Filtre SIW d'ordre 6 en bande C avec un couplage croisé. Analyse expérimentale du comportement thermique.

National audienceCet article présente un filtre SIW (Substrate Integrated Waveguide) d'ordre 6 en bande C réalisé sur un substrat d'alumine de permittivité 9.9. Un couplage croisé entre résonateurs non-adjacents est introduit afin d'améliorer les réjections; une contrainte indispensable pour les applications spatiales. La compatibilité avec les circuits planaires est assurée par l'intermédiaire d'une transition microruban spécifique. Des tests en température ont été réalisés afin d'évaluer le comportement du filtre dans un environnement spatial. Les résultats expérimentaux sont en accord avec les simulations

Темы семинарских занятий для заочного отделения

A MMIC demodulator has been designed and characterized over the [0.79 – 0.97] GHz RF band. It consists of an RF differential amplifier and an LO 4-way phase splitter affording the 0°, 90°, 180° and 270° relative phase shift and equal amplitude signals. Both RF and LO channels drive a double double balanced quad FET mixer which provides the four quadrature phase shift voltage baseband IF signals on high outputs impedances. This chip (4 x 3.1 mm²) has been fabricated using a GaAs 0.5µm MESFET process and reaches a high performance as far as IF signals balance accuracy is pursued

Amplification de puissance en technologie GaN en classe B exacte avec la technique de suivi d'enveloppe appliquée sur la grille

National audienceCe travail concerne l'amélioration de la linéarité d'un amplificateur10W en bande S en technologie GaN, polarisé en classe B exacte (IDSQ=0mA) en utilisant la technique de suivi d'enveloppe sur la grille. Un traitement simple de l'enveloppe du signal RF d'entrée est appliqué pour obtenir une tension de polarisation qui est remontée au-dessus du point de pincement lorsque la puissance instantanée du signal d'entrée RF est faible. Cette technique permet une amélioration de la linéarité de l'amplificateur de puissance avec un très faible impact sur le rendement en puissance ajoutée. Dans cet article, un gain de près de 6 dB de l'ACPR pour un signal 16-QAM 2MSymb / s à 2,5 GHz a été expérimentalement obtenu. Enfin, un prototype de circuit de gestion de la polarisation dynamique de grille à base d'amplificateurs opérationnels rapides a été développé et est présenté

Limiteur de puissance hyperfréquence à commutateurs MEMS radiofréquences capacitifs

Un limiteur de puissance d'un signal hyperfréquence comprend un premier commutateur MEMS1 de type microsystème électromécanique radiofréquence capacitif, en parallèle avec une ligne signal LS de transport d'un signal hyperfréquence. Le premier commutateur a une électrode mobile 41 supérieure, au-dessus de la ligne signal. Cette électrode est reliée aux lignes d'un plan de masse électrique, LG1, LG2. Le limiteur comprend au moins un deuxième commutateur MEMS2 de même type, et avec la même tension d'actionnement continue Vp que le premier, en parallèle avec la ligne signal, et en aval. Le niveau de puissance Pin du signal hyperfréquence incidente au limiteur qui est nécessaire à l'actionnement (Pdown2) du deuxième commutateur est supérieur au niveau de puissance incidente au limiteur qui est nécessaire à l'actionnement (Pdown1) du premier commutateur.Applications aux systèmes de télécommunication et chaînes de traitement de signaux hyperfréquences

Analyse de la synchronisation des oscillateurs par la méthode de l'équilibrage spectral

International audienceno abstrac

High Efficiency Class-B power amplifier with dynamic gate biasing for improved linearity

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Development of CAD models for space engineering

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A 10-W S-band class-B GaN amplifier with a dynamic gate bias circuit for linearity enhancement

International audienceIn the present paper, we present a dynamic gate biasing technique applied to a 10 W, S-band GaN amplifier. The proposed methodology addresses class-B operation of power amplifiers that offers the potential for high efficiency but requires a careful attention to maintain good linearity performances at large output power back-off. This work proposes a solution to improve the linearity of class-B amplifiers driven by radio frequency-modulated signals having large peak to average power ratios. An important aspect of this work concerns the characterization of the dynamic behavior of GaN devices for gate bias trajectory optimization. For that purpose, the experimental study reported here is based on the use of a time-domain envelope setup. A specific gate bias circuit has been designed and connected to a 10 W - 2.5 GHz GaN amplifier demo board from CREE. Compared to conventional class-B operation with a fixed gate bias, a 10-dB improvement in terms of third-order intermodulation is reached. When applied to the amplification of 16-QAM signals the proposed technique demonstrates significant ACPR reduction of order of 6 dB along with error vector magnitude (EVM) improvements of five points over 8 dB output power back-off with a minor impact on power-added efficiency performances

Efficiency Enhancement of GaN Power Amplifiers over Wide Bandwidth by an Active Control of Gate Source Waveforms

This paper presents a technique to improve the power added efficiency (PAE) of GaN power amplifiers by an appropriate shaping of the gate source voltage waveform. High efficiency performances of microwave power amplifiers are reached by implementing proper matching conditions at harmonic components. For microwave applications, harmonic tuned amplifiers offer for the moment the best energy conversion efficiency between DC supply and RF power at fundamental frequency available in a 50 load.[1] In addition to proper harmonic terminations, the minimization of power losses at fundamental frequency in the output RF matching and power combining circuit is of prime importance. This has been widely reported over the past few years. Considering this main aspect GaN technology offers an evident advantage due to its high drain voltage operation capability that is beneficial for designing low loss and wideband output matching circuits. Several works have been reported during the past few years.[2],[3],[4],[5],[6] A problem encountered when designing high efficiency power amplifiers is to avoid getting high efficiency performances restricted to only a narrow frequency bandwidth around center frequency. It can be often observed that the higher the PAE is at center frequency, the quicker the PAE decreases at offset frequencies each side away from the center frequency. This can be attributed to high Q resonant tuning conditions. We point out and examine in this paper a major role played by the gate source voltage waveform in PAE performances over a frequency bandwidth of interest. For power amplifiers operating at saturated power, a significant second harmonic current component exists at the gate port and is terminated into a passive resonant circuit like for example a quarter wave length line used in the gate bias circuit. For offset frequencies, phase conditions of the passive source impedance at second harmonic vary and lead to non appropriate enlarged gate source voltage waveform upper the pinch off value.That leads to larger turn on time of the drain current resulting in a larger overlapping between drain current and drain voltage prejudicial for dissipated power and power added efficiency. In this paper we present a solution to maintain an appropriate gate source voltage shape. It consists in driving the gate of a power stage with an appropriate half sine voltage shape supplied by a driver stage operating at low drain bias voltage