Електричні властивості матеріалів контактів на основі плівок Fe і Ge

За допомогою омічних невипрямних контактів, від якості яких в значній мірі залежать характеристики, надійність і ресурс роботи мікроелектронних приладів, відбувається електричне з’єднання напівпровідників (НП) з металевими (Ме) елементами і провідниками. Основною характеристикою омічного контакту є його опір на квадрат площі, який складається із послідовно з’єднаних опорів: приконтактної області НП та пов’язаного із проходженням електронами потенціального бар’єру. Авторами було показано, що в сплавних омічних контактах Ме/НП у процесі термообробки відбуваються розчинення НП в Ме, рекристалізація та можливий прояв механізму протікання струму по металевим шунтам, які являють собою атоми метала, що осаджуються в місцях концентрації дефектів (наприклад, дислокацій), і закорочують шар об’ємного заряду. При цьому на краях таких ліній концентрується електричне поле і струм протікає за рахунок польової емісії

The Phase Transformations and Magnetoresistive Properties of Diluted Solid Solutions Based on Fe and Ge Atoms

In the article, the structure, phase composition and magnetoresistive properties of single- and threelayer films based on Fe and Ge were studied. It is established that in such films eutectic is formed based on diluted solid solutions of Ge atoms in a-Fe layers and of Fe atoms in a-Ge layers at the total concentration of Ge atoms from 3 to 20 at.% in the temperature range of 300-870 K. It is shown that magnetoresistive properties of the films with eutectic composition are not significantly different from the properties of a-Fe films

Електричні властивості матеріалів контактів на основі плівок Fe і Ge

За допомогою омічних невипрямних контактів, від якості яких в значній мірі залежать характеристики, надійність і ресурс роботи мікроелектронних приладів, відбувається електричне з’єднання напівпровідників (НП) з металевими (Ме) елементами і провідниками. Основною характеристикою омічного контакту є його опір на квадрат площі, який складається із послідовно з’єднаних опорів: приконтактної області НП та пов’язаного із проходженням електронами потенціального бар’єру. Авторами було показано, що в сплавних омічних контактах Ме/НП у процесі термообробки відбуваються розчинення НП в Ме, рекристалізація та можливий прояв механізму протікання струму по металевим шунтам, які являють собою атоми метала, що осаджуються в місцях концентрації дефектів (наприклад, дислокацій), і закорочують шар об’ємного заряду. При цьому на краях таких ліній концентрується електричне поле і струм протікає за рахунок польової емісії

Electrophysical, Magnetoresistivity and Magneto-optical Properties of Multilayer Materials Based on Nanocrystalline and Amorphous Films

In work is presented to the results of complex investigate of phase formation, thermal resistivite, magnetoresistive and magneto-optical properties of multilayers based Fe and Pd, Ag or Ge, which obtained by sequential condensation of the layers with following thermal annealing. Investigation of phase formation processes of thin film systems and established of correlation between this processes and above-mention physical properties. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3500

The Electronic Properties of Film Materials Based on Fe and Pt or Ge

On the basis of thin films in microelectronics made the following elements of integrated circuits (IC): film resistors; electrodes (electrode film capacitors, spiral inductors busducts, installation guides, closures MIS transistors) contact paths and platforms; auxiliary elements. Electrical connection of metals and semiconductors with metallic conductors is performed using layered condensation and formation of ohmic contacts not rectifier, the quality of which is largely dependent parameters and characteristics of microelectronic devices, their reliability and durabilit

Електричні властивості матеріалів плівкових омічних контактів на основі Fe, Cu, Cr і Ge

Плiвкові матеріали на основi металiв i напiвпровiдникiв широко використовуються в електронній і сенсорній техніці. З точки зору формування омічних контактів напівпровідники (НП) можна розділити на дві групи. Перша група – НП із низькою щільністю поверхневих станів, розташованих в глибині забороненої зони (наприклад, ZnSe, SiC). Друга група – НП з високою щільністю поверхневих станів, розташованих в глибині заборонений ної зони (наприклад, Si, Ge, GaAs). У цих матеріалах величина роботи виходу електронів з контактує металу слабо впливає на його властивості

Електричні властивості матеріалів плівкових омічних контактів на основі Fe, Cu, Cr і Ge

Плiвкові матеріали на основi металiв i напiвпровiдникiв широко використовуються в електронній і сенсорній техніці. З точки зору формування омічних контактів напівпровідники (НП) можна розділити на дві групи. Перша група – НП із низькою щільністю поверхневих станів, розташованих в глибині забороненої зони (наприклад, ZnSe, SiC). Друга група – НП з високою щільністю поверхневих станів, розташованих в глибині заборонений ної зони (наприклад, Si, Ge, GaAs). У цих матеріалах величина роботи виходу електронів з контактує металу слабо впливає на його властивості

Фазовий склад, електро- і магніторезистивні властивості плівкових матеріалів із спін-залежним розсіюванням електронів

Вперше запропоновані теоретичні моделі для ТКО та КТ двошарових плівкових систем, які дозволяють здійснювати прогноз термо- і тензорезистивних властивостей: феноменологічна модель для двошарових плівкових систем із проміжним шаром твердого розчину біля інтерфейсу або плівкового сплаву по всій товщині зразка; феноменологічна модель плівкових гранульованих сплавів, в яких може реалізуватись спін-залежне розсіювання електронів і ефект ГМО. Отримані експериментальні результати стосовно температурної залежності питомого опору і ТКО для плівкових систем на основі Co і Cu, Ag або Au та Fe і Cr та тензорезистивного ефекту в області пружної і пластичної деформації, які використані при апробації запропонованих теоретичних моделей. Здійснена апробація запропонованих теоретичних моделей та комп’ютерне моделювання електрофізичних властивостей. Результати НДР можуть бути використані у різних галузях нано- і мікроелектроніки, фізики тонких плівок і мікроприладобудування. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/448