ€Π±Ρ†Ρ–ΡŽ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ» Π³Π°Π·Ρ–Π² Ρ€Ρ–Π·Π½ΠΎΡ— ΠΏΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄ΠΈ. ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠ° Ρ€Π΅Π°Π»Ρ–Π·Π°Ρ†Ρ–Ρ—. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° наночастинок ZnO Ρ‚Π° ΠΏΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΊΡƒ ΠΏΠΎΡ€ΡƒΠ²Π°Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½Ρ–ΡŽ Π±ΡƒΠ»Π° дослідТСна ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Ρ€Π΅Π½Ρ‚Π³Π΅Π½Ρ–Π²ΡΡŒΠΊΠΎΡ— Π΄ΠΈΡ„Ρ€Π°ΠΊΡ†Ρ–Ρ—. Π₯арактСристики ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΎ-Π½Π΅ΠΎΡ€Π³Π°Π½Ρ–Ρ‡Π½ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Π½ΠΈΡ… ΠΏΠ»Ρ–Π²ΠΎΠΊ Π±ΡƒΠ»ΠΈ Π²ΠΈΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ– Π·Π° допомогою ΡΠΊΠ°Π½ΡƒΡŽΡ‡ΠΎΡ— Π΅Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΡ— мікроскопії Ρ‚Π° Π†Π§ Π€ΡƒΡ€'Ρ”-спСктроскопії. Для ΠΎΡ†Ρ–Π½ΠΊΠΈ сСнсорних властивостСй Π±ΡƒΠ² дослідТСний Π΅Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π½ΠΈΠΉ Π²Ρ–Π΄Π³ΡƒΠΊ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†Ρ–ΠΉΠ½ΠΈΡ… ΠΏΠ»Ρ–Π²ΠΎΠΊ Π½Π° Π°Π΄ΡΠΎΡ€Π±Ρ†Ρ–ΡŽ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ» Π°ΠΌΡ–Π°ΠΊΡƒ Ρ‚Π° Π΅Ρ‚Π°Π½ΠΎΠ»Ρƒ. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΈ Π΄ΠΎΡΠ»Ρ–Π΄ΠΆΠ΅Π½ΡŒ. Π•ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ– дослідТСння виявили Π²Π·Π°Ρ”ΠΌΠΎΠ΄Ρ–ΡŽ ΠΌΡ–ΠΆ ΠΎΡ€Π³Π°Π½Ρ–Ρ‡Π½ΠΈΠΌΠΈ Ρ– Π½Π΅ΠΎΡ€Π³Π°Π½Ρ–Ρ‡Π½ΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ Π½Π°Π½ΠΎΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Ρƒ Ρ– утворСння ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠ»Ρ–Ρ‚Π½ΠΎΡ— Π³Ρ–Π±Ρ€ΠΈΠ΄Π½ΠΎΡ— ΠΏΠ»Ρ–Π²ΠΊΠΈ. ЗарСєстровано Π·Π±Ρ–Π»ΡŒΡˆΠ΅Π½Π½Ρ Π΅Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρƒ сСнсорних Π΅Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ–Π² внаслідок адсорбції ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ» Π°ΠΌΡ–Π°ΠΊΡƒ Ρ– Π΅Ρ‚Π°Π½ΠΎΠ»Ρƒ. ВстановлСно, Ρ‰ΠΎ максимальна Ρ‡ΡƒΡ‚Π»ΠΈΠ²Ρ–ΡΡ‚ΡŒ Π³Ρ–Π±Ρ€ΠΈΠ΄Π½ΠΈΡ… ΠΏΠ»Ρ–Π²ΠΎΠΊ Π·Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΡŒΠΊΠΈΡ… концСнтраціях дослідТуваних Ρ€Π΅Ρ‡ΠΎΠ²ΠΈΠ½. ΠšΡ–Π½Π΅Ρ‚ΠΈΠΊΠ° Π²Ρ–Π΄ΠΊΠ»ΠΈΠΊΡƒ рСзистивних сСнсорних Π΅Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ–Π² Π½Π° основі Π³Ρ–Π±Ρ€ΠΈΠ΄Π½ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Ρ–Π² Π½Π° Π·ΠΌΡ–Π½Ρƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†Ρ–Ρ— Π³Π°Π·Ρ–Π² Ρ” Π΄ΠΎΡΡ‚Π°Ρ‚Π½ΡŒΠΎ швидкою для ΠΌΡ–ΠΊΡ€ΠΎΠ΅Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΈΡ… Ρ…Ρ–ΠΌΡ–Ρ‡Π½ΠΈΡ… сСнсорів. Висновки. ΠŸΠΎΡ”Π΄Π½Π°Π½Π½Ρ наночастинок ΠΏΠΎΡ€ΡƒΠ²Π°Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½Ρ–ΡŽ Ρ‚Π° оксиду Ρ†ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Π·Π°Π±Π΅Π·ΠΏΠ΅Ρ‡ΡƒΡ” Π·Π±Ρ–Π»ΡŒΡˆΠ΅Π½Π½Ρ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Ρ– Ρ€ΠΎΠ±ΠΎΡ‡ΠΎΡ— ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½Ρ– сСнсорів Π½Π° основі ΠΏΠ»Ρ–Π²ΠΎΠΊ ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΎ-Π½Π΅ΠΎΡ€Π³Π°Π½Ρ–Ρ‡Π½ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Ρ–Π², Ρ—Ρ… високу Ρ‡ΡƒΡ‚Π»ΠΈΠ²Ρ–ΡΡ‚ΡŒ Ρ– ΡΠ΅Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ–ΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ» Π°ΠΌΡ–Π°ΠΊΡƒ Ρ‚Π° Π΅Ρ‚Π°Π½ΠΎΠ»Ρƒ.Background. For today there is high need of cheap portable gas sensors for operational monitoring of the environment and the atmosphere in different areas of life and industry. Recently, hybrid nanosystems based on conductive polymers reinforced with semiconductor nanoparticles of different nature are in the focus of increased attention as materials for sensor elements. Objective. Creating sensitive elements based on composite films of poly-3,4-ethylenedioxythiophene combined with nanocrystals of porous silicon and zinc oxide and studying the electrical response to the absorption of gas molecules. Methods. The structure of ZnO nanoparticles and porous silicon powder was examined with X-ray diffraction. Organic-inorganic hybrid films were characterized by scanning electron microscopy and Fourier transform infrared spectroscopy. To evaluate the sensor properties, electrical response of obtained composite films due to adsorption of ammonia and ethanol molecules were studied. Results. Our studies suggest some interaction between organic and inorganic components in the formed hybrid monolithic film. Increasing of nanocomposite electrical resistance due to adsorption of ammonia and ethanol molecules was registered. It was established that the maximum sensitivity of the hybrid films is observed at low concentration ranges. The kinetics of the response of the hybrid composites to the changing concentration of gas molecules is fast enough to be employed in various microelectronic chemical sensors. Conclusions. The combination of the porous silicon and zinc oxide nanoparticles provides an increasing of surface area of the sensors based on organic-inorganic composites and their high sensitivity and selectivity to ethanol and ammonia molecules.ΠŸΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΠ°. На сСгодняшний дСнь сущСствуСт высокая ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² Π΄Π΅ΡˆΠ΅Π²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… Π³Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… сСнсорах для ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠΎΠ½ΠΈΡ‚ΠΎΡ€ΠΈΠ½Π³Π° ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды ΠΈ атмосфСры ΠΆΠΈΠ»Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΉ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… отраслях ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ. Π’ послСднСС врСмя Π³ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΠ΄Π½Ρ‹Π΅ наносистСмы Π½Π° основС проводящих ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ², Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ наночастицами Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄Ρ‹ находятся Π² Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π΅ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ внимания ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ для сСнсорных элСмСнтов. ЦСль исслСдований. Π‘ΠΎΠ·Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ сСнсорных элСмСнтов Π½Π° основС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΠΈ-3,4-этилСндиокситиофСна Π² сочСтании с нанокристаллами пористого крСмния ΠΈ оксида Ρ†ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΈ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ° ΠΈΡ… сопротивлСния Π½Π° Π°Π΄ΡΠΎΡ€Π±Ρ†ΠΈΡŽ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ» Π³Π°Π·ΠΎΠ² Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄Ρ‹. ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠ° Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° наночастиц ZnO ΠΈ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΊΠ° пористого крСмния исслСдована ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ рСнтгСновской Π΄ΠΈΡ„Ρ€Π°ΠΊΡ†ΠΈΠΈ. Π₯арактСристики Π³ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΎ-нСорганичСских ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΠΈ ΡΠΊΠ°Π½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ элСктронной микроскопии ΠΈ ИК Π€ΡƒΡ€ΡŒΠ΅-спСктроскопии. Для ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΊΠΈ сСнсорных свойств исслСдован элСктричСский ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΈΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ Π½Π° Π°Π΄ΡΠΎΡ€Π±Ρ†ΠΈΡŽ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ» Π°ΠΌΠΌΠΈΠ°ΠΊΠ° ΠΈ этанола. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ исслСдований. Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ исслСдования ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠΈΠ»ΠΈ взаимодСйствиС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ органичСскими ΠΈ нСорганичСскими ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ Π½Π°Π½ΠΎΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Π° ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠ»ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ Π³ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ. ЗарСгистрировано ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ сопротивлСния сСнсорных элСмСнтов Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ адсорбции ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ» Π°ΠΌΠΌΠΈΠ°ΠΊΠ° ΠΈ этанола. УстановлСно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ максимальная Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π³ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… концСнтрациях исслСдуСмых ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ». ΠšΠΈΠ½Π΅Ρ‚ΠΈΠΊΠ° ΠΎΡ‚Π·Ρ‹Π²Π° рСзистивных сСнсорных элСмСнтов Π½Π° основС Π³ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚ΠΎΠ² Π½Π° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ» Π³Π°Π·ΠΎΠ² являСтся достаточно быстрой для микроэлСктронных химичСских сСнсоров. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹. Π‘ΠΎΡ‡Π΅Ρ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ наночастиц пористого крСмния ΠΈ оксида Ρ†ΠΈΠ½ΠΊΠ° обСспСчиваСт ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ повСрхности сСнсоров Π½Π° основС ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΎ-нСорганичСских ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚ΠΎΠ², ΠΈΡ… Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΡΠ΅Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»Π°ΠΌ Π°ΠΌΠΌΠΈΠ°ΠΊΠ° ΠΈ этанола

    Electrical and Photoelectrical Properties of Reduced Graphene Oxideβ€”Porous Silicon Nanostructures

    No full text
    Abstract In this work, the hybrid structures were created by electrochemical etching of silicon wafer and deposition of reduced graphene oxide (RGO) on the porous silicon (PS) layer. With the help of SEM and AFM, the formation of hybrid PS–RGO structure was confirmed. By means of current–voltage characteristic analysis and impedance spectroscopy, we studied electrical characteristics of PS–RGO structures. The formation of photosensitive electrical barriers in hybrid structures was revealed. Temporal parameters and spectral characteristics of photoresponse in the 400–1100-nm wavelength range were investigated. The widening of spectral range of photosensitivity of the hybrid structures in short-wavelength range in comparison with single-crystal silicon was revealed. The obtained results broaden the prospects of application of the PS–RGO structures in photoelectronics
    corecore